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[发明专利]一种LDMOS器件及其制备方法-CN202011498198.2有效
发明人：杨柳青 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包含：形成于衬底上的横向隔开的P型阱和N型阱；包含在P型阱内形成的N+区的源极区域；包含在N型阱内形成的N+区的漏极区域；形成于漏极区域的N+区靠近源极区域的一侧的浅沟道隔离区域；以及栅极区域。其中，限定位于浅沟道隔离区下方且处在积累区域和N型阱之间的区域为R区域，积累区域的宽度与R区域的宽度的比值设置在预定阈值范围内以改善LDMOS器件的准饱和效应。该LDMOS器件通过控制不同区域宽度的比值来改善器件的准饱和效应。本发明同时提供一种制备LDMOS器件的方法。
一种 ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]用于离子植入机的气体有效利用率的监测方法及系统-CN202111082907.3有效
发明人：王智权;滕庚烜 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于离子植入机的气体有效利用率的监测方法，包含以下步骤：计算单位气体消耗量，其中单位气体消耗量为钢瓶端气体流量与机台植入参数的函数；将单位气体消耗量与预定阈值进行比较；以及基于比较结果判断气体用量是否异常。该方法引入包含扫描次数、扫描速度和植入剂量在内的离子植入参数，结合钢瓶端气体流量大小建立气体量理论模型，能够实时监测用于离子植入机的气体的有效利用率。本发明同时提供一种用于执行该监测方法的系统。
用于离子植入气体有效利用率监测方法系统

[发明专利]一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法-CN202010581022.7有效
发明人：刘宇霈;门思成 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件，包含：P型衬底；形成于所述P型衬底上方的轻掺杂N阱；形成于所述轻掺杂N阱上方的自对准金属硅化物；其中，所述轻掺杂N阱邻近所述自对准金属硅化物处包含表面改性区。该半导体器件有助于提高沉积金属的均匀性，消除自对准金属硅化物形成过程中的孔洞，从根本上改善击穿电压掉点的问题。本发明同时提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件的制备方法。
一种包含对准金属硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法及晶圆-CN202111182779.X有效
发明人：吴栋华;石新欢;李慰 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有沟槽栅极的晶圆的制备方法，包含：步骤1，刻蚀，形成第一沟槽和第二沟槽；步骤2，填充栅极多晶硅；步骤3，在栅极多晶硅表面形成氧化层；步骤4，研磨，去除氧化层与部分多余栅极多晶硅；以及步骤5，回刻蚀，去除剩下的多余多晶硅。该制备方法通过在化学机械研磨前增加形成氧化层的步骤，减小了晶圆中心位置与边部位置的厚度差异，以获得晶圆中心位置与边部位置长度均匀的沟槽栅极。本发明同时提供一种包含使用该方法加工的沟槽栅的晶圆。
一种具有沟槽栅极制备方法

[实用新型]一种气相沉积机台的匀流板的拆卸装置-CN202320951666.X有效
发明人：陈保栋 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相沉积机台的匀流板的拆卸装置，包括主板和两个弹性固定机构，主板上设置有多个对称分布的通孔，主板与匀流板接触的一面设置有保护层；两个弹性固定机构相对设置在主板两侧，弹性固定机构在垂直于主板平面的方向上可伸缩以将拆卸装置可拆卸地固定于机台上。本实用新型的拆卸装置结构简单，由主板和弹性固定机构组成，其中弹性固定机构用于将拆卸装置快速固定在机台上，此时主板平面与匀流板抵接，通过设置在主板上的通孔拆卸匀流板，拆卸后的高温匀流板直接被主板承接，本装置在拆卸过程中不会对匀流板造成损伤，操作方便，可以实现快速拆卸匀流板。
一种沉积机台匀流板拆卸装置

[发明专利]一种使用二氧化硅填充深沟槽后的平坦化方法及晶圆-CN202110021933.9有效
发明人：李虎子;李煦 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用二氧化硅填充深沟槽后的平坦化方法，包含：步骤一，一次研磨，以使二氧化硅表面高于沟槽表面至少步骤二，对二氧化硅进行高温密化；以及步骤三，二次研磨，以使二氧化硅表面与沟槽表面齐平。该平坦化方法通过普通CMP‑高温密化‑高选择比CMP来获得平整、完好的沟槽表面。本发明同时提供一种包含使用该方法加工的深沟槽的晶圆。
一种使用二氧化硅填充深沟平坦方法

[发明专利]一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法-CN202010193262.X有效
发明人：周黎林;李虎子 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象的方法，其提供第一器件区域和第二器件区域；对第一器件区域和第二器件区域进行侧墙蚀刻；侧墙蚀刻后在第一器件区域的表面形成金属硅化层且在第二器件区域的表面不形成金属硅化层。本发明的方法取消了SAB制程，防止了SAB制程过程中由于蚀刻速率不同而造成的凹槽，凹槽不存在所以后期金属层形成时不会有金属残留到凹槽中，进而克服了器件漏电的问题。
一种改善栅极结构表面形成金属硅化层后漏电现象方法

[发明专利]一种改善带场板的LDMOS制程工艺的方法-CN202010718128.7有效
发明人：吴栋华;石新欢 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善带场板的LDMOS制程工艺的方法，包括步骤：提供衬底并在衬底上形成栅极；在栅极上沉积第一氧化层；在第一氧化层上沉积场板；在场板上沉积第二氧化层；在第二氧化层上覆盖光阻并进行显影，然后对第二氧化层进行蚀刻；对场板进行蚀刻；形成带场板的LDMOS。通过本发明改善带场板的LDMOS制程工艺的方法，本发明在场板沉积以后再沉积或增加氧化层改善了场板阶梯高低太大的问题，该增加的氧化层可作为硬掩膜保护需要留下的场板的区域，从而可以延长蚀刻时间以确保不会有残留。
一种改善带场板 ldmos 工艺方法

[发明专利]LPCVD工艺中薄膜沉积时负载效应程度表征方法及沉积方法-CN202110235076.2有效
发明人：胡志诚 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD工艺中薄膜沉积时负载效应程度表征方法及沉积方法，根据第一比值与负载效应补偿沉积时间的相对关系，获得负载效应补偿沉积时间；其中，第一比值为实际沟槽体积与晶圆面积的比值，或者，所述第一比值为实际沟槽面积与晶圆面积的比值。硅沉积根据负载效应补偿沉积时间完成。本发明解决了现有技术的由小批次逐渐扩大批量以确定负载效用程度的效率低下问题，以及由此导致的产能低下，劳动力浪费，产品厚度稳定性差等问题，在生产中仅需要将需要的参数代入公式，即可得到负载效应补偿沉积时间，从而依次实现硅沉积。
lpcvd 工艺薄膜沉积负载效应程度表征方法

[实用新型]一种夹管式流量计-CN202223448896.9有效
发明人：翟文龙 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01F1/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种夹管式流量计，其包括：试剂管路，所述试剂管路构造为容纳化学试剂通过，且与化学试剂容纳装置固定连接；流量计本体，所述流量计本体内部中空，套设于试剂管路外部；传感器，所述传感器设置于流量计本体内部，用于检测所述试剂管路内化学试剂的流量并将流量信息转换为电信号。本实用新型可以实时且直观地看到瞬时流量；更换便捷，安装和维修不需要破管作业，降低了风险系数；流量计套设于试管外部，不易遭到腐蚀，降低了机器的异常率，降低了维护成本。
一种夹管式流量计

[实用新型]一种用于机台的智能监控系统-CN202320148404.X有效
发明人：金明;张建圣;何伟;吴建璋 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04N7/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于机台的智能监控系统，包括：监视器端，监视器端包括管理主机和和通信连接至管理主机的多个摄像头，多个摄像头设置于机台内；侦测报警端，侦测报警端包括侦测主机和显示设备，侦测主机配置用于接收来自管理主机的监控信息并基于监控信息侦测报警，显示设备配置用于显示监控信息。本实用新型实施例的目的在于提出一种用于机台的智能监控系统，不间断监测监视器画面是否异常，以及存储的监控信息是否出现遗漏或损失，并在监测到异常时及时发出警报提醒检修人员，有效避免人工查验大量监视器数据导致判断失误等情况，节省人力成本，提高监测效率。
一种用于机台智能监控系统

[发明专利]一种改善深沟槽工艺晶圆变形的方法及晶圆-CN202310072729.9在审
发明人：张林;李虎子;李瀚潇 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善深沟槽工艺晶圆变形的方法，其包括以下步骤：S1、提供一具有深沟槽的半导体基底；S2、在所述深沟槽中进行第一次二氧化硅填充形成第一膜层；S3、对所述第一膜层在T1温度下进行第一次高温密化处理；S4、在所述深沟槽中进行第二次二氧化硅填充形成第二膜层；S5、对所述第二膜层在T2温度下进行第二次高温密化处理。本发明对深沟槽工艺中二氧化硅填充的反应步骤进行改进，将原有方法的两次相同温度下的高温密化步骤调整为第一次反应温度高于第二次，使第一次填充的二氧化硅密化效果更好，应力释放更彻底，从而提升器件的整体性能，使其能够应用到更多产品中。
一种改善深沟工艺变形方法

[实用新型]一种射频电缆的保护装置-CN202320016713.1有效
发明人：倪金金 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02G15/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频电缆保护装置，包括：环形固定部、支撑部以及多个锁紧件，其中，环形固定部可松紧地环绕固定于射频电缆的第一端部；支撑部沿环形固定部的轴向延伸并连接于环形固定部；多个锁紧件间隔设置在支撑部上，当射频电缆部分放置在支撑部上时，通过多个锁紧件将射频电缆紧固于支撑部上。本实用新型通过在射频电缆上设置保护装置，通过固定部将装置固定在电缆上，使用具有一定硬度和韧度的支撑部，在反应腔移动过程中，既可以保障各部件的正常运行，还可以保护射频电缆在其移动方向上不发生高频弯折从而导致损坏。
一种射频电缆保护装置

[实用新型]一种用于膜厚量测机台的气动对接装置-CN202222959231.8有效
发明人：卫立 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F15B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于膜厚量测机台的气动对接装置，包括气动机构和对接机构，其中，气动机构包括传动部和对接气囊，对接气囊设置于传动部的顶部，并随传动部在竖直方向往复运动；对接机构固定于机台的量测平台底部并与对接气囊相对间隔设置，当传动部沿竖直方向向上运动时，气囊和对接机构抵接，对接机构包括壳体、对接部、缓冲件以及减震件，对接部设置于壳体内并与壳体同轴固定连接，减震件设置于对接部与壳体连接处，缓冲件设置于壳体和对接部之间的夹层中。本实用新型通过改进对接机构的结构以增强在气动冲击过程的缓冲减震作用，改进后的对接机构在气动机构长期冲击下产生的偏移由5mm减小至1mm，有效提升了装置的稳定性，保证了量测的准确性。
一种用于膜厚量测机台气动对接装置

[发明专利]一种改善Power MOS击穿电压的沟道填充方法-CN202211375039.2在审
发明人：郑远程;石新欢 -专利权人： 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善Power MOS击穿电压的沟道填充方法，其包括以下步骤：S1、提供一具有沟槽的半导体基底；S2、在所述沟槽中进行多晶硅沉积形成介质层；S3、对所述介质层进行第一次平坦化处理；S4、对所述介质层进行热氧化处理形成氧化层；S5、对所述氧化层进行第二次平坦化处理；S6、对所述氧化层进行回刻处理，形成沟道。本发明有效改善平坦化时间过长导致的晶圆边缘和中心沟道长度差异过大的问题，从而提升整体器件击穿电压的均匀性。
一种改善 power mos 击穿电压沟道填充方法

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