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[发明专利]用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构-CN201780040172.3有效
发明人： S·辛哈罗伊;K·陈;H·M·李;S·卡玛斯;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
用于 nand 存储器器件基于 cvd 氧化物金属结构

[发明专利]用于硬掩模应用的硼掺杂碳化钨-CN201880009510.1有效
发明人： E·文卡塔苏布磊曼聂;A·B·玛里克;S·辛哈罗伊;T·越泽 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物来在籽晶层上形成包括钨、硼和碳的过渡层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在过渡层上形成包括钨、硼和碳的块体硬掩模层。
用于硬掩模应用掺杂碳化

[发明专利]MIMCAP架构-CN202180037592.2在审
发明人： R·维兰谷迪皮查;G·雷迪;S·辛哈罗伊;S·海根;A·K·克杜鲁;K·梅迪赛蒂;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：IC上的单元包括耦合到第一电压的Mx层互连件的第一集合，耦合到不同于第一电压的第二电压的Mx层互连件的第二集合，以及Mx层下方的MIM电容器结构。MIM电容器结构包括CTM、CBM和在部分CTM与部分CBM之间的绝缘体。Mx层互连件的第一集合耦合到CTM。Mx层互连件的第二集合耦合到CBM。MIM电容器结构在Mx层与Mx‑1层之间。MIM电容器结构包括多个开口。MIM电容器结构在单元内是连续的，并且延伸到单元的至少两个边缘。在一种配置中，MIM电容器结构延伸到单元的每个边缘。
mimcap 架构

[发明专利]高速电压电平转换器-CN201780041515.8有效
发明人： V·纳拉亚南;R·瓦蒂科达;鲁德;R·维兰谷迪皮查;S·辛哈罗伊;陈锐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：电压电平转换器包括第一或非门(250)，第一或非门具有被配置为接收第一功率域中的第一输入信号(D_N)的第一输入(252)、被配置为接收在第二功率域中的使能信号(ENB)的第二输入(255)、第三输入(257)和输出(Z)。电压电平转换器还包括第二或非门(220)，第二或非门具有被配置为接收第一功率域中的第二输入信号(D)的第一输入(222)、被配置为接收第二功率域中的使能信号的第二输入(225)、被耦合到第一或非门的输出的第三输入(227)、以及被耦合到第一或非门的第三输入的输出(Z_N)。第一或非门和第二或非门由第二功率域的电源电压供电。
高速电压电平转换器

[发明专利]密码处理器中差分功率分析（DPA）弹性安全性的方法和装置-CN201980014531.7在审
发明人： R·拉玛拉居;R·瓦蒂科达;S·辛哈罗伊;鲁德;庞博 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：在某些方面中，一种电路包括动态差分逻辑门，具有第一输出和第二输出；以及第一静态差分逻辑门，具有第一输出和第二输出以及分别耦合到该动态差分逻辑门的第一输出和第二输出的第一输入和第二输入。动态差分逻辑门被配置为接收时钟信号，并且在时钟信号的第一阶段期间将动态差分逻辑门的第一输出和第二输出两者预设为第一预设值。第一静态差分逻辑门被配置为，当第一预设值被输入到第一静态差分逻辑门的第一输入和第二输入两者时，将第一静态差分逻辑门的第一输出和第二输出两者预设为第二预设值。
密码处理器中差分功率分析 dpa 弹性安全性方法装置

[发明专利]高速电压电平转换器-CN201780041498.8在审
发明人： V·纳拉亚南;R·瓦蒂科达;鲁德;R·维兰谷迪皮查;S·辛哈罗伊;陈锐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：在一个实施例中，电压电平转换器(810)包括第一p型金属氧化物半导体晶体管(835)，具有被配置为接收在第一功率域中的输入信号(D)的栅极，以及第二PMOS晶体管(840)，其中第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管串联耦合在第二功率域的电源电压(vddout)与节点(820)之间。该电压电平转换器还包括反相器(850)，该反相器具有耦合到节点的输入和耦合到第二PMOS晶体管的栅极的输出(Z)，以及第一n型金属氧化物半导体晶体管(830)，具有被配置为接收在第一功率域中的输入信号的栅极，其中第一NMOS晶体管被耦合在节点与地之间。
功率域电压电平转换器反相器耦合到电平转换器串联耦合电源电压高速电压耦合配置输出

[发明专利]耐磨高温合金-CN200780025710.8有效
发明人： M·K·索福特;S·辛哈罗伊;S·纳拉西姆汉;A·卡吉尼克;A·L·沃伊切兹英斯基;J·K·赖特 -专利权人：伊顿公司;坩埚材料公司
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种在高温下比基于镍的超级合金具有改进的耐磨性的基于Fe-Ni的合金。该合金对于制造发动机排气阀和其它经受腐蚀、磨损和氧化的高温发动机组件是特别有用的。
耐磨高温合金