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- [发明专利]半导体模块-CN201610926034.2有效
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堀元人;池田良成;仲村秀世;望月英司;西泽龙男
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富士电机株式会社
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2016-10-24
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2021-09-14
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H01L25/07
- 本发明能够容易地将多个半导体模块彼此加以连接。半导体模块(100)具备：具有螺母收容部(131～133)的封装树脂(130)和配置于螺母收容部(131～133)中的螺母(143)，其中，主端子(125～127)从封装树脂(130)突出，绝缘电路板、半导体元件以及配线电路板被封装在封装树脂(130)中。进而，上述半导体模块(100)具有汇流条端子(140)，该汇流条端子140与从封装树脂130突出的主端子125～127电连接，并具有与螺母143相对的插入孔142。由此，仅通过利用连接汇流条将半导体模块(100)的汇流条端子(140)加以连接，便可容易地将两个半导体模块(100)进行连接。
- 半导体模块
- [发明专利]半导体装置-CN201610601007.8有效
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斋藤隆;百濑文彦;西村芳孝;望月英司
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富士电机株式会社
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2016-07-27
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2021-09-03
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H01L23/13
- 本发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中，在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷，凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件，在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时，优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm～6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170)，则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201480010591.9有效
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齐藤隆;荻野正明;望月英司;高桥良和
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富士电机株式会社
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2014-03-17
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2017-10-10
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H01L29/78
- 在将n‑外延层(2)堆积在SiC基板(1)的正面上而成的外延基板的正面侧设置有由p基区(3)、p外延层(4)、n++源区(5)、p+接触区(6)、n反转区(7)、栅绝缘膜(8)以及栅极(9)构成的MOS栅结构和正面电极(13)。在正面电极(13)的表面上，在正面电极(13)的表面的10％以上的区域、优选在60％以上且90％以下的区域设置有第一金属膜(21)。这样的SiC‑MOSFET通过在形成背面电极(15)后，在正面电极(13)的表面形成第一金属膜(21)，进行N2气氛下的退火而制成。通过上述工序，在使用了SiC半导体的半导体装置中，能够抑制栅阈值电压的下降。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201410232963.4在审
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多田慎司;望月英司;仲村秀世;堀尾真史
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富士电机株式会社
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2014-05-29
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2014-12-17
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H01L25/07
- 本发明提供了一种半导体装置，通过由具有功率半导体芯片等的多个半导体模块构成的半导体装置，从而作为半导体装置整体能够实现容许电流的大容量化，并且，通过在该半导体装置中以最优的方式进行接合来实施多个半导体模块的端子之间的连接。所述半导体装置包括：半导体模块10，外部连接端子从外壳突出；总线3A、3B、3C，将并列排列的多个所述半导体模块10的特定的外部连接端子16、17、18连结而进行电连接；以及半导体模块用外壳2，覆盖并固定通过所述总线3A、3B、3C而连结的多个所述半导体模块10，其中，总线3A、3B、3C和半导体模块的外部连接端子16、17、18通过激光焊接而接合。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410048867.4在审
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松下毅;望月英司;西泽龙男;斋藤俊介
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富士电机株式会社
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2014-02-12
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2014-08-20
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H01L21/60
- 本发明提供一种使用Sn-高Sb焊锡材料对绝缘电路基板与半导体芯片等进行焊接，并能获得空隙较少的良好的接合状态的焊接方法。对于表面的氧化膜较厚、浸润性较差的Sn-高Sb类焊锡材料，使用形成为可减少表面积的U字形状的焊锡板，来进行绝缘电路基板与半导体芯片等之间的焊锡接合，从而能够形成氧化膜较少，难以产生空隙的良好的焊锡接合面。并且，在形成为U字形状的焊锡板上层叠半导体芯片，在焊锡熔融前的状态下，在半导体芯片及绝缘电路基板的焊锡接合面的中央部设置有间隙，从而增大了与氢气之间的接触面积，因此能够提高还原反应对焊锡接合面的清洁效果。
- 半导体装置制造方法
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