“李骐范”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201810026111.8有效
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10％并且低于按重量计约35％。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40％至按重量计约60％之间的磷酸、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸、按重量计约3％至按重量计约15％之间的乙酸、按重量计约0.01％至按重量计约0.1％之间的铜离子化合物、按重量计约1％至按重量计约10％之间的硝酸盐、按重量计约1％至按重量计约10％之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法-CN202110309236.3在审
发明人：徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
金属蚀刻组合利用线形成方

[发明专利]蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法-CN201410497650.1有效
发明人：金俸均;朴弘植;尹升好;金善一;金相佑;李大雨;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
蚀刻组合利用薄膜晶体管形成方法

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其形成金属布线和薄膜晶体管基底的方法-CN201480052773.2有效
发明人：金仁培;郑锺铉;文英慜;朴弘植;金奎佈;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永;韩胜然 -专利权人：三星显示有限公司;东进世美肯科技有限公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的蚀刻剂组合物包括：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5wt％至20wt％的过硫酸盐、0.01wt％至1wt％的氟化合物、1wt％至大约10wt％的无机酸、0.01wt％至2wt％的吡咯类化合物、0.1wt％至5wt％的氯化合物、0.05wt％至3wt％的铜盐、0.01wt％至5wt％的抗氧化剂或其盐以及水以使蚀刻剂组合物的总重量到100wt％。所述蚀刻剂组合物可以用于通过蚀刻包括铜的金属膜来形成金属布线或制造薄膜晶体管基底。
蚀刻组合使用形成金属布线薄膜晶体管基底方法

[发明专利]一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法-CN201310136179.9有效
发明人：金奎佈;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永;韩胜然;郑钟铉;金仁培;金善一;朴弘植;郑在佑 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
一种金属布线蚀刻利用形成方法

[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法-CN201410543417.2在审
发明人：徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。
金属蚀刻组合利用线形成方

[发明专利]一种图案化的金属导线和基板的组合-CN201310260941.4在审
发明人：朴弘植;李旺宇;金俸均;郑钟铉;林永祐;金奎布;徐源国;申贤哲;韩筵昊;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐，和余量的水。
一种图案金属导线组合

[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法-CN201310319674.3在审
发明人：金俸均;朴弘植;李旺宇;文英慜;尹升好;崔永株;金相佑;李骐范;李大雨;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
蚀刻组合使用制造薄膜晶体管方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物-CN201310110330.1无效
发明人： 李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

[发明专利]用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法-CN201180014543.3有效
发明人：徐南锡;洪瑄英;郑钟铉;金俸均;朴弘植;宋溱镐;李旺宇;金图元;金相佑;徐源国;申贤哲;李骐范;曹三永 -专利权人：三星显示有限公司;东进世美肯株式会社
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
用于金属线蚀刻使用制造方法

[发明专利]金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法-CN201110120139.6无效
发明人：郑钟铉;洪瑄英;徐南锡;朴弘植;宋溱镐;金俸均;李旺宇;李骐范;曹三永;金图元;金相佑;申贤哲;徐源国 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2011-05-06 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。
金属布线蚀刻以及利用形成方法

[发明专利]蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法-CN201010183534.4有效
发明人：金俸均;郑钟铉;李炳珍;洪瑄英;朴弘植;金时烈;李骐范;曹三永;金相佑;申贤哲;徐源国 -专利权人：三星电子株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
蚀刻使用制造阵列方法

[发明专利]适用于辊印法的有机绝缘膜形成用油墨组合物-CN201010107702.1在审
发明人：金炳厚;申承协;宋晙溶;李骐范;李命洙 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C09D11/10 文献下载
摘要：本发明涉及适用于辊印法的有机绝缘膜形成用油墨组合物，提供一种油墨组合物，其在利用辊印法形成电子元件的有机绝缘膜的时候能够改善透光率、耐药品性、高温高压下不引起变形的收缩率、与多种基板的粘结力等特性，适用于热固化或者光固化，通过增进薄膜的精密度来使收率改善和提高工序的效率。根据本发明的适用于辊印法的有机绝缘膜形成用油墨组合物，包含a)丙烯酸系共聚合树脂1～10重量份；b)丙烯酸类单体5～55重量份；c)具有2个以上的双键的交联性单体0.9999～40重量份；和d)有机溶剂5～93重量份。
适用于辊印法有机绝缘形成油墨组合

[发明专利]用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法-CN200910003907.2无效
发明人：金南绪;姜东浒;曺三永;李骐范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法。该组合物在制备用ITO层的TFT-LCD电子元件和显示设备中用于蚀刻铟锡氧化物(ITO)透明导电层，基于该组合物总重含硫酸4～10wt％、硝酸2.5～6.0wt％、蚀刻控制剂0.5～5wt％和余量水，其对ITO透明导电层有优异的蚀刻性能，在蚀刻工序中减少对光敏材料如光致抗蚀剂的化学侵蚀，且不留下残留物或沉淀物。在该组合物中，草酸在0℃以下不结晶，但在常规的基于草酸的蚀刻剂组合物中发生草酸结晶，且在较低的金属层上不发生副作用，但基于盐酸的蚀刻剂组合物发生副作用。因而，可显著提高制造用ITO层的TFT-LCD电子元件和显示设备的产率，且其含不贵且高度稳定的组分如硫酸，经过一段时间后组成保持相对稳定，能降低制造成本。
用于蚀刻氧化物组合方法

[发明专利]用于图案化薄膜晶体管—液晶装置中的电路的蚀刻剂组合物-CN200810186959.3有效
发明人：金南绪;姜东浒;李骐范;曹三永 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管-液晶装置(TFT-LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT-LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。
用于图案薄膜晶体管液晶装置中的电路蚀刻组合

1
2
下一页»
尾页
共 28 条