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[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201810026111.8有效
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10％并且低于按重量计约35％。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40％至按重量计约60％之间的磷酸、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸、按重量计约3％至按重量计约15％之间的乙酸、按重量计约0.01％至按重量计约0.1％之间的铜离子化合物、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸盐、按重量计约1％至按重量计约10％之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法-CN202110309236.3在审
发明人：徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
金属蚀刻组合利用线形成方

[发明专利]蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法-CN201410497650.1有效
发明人：金俸均;朴弘植;尹升好;金善一;金相佑;李大雨;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
蚀刻组合利用薄膜晶体管形成方法

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其形成金属布线和薄膜晶体管基底的方法-CN201480052773.2有效
发明人：金仁培;郑锺铉;文英慜;朴弘植;金奎佈;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永;韩胜然 -专利权人：三星显示有限公司;东进世美肯科技有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的蚀刻剂组合物包括：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5wt％至20wt％的过硫酸盐、0.01wt％至1wt％的氟化合物、1wt％至大约10wt％的无机酸、0.01wt％至2wt％的吡咯类化合物、0.1wt％至5wt％的氯化合物、0.05wt％至3wt％的铜盐、0.01wt％至5wt％的抗氧化剂或其盐以及水以使蚀刻剂组合物的总重量到100wt％。所述蚀刻剂组合物可以用于通过蚀刻包括铜的金属膜来形成金属布线或制造薄膜晶体管基底。
蚀刻组合使用形成金属布线薄膜晶体管基底方法

[发明专利]一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法-CN201310136179.9有效
发明人：金奎佈;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永;韩胜然;郑钟铉;金仁培;金善一;朴弘植;郑在佑 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
一种金属布线蚀刻利用形成方法

[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法-CN201410543417.2在审
发明人：徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
金属蚀刻组合利用线形成方

[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201310260941.4在审
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法-CN201310319674.3在审
发明人：金俸均;朴弘植;李旺宇;文英慜;尹升好;崔永株;金相佑;李骐范;李大雨;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
蚀刻组合使用制造薄膜晶体管方法

[发明专利]用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法-CN201180014543.3有效
发明人：徐南锡;洪瑄英;郑钟铉;金俸均;朴弘植;宋溱镐;李旺宇;金图元;金相佑;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;东进世美肯株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
用于金属线蚀刻使用制造方法

[发明专利]金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法-CN201110120139.6无效
发明人：郑钟铉;洪瑄英;徐南锡;朴弘植;宋溱镐;金俸均;李旺宇;李骐范;曹三永;金图元;金相佑;申贤哲;徐源国 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。
金属布线蚀刻以及利用形成方法

[发明专利]蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法-CN201010183534.4有效
发明人：金俸均;郑钟铉;李炳珍;洪瑄英;朴弘植;金时烈;李骐范;曹三永;金相佑;申贤哲;徐源国 -专利权人：三星电子株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
蚀刻使用制造阵列方法

[发明专利]用于图案化薄膜晶体管—液晶装置中的电路的蚀刻剂组合物-CN200810186959.3有效
发明人：金南绪;姜东浒;李骐范;曹三永 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管-液晶装置(TFT-LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT-LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。
用于图案薄膜晶体管液晶装置中的电路蚀刻组合

[发明专利]透明导电膜蚀刻组合物-CN200610146763.2无效
发明人：李骐范;曹三永;申贤哲;河泰成 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电膜蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于在制造薄膜晶体管液晶显示装置等时对透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，而不会对构成TFT的栅极配线材料即Mo/Al－Nd双重膜和作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜造成影响，所形成的透明导电膜的轮廓优异，蚀刻速度快，具有节约LCD制造成本和提高工序收率的效果。本发明的透明导电膜蚀刻组合物的特征在于，其含有：0.1重量％～5重量％的a)能够在水溶液中解离出Cl^－的含氯化合物；0.1重量％～5重量％的b)能够在水溶液中解离出NO₃^－的化合物；以及c)余量的水。
透明导电蚀刻组合

[发明专利]蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法-CN200510114837.X有效
发明人：金钟一;李坰默;宋桂燦;曹三永;申贤哲;金南绪;李骐范 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
蚀刻金属组合以及使用形成图案方法

[发明专利]光刻胶剥离剂组合物-CN03821966.2有效
发明人：金玮溶;尹锡一;曹三永;朴顺姬;全雨植 -专利权人：东进瑟弥侃株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，特别涉及包括(a)20～60wt％水溶性有机溶剂，(b)10～45wt％水，(c)5～15wt％烷基胺或醇胺，(d)0.1～10wt％乙酸，(e)0.01～5wt％肟化合物，(f)1～10wt％含有两个或三个羟基的有机酚化合物和(g)0.5～5wt％三唑化合物的光刻胶剥离剂组合物。本发明的光刻胶剥离剂组合物可容易和快速地在短时间内除去在硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入工艺中硬化的抗蚀剂膜，和在该工艺中，被从底层金属膜蚀刻的金属副产物改性的抗蚀剂膜。此外，在抗蚀剂去除工艺中，该组合物可最小化对底层金属布线的腐蚀。所以它可以非常有效地用于半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路的制造工艺中。
光刻剥离组合

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