专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果209507个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种用于STT-MRAM的磁性隧道结-CN201510862052.4有效
  • 李辉辉;左正笏;徐庶;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 - 中电海康集团有限公司
  • 2015-12-01 - 2018-07-20 - H01L43/08
  • 本发明涉及磁电阻随机存储器,尤其涉及一种用于自旋转移扭矩磁电阻随机存储器的含有高阻尼系数亚铁磁固定层的磁性隧道结,包括:铁磁性的自由层、势垒层、含有亚铁磁性的固定层,势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间,含有亚铁磁性的固定层的角动量补偿温度与STT‑MRAM的工作温度匹配,所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。本发明的有益效果在于:将亚铁磁材料用于STT‑MRAM中MTJ的固定层,从而增加固定层的阻尼系数,降低STT写电流对固定层的扰动,提高STT‑MRAM的可靠性。
  • 一种用于sttmram磁性隧道
  • [发明专利]一种用于MRAM的磁性存储器件-CN201510867892.X有效
  • 左正笏;徐庶;李辉辉;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 - 中电海康集团有限公司
  • 2015-12-01 - 2018-07-20 - H01L43/08
  • 本发明涉及磁电阻随机存储器(MRAM),尤其涉及一种利用亚铁磁材料构成固定层以减小自由层和固定层之间耦合磁场分布的磁电阻随机存储器件,包括:铁磁性的自由层、隔离层、含有亚铁磁性的固定层,隔离层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间,含有亚铁磁性的固定层的磁性补偿温度与MRAM的工作温度匹配,所述磁性补偿温度下含有亚铁磁性的固定层的磁矩接近为零。本发明的有益效果在于:利用亚铁磁材料作为固定层,其产生的作用于自由层的耦合磁场与固定层的尺寸几乎无关,因此可以有效地减小磁性存储器件阵列中耦合磁场的分布。
  • 一种用于mram磁性存储器件
  • [发明专利]亚铁磁性半金属NaCu3Fe2Os2O12及其制备方法-CN201710252338.X有效
  • 龙有文;王潇;殷云宇 - 中国科学院物理研究所
  • 2017-04-18 - 2019-07-30 - C01G55/00
  • 本发明公开了一种亚铁磁性半金属,其化学式为NaCu3Fe2Os2O12,其空间群为Pn‑3,晶格常数为居里温度为380K,是一种高温亚铁磁性半金属。本发明还公开了一种制备所述亚铁磁性半金属的方法,包括:(1)将NaOH、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合,得到混合物;(2)将混合物填充到金或铂金胶囊中,密封;(3)将金或铂金胶囊置于6~10GPa的压力以及1000~1200℃的温度下进行处理;和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温,卸压,然后从金或铂金胶囊中取出,研磨并清洗,从而得到亚铁磁性半金属本发明的亚铁磁性半金属NaCu3Fe2Os2O12具有高的居里温度,在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
  • 亚铁磁性金属nacu3fe2os2o12及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top