[发明专利]包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件

摘要

公开了一种包括可调四方亚铁磁性哈斯勒化合物的器件。器件包括呈Mn3‑xCoxGe形式的哈斯勒化合物，其中，0x≤1，其中Co占哈斯勒化合物的至少0.4原子百分比。器件还包括在(001)方向上取向并且呈YMn1+d形式的基底，其中Y包括选自于由Ir和Pt组成的组中的元素，并且0≤d≤4。四方哈斯勒化合物和基底彼此接近，从而使自旋极化电流从四方哈斯勒化合物和基底中的一个穿过四方哈斯勒化合物和基底中的另一个。一方面，器件还包括在室温下是非磁性的多层结构。该结构包括Co和E的交替层。E包括包含Al的至少一个其它元素。该结构的组成由Co1‑yEy表示，并且y在0.45至0.55的范围内。