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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有动态调平的同轴升降装置-CN201980057060.8有效
发明人： J·M·舒浩勒;J·C·伯拉尼克;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。
具有动态同轴升降装置

[发明专利]用于宽范围温度控制的加热器基座组件-CN201780057399.9有效
发明人： K·阿拉亚瓦里;A·巴拉克里希纳;S·巴录佳;A·K·班塞尔;M·J·布舍;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;S·T·斯里尼瓦桑;T·乌拉维;周建华 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
用于范围温度控制加热器基座组件

[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转-CN201780023993.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
化学沉积工艺期间动态晶片倾斜旋转

[发明专利]射频接地系统和方法-CN202180039961.1在审
发明人： G·付;T·A·恩古耶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开提供一种装置，包括腔室主体及盖，在其中界定容积。装置包括基板支撑件，布置于容积中与盖相对。基板支撑件包括支撑主体，布置于主干上；及接地板，布置于支撑主体与主干之间。顶部凸缘耦合至接地板的下部外周表面；且底部凸缘耦合至腔室主体的底部。底部凸缘及顶部凸缘以利用多个条带彼此耦合，条带的各者具有耦合至底部凸缘的第一端及耦合至顶部凸缘的第二端。
射频接地系统方法

[发明专利]用于沉积应用的高温面板-CN202180042781.9在审
发明人： A·K·班塞尔;S·拉斯;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于处理腔室的面板。在一个示例中，面板包括主体，主体具有穿过主体形成的多个孔。加热组件设置在主体内，并且加热组件环绕多个孔。支撑环设置在主体中。支撑环环绕加热组件。支撑环包括主要体和从主要体径向向内延伸的悬臂。悬臂接触面板的主体。
用于沉积应用高温面板

[发明专利]用于基板处理腔室的泵送设备与方法-CN201980082733.5有效
发明人： K·高希;D·伯拉尼克;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
用于处理设备方法

[发明专利]用于基板处理腔室的气体输入系统-CN201980057950.9有效
发明人： T·乌拉维;T·布里彻;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：基板处理系统包括处理腔室，所述处理腔室包括定位在所述处理腔室中的基板支撑件。所述基板处理系统包括阀系统，所述阀系统流体耦接到所述处理腔室，并且被配置成控制进入所述处理腔室中的气体的流量。所述阀系统包括主流动线路和第一气体源流动线路，所述第一气体源流动线路通过第一气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述阀系统包括第二气体源流动线路，所述第二气体源流动线路通过第二气体源阀流体耦接到所述主流动线路。所述第一气体源阀和所述第二气体源阀串联式定位在所述主流动线路内。
用于处理气体输入系统

[发明专利]具有多个流体输送区的喷淋头组件-CN201610875496.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹;S·巴录佳;S·H·金;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
具有流体输送喷淋组件

[发明专利]射频功率返回路径-CN202080069816.3在审
发明人： L·布恩卡特;D·伯拉尼克;T·A·恩古耶;A·K·班塞尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
射频功率返回路径

[发明专利]用于基板处理腔室的隔离器设备和方法-CN202080044237.3在审
发明人： N·帕塔克;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶;T·鲁比奥;B·N·拉马穆尔蒂;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开的方面总体上涉及用于基板处理腔室的隔离器装置、隔离器装置的组件以及与隔离器装置相关联的方法。在一种实施方式中，基板处理腔室包括设置在底座和泵送衬里之间的隔离器环。隔离器环包含第一表面，第一表面面向底座，第一表面设置在与底座的外周表面相距一间隙处。隔离器环包括第二表面与突出部，第二表面面向泵送衬里，突出部从隔离器环的第一表面朝向底座的外周表面突出。突出部限定底座与隔离器环之间的间隙的颈缩部分。
用于处理隔离器设备方法

[发明专利]具有弯曲表面的面板-CN202080040862.0在审
发明人： S·斯里瓦斯塔瓦;S·S·阿迪帕利;N·S·乔拉普尔;D·R·本杰明拉吉;A·K·班塞尔;J·C·罗查;G·E·奇可卡诺夫;韩新海;尾方正树;K·恩斯洛;王文佼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于基板处理腔室的面板包含第一表面和第二表面。第二表面成形为使得第二表面包括峰，并且在第一表面和第二表面之间的距离在面板的整个宽度上变化。面板的第二表面暴露于处理腔室的处理容积。此外，面板可以是处理腔室的盖组件的一部分。盖组件可包括面向面板的第一表面的挡板。在挡板和第一表面之间的距离是恒定的。
具有弯曲表面面板

[发明专利]用于改进底部净化气流均匀性的挡板实现-CN202080041335.1在审
发明人： N·帕塔克;K·沙阿;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶;J·C·罗查;D·伯拉尼克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
用于改进底部净化气流均匀挡板实现

[发明专利]在处理腔室内的等离子体致密化-CN202080037327.X在审
发明人： B·S·权;D·H·李;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;R·林杜尔派布恩;I·贾米尔;P·Y·卢;马骏;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种用于形成膜的系统和方法包含以下步骤：在处理腔室的处理容积中产生等离子体以在基板上形成膜。处理腔室可包含：气体分配器，气体分配器被配置成在处理容积中产生等离子体。再者，将阻挡气体提供至处理容积以在位于处理容积中的等离子体周围形成气幕。阻挡气体是由气体供应源经由沿着处理腔室的第一侧设置的入口端口来供应。此外，排气口是沿着处理腔室的第一侧来设置，且等离子体和阻挡气体是通过排气口被清除。
处理室内等离子体致密

[发明专利]半导体处理系统中的外部基板旋转-CN202110890839.7在审
发明人： T·A·恩古耶;A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的方法和设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配置成旋转基板。传送腔室配置成在处理腔室与传送腔室之间传送基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于在装置上处理基板的方法。
半导体处理系统中的外部旋转

[发明专利]处理基板的方法-CN201910514110.2有效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;R·萨卡拉克利施纳;R·金;D·R·杜鲍斯;K·H·弗劳德;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
处理方法

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