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[实用新型]一种工业刷生产用开槽装置-CN201921740299.9有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B26D1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业刷生产用开槽装置，包括加工平台、竖直支架、固定块、垫块和夹持块，支撑横梁内部右侧下方的安装板内部设置有横移电机，所述横移电机左端同轴固定安装有横移转动轴，横移转动轴中部外侧转动安装有转动块，转动块上方固定安装有滑动块，滑动块内圈滑动安装在支撑横梁外圈，所述电机支架内侧右端固定安装有切割电机，所述切割电机左端同轴安装有切割转轴,限位块中部固定安装有切割轮。本实用新型通过多组切割轮和限位块的设置，可以同时完成对于多组切槽的同时加工，通过对限位块之间的间距进行调整，可以对同时多槽加工时开槽间距的控制，适应现代市场的柔性生产需求，实用性强。
一种工业生产开槽装置

[实用新型]一种工业刷刷柄的切割装置-CN201921742644.2有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： B27C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业刷刷柄的切割装置，包括装置主体和密闭切割台，所述密闭切割台焊接在装置主体的上端外表面靠近后端位置，所述装置主体的上端外表面开设有板材放置槽。本实用新型所述的一种工业刷刷柄的切割装置，首先，能够阻挡废料外泄，能够将加工过程中产生的废料通过废料收集槽快速吸到废料箱中，无需人们手动清理，减小空气中的废料成分，减少废料对操作人员的伤害，并且，一次固定即可完成整个板材的切割，无需多次切割，减少了刷柄的切割工序，加快了工业刷刷柄的制作速度，最后，板材固定效果更好，板材加工过程中不会出现板材翘起的情况，切割精度更高，带来更好的使用前景。
一种工业刷刷切割装置

[发明专利]存储器及其制造方法-CN201811053701.6有效
发明人：刘冬华;高超;王哲献;刘宪周;李冰寒;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器，单元结构包括：第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第一源漏区和第二源漏区；第一和三栅极结构对称的设置在第二栅极结构的两侧；第二栅极结构的多晶硅字线栅由二层多晶硅层叠加形成，第一多晶硅层位于底部且第一多晶硅层和对应侧的浮栅之间的间隔的介质层以及第二多晶硅层和对应的浮栅之间间隔的介质层的厚度能独立调节，从而能分别实现源端热电子注入编程的效率和擦除效率的调节。本发明还公开了一种存储器的制造方法。本发明能提高存储位的源端热电子注入编程效率同时使存储位的擦除效率得到保持或提高，工艺成本较低。
存储器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810689887.8有效
发明人：孔蔚然;李冰寒;钱文生;于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区、第二区和第三区，第二区位于第一区和第三区之间；对半导体衬底进行第一离子掺杂，在半导体衬底内形成第一阱区，第一阱区内掺杂有第一离子；在半导体衬底上形成覆盖第三区表面的初始栅层；之后，对第二区和第三区的半导体衬底进行第二离子掺杂，将第二区内的第一阱区反型为第二阱区，将第三区内的第一阱区反型为第三阱区，第二阱区和第三阱区内掺杂有第二离子，第二离子与第一离子导电类型相反，第二阱区的离子浓度大于第三阱区的离子浓度；在第二阱区上形成第一栅极结构；刻蚀初始栅层，在第三阱区上形成第二栅极结构。所述方法减少了掩膜次数，降低了成本。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]高压隔离环及其制造方法-CN201711075631.X有效
发明人：房子荃;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压隔离环，高压隔离环的耐压为600V以上并用于实现耐压为600V以上的高压器件之间的隔离；高压隔离环设置在高压器件之间且位于第一局部场氧化层的底部，包括：第一P型埋层；形成于第一P型埋层顶部的第一P阱，形成于第一P阱的顶部的中间区域的第一N型掺杂区；第一N型掺杂区的宽度小于第一P阱的宽度；通过高压器件的N型外延层对高压隔离环的第一P阱的耗尽实现高压隔离环的耐压，第一N型掺杂区用于增强第一P阱的耗尽，提高高压隔离环的耐压。本发明还公开了一种高压隔离环的制造方法。本发明能提高高压隔离环的耐压能力。
高压隔离及其制造方法

[实用新型]一种拼装式鞋刷-CN201921750922.9有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： A46B11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拼装式鞋刷，包括鞋刷主体，所述鞋刷主体的底面嵌合有刷毛一，所述鞋刷主体的顶面嵌合有刷毛二，所述鞋刷主体的一端顶面固定连接有加长把，所述加长把的顶面固定连接有连杆，所述连杆远离加长把的一端固定连接有握把，所述加长把远离鞋刷主体的一端固定连接有导水管，所述导水管远离加长把的一端固定连接有水龙头接头，所述刷毛一的内侧固定连接有连接底座一，所述连接底座一的内部嵌合有透水板一，所述刷毛二的内侧固定连接有连接底座二，所述连接底座二的内部嵌合有透水板二。本实用新型刷鞋简单方便，省力，保证刷毛一和刷毛二在使用时可以渗出水冲洗污渍，大大提高了刷鞋的效率，使鞋的清洗更加干净。
一种拼装鞋刷

[实用新型]一种劳保用品生产用清洁装置-CN201921742590.X有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B08B3/14 文献下载
摘要：一种劳保用品生产用清洁装置，包括装置外壳，所述装置外壳的内腔设有清洗槽，所述装置外壳的一侧顶端位置开设有注水管，所述装置外壳远离注水管一侧的内部嵌合有抽水泵，所述装置外壳的内部中间位置镶嵌有四块夹板，四块所述夹板的内测嵌合有过滤网，所述装置外壳对应注水管一侧的底端位置开设有出水管，所述清洗槽的顶部嵌合有水塞。本实用新型所述的一种劳保用品生产用清洁装置，在清洗槽的中间位置安装过滤网，能对水源进行过滤，清洗结束后的水可以通过过滤网的水存储在清洗槽的底端，再次使用时可以通过抽水泵把水抽取到清洗槽的上端，清洗放置在清洗槽内的防护镜，方便对水资源进行重复利用，避免水资源的浪费，减少生产过程中的成本。
一种劳保用品生产清洁装置

[实用新型]一种工业刷打磨装置-CN201921740294.6有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工业刷打磨装置，包括支撑台、夹持组件、打磨组件和辊轴，所述支撑台的内侧设置有底座，所述支撑台的顶部设置有所述夹持组件，所述支撑台的顶部靠近所述夹持组件的后方设置有所述打磨组件，所述夹持组件上设置有所述辊轴，所述底座上设置有冷却组件，所述冷却组件包括水箱、水泵、箱体B和电动推杆；本实用新型中在对辊轴进行冷却时，用户控制电动推杆，使电动推杆顶升箱体B，此时箱体B卡合于辊轴的两端，然后控制水泵，将水箱内的冷却液导入到管体C内，由管体C将冷却液分散到多个喷头上，最后由喷头将冷却液喷洒到辊轴的外侧壁，使辊轴冷却，与此同时，控制电机A，使辊轴旋转，辊轴则全方位冷却。
一种工业打磨装置

[实用新型]一种折叠式民用刷-CN201921742609.0有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： A46B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种折叠式民用刷，包括转座、第一折叠壳和第二折叠壳，所述第一折叠壳和所述第二折叠壳的一侧均设有旋转块，所述旋转块的内部设有转轴，所述转轴贯穿于所述旋转块的外侧中心位置处，所述第一折叠壳和所述第二折叠壳均通过所述旋转块和所述转轴与所述转座转动连接，所述第一折叠壳和所述第二折叠壳的外侧壁均设有固定部；固定部对卡接在第一折叠壳或第二折叠壳上的毛刷座进行固定，使用者可以根据具体需要，选择将毛刷座固定在第一折叠壳或第二折叠壳上，使毛刷座上短毛刷体的一面或长毛刷体的一面暴露在外进行使用，从而提升刷体的使用范围，避免灰尘沾染毛刷。本实用新型适用于民用刷。
一种折叠式民用

[实用新型]一种用于清洗的工业刷-CN201921743034.4有效
发明人： 钱文生 -专利权人：安徽省潜山县中扬制刷有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： A46B9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于清洗的工业刷，包括支撑架和转轴，所述支撑架外侧中心对称设置有快换装置，所述快换装置内部滑动安装有毛刷组件，所述安装支架固定安装在支撑架外侧，所述安装支架中部设置有凹槽，所述滑轨内侧滑动安装有工业刷安装板，通过限位螺栓将工业刷固定板锁紧在的内部，所述工业刷固定板内部上方设置有低刷毛和高刷毛。本实用新型通过限位螺栓对工业刷固定板以及上方的低刷毛和高刷毛进行安装和更换，可以在生产线外进行更换；需要更换快换装置整体时，松开压块螺栓将固定压块转动到压块滑动槽内，快速的完成对毛刷组件整体的切换，极大地提升了清洗刷的切换效率，具有很强的实用性。
一种用于清洗工业

[发明专利]用于高压BCD平台互补金属氧化物半导体的制作方法-CN202010134133.3在审
发明人：金锋;蔡莹;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种用于高压BCD平台的互补金属氧化物半导体的制作方法。包括：形成半导体器件的栅极结构；对半导体器件进行不需要光罩的N型LDD普注掺杂，在NMOS管区的有源区中形成NLDD区，在PMOS管区的有源区中形成袋状区；在所述栅极结构的两侧形成侧墙；对所述NMOS管区的源漏极进行N+型掺杂，在所述NMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极；对所述PMOS管区的源极图案和漏极图案进行斜角P型LDD掺杂，扩散后在所述袋状区中形成PLDD区；对所述PMOS管区进行P+型掺杂，在所述PMOS管区的有源区中分别形成源极和漏极。本发明能够在节省两块LDD版的前提下，保证NMOS管高电流和HCI可靠性要求，同时PMOS的性能也不受影响。
用于高压 bcd 平台互补金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]CMOS集成器件的制作方法-CN202010321489.8在审
发明人： 钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路制作方法技术领域，具体涉及一种CMOS集成器件的制作方法。包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆光刻胶；打开所述核心PMOS管所在区域和所述第一电压输入输出NMOS管所在区域上的光刻胶，分别形成第一注入窗口和第二注入窗口；向所述第一注入窗口和所述第二注入窗口中进行第一LDD离子注入和第一袋状离子注入；在所述核心PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第一超浅结和第一袋状结构，在所述第一电压输入输出NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第二超浅结后，去除所述半导体器件表面的光刻胶。本申请能够使得在制作集成I/O MOS器件和核心MOS器件的CMOS时，即不增加光刻过程，又能保证各器件的性能。
cmos 集成器件制作方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201810163584.2有效
发明人：房子荃;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，漂移区场氧的主体部分由第一氧化层沉积后进行光刻和刻蚀形成；漂移区场氧的侧面具有缓变结构，缓变结构通过第二氧化层沉积后进行全面的各向异性刻蚀确定，第二氧化层沉积后会覆盖在主体结构的表面以及主体结构外的第一外延层表面并在主体结构的侧面上方形成缓变侧面，对第二氧化层进行全面的各向异性刻蚀后将主体结构的侧面上方形成的缓变侧面下沉后形成缓变结构，漂移区场氧通过缓变结构和栅介质层相接触并降低漂移区场氧和栅介质层接触位置处的电场强度。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压，降低器件的导通电阻。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件-CN201911373468.4在审
发明人：任小兵;熊伟;陈华伦;钱文生;胡君 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及NMOS器件的制作方法及以其制作的半导体器件，涉及半导体集成电路制造工艺，在NMOS器件的制作过程中，通过在多晶硅沉积之后，在多晶硅层顶部形成一层锗非晶层，可减小N型轻掺杂源漏注入工艺对多晶硅层的注入深度，因此可提高N型轻掺杂源漏注入工艺的能量到达到有效改善HCI效应的目的的范围内，而有效改善HCI效应，提高NMOS器件的性能，且其仅需要在对NMOS器件的栅极结构图形区域内的多晶硅层进行磷离子注入工艺之后，增加一道Ge注入即可，除此不增加任何步骤，且其与磷离子注入工艺共用一块掩膜版，生产成本增加极少。
nmos 器件制作方法以其制作半导体器件

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN201911307976.2在审
发明人：熊伟;陈华伦;钱文生;胡君 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，该衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；在衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；在衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；根据多晶硅层制备得到至少一个栅极；在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子；在栅极的周侧生长隔离侧壁；分别在N型有源区和P型有源区进行SD离子注入后，进行退火处理。本申请通过在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入时注入的离子为砷离子和磷离子，从而制备得到的半导体器件具有较小的衬底电流，进而提高了半导体器件的HCI可靠性。
半导体器件制备方法