专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]承载舟-CN202321358992.6有效
  • 祁文杰;毛文龙;范伟;梁笑;林佳继 - 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-20 - H01L21/673
  • 本实用新型公开了一种承载舟。该承载舟包括上下相对设置的上连接框和下连接框,且上连接框和下连接框均由杆状连接件形成,上连接框和下连接框之间连接有平行间隔设置的承载杆,若干承载杆与上连接框和下连接框限定出用于放置硅片的放置空间,且承载杆设置用于固定硅片的凹槽。通过将现有的矩形板替换为上连接框和下连接框,且上连接框和下连接框均由杆状连接件组装形成,从而在上连接框和下连接框的中心位置形成中空部分,相比于使用矩形板大大减小了承载舟的表面积,避免在承载舟的局部出现吸附大量反应掺杂物的现象,防止上连接框和下连接框附近的硅片的掺杂浓度偏高以及方阻偏低问题,确保了晶硅电池的转换效率。
  • 承载
  • [发明专利]一种基于BCl3-CN202110668197.6有效
  • 林佳继;梁笑;刘群 - 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
  • 2021-06-16 - 2023-10-10 - C23C16/24
  • 本发明公开了一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用,本发明在生长Poly‑Si过程中,通入BCl3实现原位掺杂,然后退火晶化,掺杂的P poly‑Si增加空穴的迁移速率同时抑制电子的迁移速率。同时与SiO2结合,SiO2/P‑poly‑Si引入具有电子和空穴不对称隧穿概率的隧道势垒,显著降低光伏电池界面复合,将电流密度J0降低至15fA/cm2,大幅提高太阳电池发电效率。本发明采用BCl3气态源,BCl3分子极易分解并快速进行硼非晶硅晶体的形成,所以BCl3的利用率非常高,利用本发明的方法可以疏散BCl3气体在炉管内的分布,使得炉管内BCl3分布均匀,并能够与SiH4充分混合参与反应。
  • 一种基于bclbasesub
  • [发明专利]一种硼扩工艺及光伏电池-CN202311109095.6在审
  • 毛文龙;范伟;祁文杰;程峰;梁笑;林佳继 - 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-03 - H01L31/18
  • 本发明提供一种硼扩工艺及光伏电池,所述硼扩工艺包括以下步骤:将硅基材放入炉管中,对炉管进行抽真空,使炉管内压力达到预设值后恒定不变;将炉管内的温度升至第一温度,通入硼源气体、载气和氧气,进行一步沉积;其中,硼源气体的体积流量的范围为200sccm至300sccm,硼源气体和氧气的流量比为1:(2至4.5);将炉管内的温度升至第二温度,通入氮气进行吹扫;将炉管内的温度升至第三温度,调整炉管内的压力,通入氧气进行氧化;降低炉管内的温度和压力,取出硅基材。该工艺可使得硼扩炉口的方阻分布均匀,且无高方阻现象的发生。此外,该工艺采用恒压的方式进行沉积和推进,可以有效减少工艺流程,使炉管内气场保持一致。
  • 一种工艺电池

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