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[发明专利]半导体装置用软钎焊材料-CN202011222092.X有效
发明人：渡边裕彦;斋藤俊介;西村芳孝;百濑文彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
半导体装置钎焊材料

[发明专利]半导体模块以及半导体模块的制造方法-CN201710057386.3有效
发明人：两角朗;乡原广道;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供与冷却部一体化而成的半导体模块。提供半导体模块，其具备：被冷却装置、安装有被冷却装置且具有供用于冷却被冷却装置的制冷剂流动的流路的第1冷却部、固定有第1冷却部且具有与第1冷却部的流路连结的流路的第2冷却部。另外，提供半导体模块的制造方法，其包括将被冷却装置安装到具有供用于冷却被冷却装置的制冷剂流动的流路的第1冷却部的阶段、将第1冷却部固定到具有与第1冷却部的流路连结的流路的第2冷却部。
半导体模块以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610601007.8有效
发明人：斋藤隆;百濑文彦;西村芳孝;望月英司 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中，在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷，凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件，在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时，优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm～6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170)，则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。
半导体装置

[发明专利]半导体装置用软钎焊材料-CN201680013332.0有效
发明人：渡边裕彦;斋藤俊介;西村芳孝;百濑文彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
半导体装置钎焊材料

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201910529230.X在审
发明人：齐藤隆;百瀬文彦;木户和优;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，本发明的半导体装置为通过键合线(7)将半导体芯片(1)和电路图案(4)电连接的模块结构的半导体装置，在半导体芯片(1)的正面电极的表面形成有正面金属膜，在该正面金属膜通过引线键合而接合有键合线(7)。就半导体芯片(1)而言，在Si基板或SiC基板的正面具有正面电极，在背面具有背面电极。正面金属膜为厚度在例如3μm以上且7μm以下的Ni膜或Ni合金膜。键合线(7)为通过将引线键合前的结晶粒度控制在例如1μm以上且20μm以下的范围内，从而提高了再结晶温度且使强度得到了提高的Al线。由此，能够提供实现了大电流导通和高温动作的高可靠性的半导体装置。
半导体装置半导体芯片键合线金属膜引线键合正面电极背面电极表面形成电路图案高可靠性高温动作结晶粒度模块结构接合大电流电连接再结晶导通制造背面

[发明专利]引线接合装置以及引线接合方法-CN201510101427.5有效
发明人：百濑文彦;齐藤隆;木户和优;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种能够将直径500μm以上且600μm以下的引线引线接合到半导体元件上的电极的引线接合装置以及引线接合方法。在本发明的引线接合装置、即通过引线接合来对电极与铝合金制的引线进行电连接的引线接合装置(100)中，具备：引线提供装置(10)，其用于提供直径500μm以上且600μm以下的引线(6)；加热装置(11)，其用于将引线(6)加热到50℃以上且100℃以下；加压装置(12)，其用于在电极(2、7)处对引线(6)进行加压；以及超声波产生装置(13)，其用于对由加压装置(12)加压后的引线(6)施加超声波振动。
引线接合装置以及方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201580002155.1有效
发明人：斋藤隆;加藤辽一;西村芳孝;百濑文彦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480012154.0有效
发明人：百濑文彦;齐藤隆;木户和优;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。
半导体装置制造方法

[发明专利]功率半导体模块-CN201580008212.7有效
发明人：崛元人;高桥良和;望月英司;西村芳孝;池田良成 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率半导体模块具备冷却器、在冷却器上并列固定的多个功率半导体单元、以及将功率半导体单元电连接的母线单元。功率半导体单元具备依次层叠了电路板、绝缘板以及金属板而成的层叠基板；固定于电路板的半导体元件；具有印刷电路基板和多个导电柱的布线部件；与电路板电连接且机械连接的外部端子；以及绝缘性的密封材料。母线单元具备将各功率半导体单元的外部端子相互连接的多个母线。
功率半导体模块

[发明专利]电力用半导体模块-CN201480013718.2有效
发明人：山田教文;乡原广道;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：提供即使接合于绝缘配线基板的下侧的散热基板比以往薄，也能够缓和将绝缘配线基板和散热基板进行接合的焊料层所产生的应力集中，在焊料层中也不易发生裂纹的电力用半导体模块。一种电力半导体模块，具备：绝缘布线基板(1)；搭载于该绝缘布线基板(1)的一个主表面上的半导体元件(4)；接合于该绝缘布线基板(1)的另一个主表面的散热基板(10a)；一端固定于该散热基板(10a)的另一个主表面且另一端为自由端的多个翅片(10b)；用于收容该多个翅片(10b)且供冷却液在该翅片(10b)间流动的水套(11)，上述多个翅片的至少一部分的另一端接合于上述水套(11)而形成加强翅片。 1
散热基板接合翅片绝缘布线基板主表面半导体模块配线基板焊料层水套绝缘电力半导体模块半导体元件加强翅片应力集中冷却液收容缓和流动自由

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480019763.9有效
发明人：木户和优;齐藤隆;福田恭平;多田慎司;百濑文彦;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体模块及电驱动车辆-CN201480033775.7在审
发明人：乡原广道;新井伸英;安达新一郎;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明提供一种冷却能力得到了提高的半导体模块及使用它的电驱动车辆。半导体模块具备：第一半导体元件(1a)；第二半导体元件(1b)；第一散热片(2a)，其电连接且热连接到第一半导体元件(1a)的下表面；第二散热片(2b)，其电连接且热连接到第二半导体元件(1b)的下表面；DCB基板(4)，其在陶瓷绝缘基板(4a1)的上表面具备第一金属箔(4a2)，在下表面具备第二金属箔(4a3)，第一金属箔(4a2)电接合且热接合到第一散热片(2a)的下表面和第二散热片(2b)的下表面；以及冷却器(5)，其热连接到DCB基板(4)的第二金属箔(4a3)；在冷却器的制冷剂的流动方向的上游侧配置上述第一半导体元件(1a)，在下游侧配置上述第二半导体元件(1b)，使第二散热片(2b)的面积比第一散热片(2a)的面积大。
半导体模块驱动车辆

[发明专利]功率半导体器件的制造方法-CN201210441513.7有效
发明人：百瀬文彦;西村芳孝 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供能够实现高温环境下绝缘耐压和可靠性的提高的功率半导体器件的制造方法。通过组合氧等离子体表面处理工序（工序5）和硅胶注入前的预备加热工序（工序6），能够提高硅胶（9）（保护材料）与带导电图案的绝缘基板（1）及半导体芯片（2）的密合性，实现高温环境下功率半导体器件的绝缘耐压和可靠性的提高。
功率半导体器件制造方法

[发明专利]钎焊接合方法和使用该方法的半导体装置的制造方法-CN200810082231.6有效
发明人：大西一永;西村芳孝;西泽龙男;望月英司 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。
钎焊接合方法使用半导体装置制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610005457.7有效
发明人： 西村芳孝;两角朗;大西一永;望月英司;高桥良和 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。
半导体器件及其制造方法

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