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[发明专利]包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件-CN202010076710.8在审
发明人： 郑在佑;马赫什·G·萨曼特;斯图尔特·S·P·帕金;雅里·费兰特 -专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3‑xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比。器件还包括在(001)方向上取向并且呈YMn1+d形式的基底，其中Y包括选自于由Ir和Pt组成的组中的元素，并且0≤d≤4。四方哈斯勒化合物和基底彼此接近，从而使自旋极化电流从四方哈斯勒化合物和基底中的一个穿过四方哈斯勒化合物和基底中的另一个。一方面，器件还包括在室温下是非磁性的多层结构。该结构包括Co和E的交替层。E包括包含Al的至少一个其它元素。该结构的组成由Co1‑yEy表示，并且y在0.45至0.55的范围内。
包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物器件

[发明专利]用于具有体积单轴磁结晶各向异性的磁性层的自旋转移力矩切换的装置和方法-CN201910318506.X在审
发明人： 郑在佑;马赫什·G·萨曼塔;斯图亚特·S·P·帕金;亚里·费兰特 -专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种装置。该装置包括：具有体积单轴磁结晶各向异性的第一磁性层，其中第一磁性层的磁矩垂直于第一磁性层；和邻近第一磁性层的隧道势垒，其中第一磁性层的磁矩的取向通过由在第一磁性层和隧道势垒之间流动并且流过第一磁性层和隧道势垒的电流引起的自旋转移力矩来反转。
用于具有体积单轴磁结晶各向异性磁性自旋转移力矩切换装置方法

[发明专利]退火装置-CN201910732929.6在审
发明人：苏炳洙;高仁哲;白种埈;郑在佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及退火装置。退火装置包括：被配置为容纳基板的主体；被配置为产生要被传输到主体的微波的微波产生单元；被配置为将微波从微波产生单元传输到主体的入射单元；以及布置在入射单元与主体之间的衍射单元。衍射单元被配置为在微波被传输到主体之前使微波穿过衍射单元。
退火装置

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201710351707.0有效
发明人：金佑填;金起园;S.P.S.帕金;M.G.萨曼特;郑在佑 -专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：示例实施方式涉及磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括磁隧道结层，该磁隧道结层包括第一磁性层、第二磁性层和在第一磁性层及第二磁性层之间的第一隧道阻挡层。第一磁性层与第一隧道阻挡层直接接触。第一磁性层包括钴‑铁‑铍(CoFeBe)。第一磁性层中的CoFeBe的铍含量在大约2at％至大约15at％的范围。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]包括赫斯勒化合物的磁性器件和提供磁性器件的方法-CN201910096762.9在审
发明人： 郑在佑;M.G.萨曼特;S.S.P.帕金;Y.费兰特 -专利权人：国际商业机器公司;三星电子株式会社
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：描述了一种磁性器件和提供磁性器件的方法。该磁性器件包括基板、覆盖基板的Mn_xN层、在室温下为非磁性的多层结构、以及第一磁性层。Mn_xN层具有2≤x≤4.75。该多层结构包括Co和E的交替的层，其中E包括包含Al的至少一种其它元素。该多层结构的组成由Co_1‑xE_x表示，x在从0.45到0.55的范围内。第一磁性层包括赫斯勒化合物。第一磁性层与该多层结构接触，并且第一磁性层形成磁隧道结的部分。
磁性器件多层结构磁性层磁隧道结方法描述覆盖基板非磁性交替的基板

[发明专利]一种无信号区泊车地图的建立方法、装置及终端-CN201910562285.0在审
发明人：朴洪成;郑在佑;牛旭周;田鑫 -专利权人：浙江吉利控股集团有限公司;浙江吉利汽车研究院有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G06F16/29 文献下载
摘要：本发明涉及车辆导航领域，提出了一种无信号区泊车地图的建立方法、装置及终端，所述方法包括：获取定位信息，所述定位信息为车辆进入无信号区域时的定位信息；采集周边环境信息；根据所述定位信息，查询与所述定位信息匹配的第一地图，所述第一地图为已存储的地图；若查询结果为空，则根据周边环境信息进行自动泊车；根据所述周边环境信息，建立第二地图，并通过定位信息标记第二地图；根据所述第二地图的定位信息，判断是否存在定位信息在同一区域范围内的第三地图；若否，则存储所述第二地图。所述方法能够对地图进行更新和扩充，完善地图信息，更符合客户的个性化需求，并且通过后期的云端处理能达到更新迭代地图的效果。
定位信息周边环境信息信号区泊车存储终端个性化需求无信号区域查询结果车辆导航地图信息同一区域自动泊车迭代更新云端匹配采集查询客户

[发明专利]磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法-CN201811247710.9在审
发明人： 郑在佑;S.S.P.帕金;M.G.萨曼特 -专利权人：国际商业机器公司;三星电子株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了磁性堆叠结构、磁性存储器件及操作磁性存储器件的方法，并公开了在MRAM元件的形成中用作籽晶层的材料。具体地，取向在(001)方向上的MnN层在衬底上生长。覆盖并接触MnN层的磁性层形成部分磁隧道结，其中该磁性层包括含Mn的哈斯勒化合物。磁隧道结包括该磁性层、覆盖该磁性层的隧道势垒、以及覆盖该隧道势垒的第一(磁性)电极。第二电极接触MnN层。
磁性存储器件磁性层磁性堆叠结构磁隧道结隧道势垒覆盖第二电极籽晶层电极衬底取向生长

[发明专利]用于霍斯勒化合物的织构化膜的底层-CN201610048540.6有效
发明人： 郑在佑;S.S.P.帕金;M.G.萨曼特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种结构体，包括Mn1+cX形式的四方霍斯勒，其中X包括选自Ge和Ga的元素，以及0≤c≤3。所述四方霍斯勒直接在沿(001)方向取向的且以YMn1+d形式的基底上(或更通常地，在基底上面)生长，其中Y包括选自Ir和Pt的元素，以及0≤d≤4。所述四方霍斯勒和所述基底彼此邻近，从而容许自旋极化电流从一个穿过另一个。所述结构体可形成磁性隧道结磁阻器件的部件，且这样的磁阻器件的阵列可共同形成MRAM。
用于霍斯勒化合物织构化膜底层

[发明专利]一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法-CN201310136179.9有效
发明人：金奎佈;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永;韩胜然;郑钟铉;金仁培;金善一;朴弘植;郑在佑 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
一种金属布线蚀刻利用形成方法

[发明专利]具有目光对准机制的电子系统及其操作方法-CN201580074812.3在审
发明人：迈克尔·A·克鲁格;亨利·霍尔茨曼;迈克尔·拉平斯凯;安尼特·弗里因沃恩卡普里;郑在佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种电子系统，包括反射膜，反射膜包括衍射光栅，该反射膜配置成以反射角来反射反射光栅光谱内的图像；以及图像拍摄单元，图像拍摄单元以装置取向放置，以拍摄从反射膜反射的图像。
具有目光对准机制电子系统及其操作方法

[发明专利]薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法-CN201210054770.5有效
发明人：洪英基;郑在佑;李丞镐;金重赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了薄膜晶体管(TFT)及制造该薄膜晶体管的方法。TFT包括厚度均匀的线形栅极。栅极的横截面在侧表面和顶表面相遇的地方是弯曲的。该栅极包括一条或两条或者更多条栅极线。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]打印设备-CN201210328746.6有效
发明人：洪英基;姜城圭;郑在佑;李丞镐;金重赫;陈勇完 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本申请提供一种打印设备，该打印设备包括：流动通道板，包括压力腔、喷嘴和沟槽，该喷嘴包括出口，压力腔中容纳的墨通过该出口喷出，沟槽设置在喷嘴周围并且该出口延伸到沟槽中；压电致动器，用于提供压力改变以用于喷出压力腔中容纳的墨；以及静电致动器，用于向喷嘴中容纳的墨提供静电驱动力。
打印设备

[实用新型]转子-CN201520376008.8有效
发明人： 郑在佑 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H02K1/27 文献下载
摘要：本实用新型的转子的特征在于，包括：轴；包括形成辐射状的多个狭槽部和所述狭槽部之间形成的磁铁收容部，封闭所述磁铁收容部内径部和外径部的桥形成与否分别不同地组成，且将结合于所述轴的多个转子铁芯层压形成的转子铁芯组件；插进各所述磁铁收容部的磁铁；以及贯通各所述转子铁芯而连接各所述转子铁芯的连结部件。
转子

[实用新型]降噪型电磁阀-CN201520176200.2有效
发明人： 郑在佑 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： F16K31/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了降噪型电磁阀。所述降噪型电磁阀包括：向直线方向移动的柱塞；能够包住所述柱塞的形状的线轴；向所述线轴的外侧凸出并沿着所述线轴的长度方向形成多个空间区分部的隔板部；以及隔着所述隔板部在所述空间区分部的内侧分别卷绕的线圈部。本实用新型提供的降噪型电磁阀，其中线圈部的绕组线被隔板部划分为多个区，在各空间区分部减少线圈部的电位差而降低电磁噪声。另外，本实用新型提供的降噪型电磁阀与传统技术相比，不需要加装配件而节省生产成本。
降噪型电磁阀

[发明专利]用于移动装置的屏蔽系统和装配该屏蔽系统的方法-CN201210543944.4无效
发明人：金正雄;郑在佑;金建卓;韩贤珠;张世映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：提供了一种用于移动装置的屏蔽系统和一种用来装配该屏蔽系统的方法。屏蔽系统包括：印刷电路板(PCB)，具有第一面积和厚度；屏蔽罩，与PCB的正面分隔开特定的距离并且位于PCB的正面上方，用来包围PCB上的组件。屏蔽罩的部分结合到PCB的侧面和背面中的至少一个面。
用于移动装置屏蔽系统装配方法