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[发明专利]半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法-CN201611093776.8有效
发明人：佐野真二;小平悦宏;早乙女全纪;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
半导体装置部件以及它们制造方法

[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及段差治具-CN202010249079.7在审
发明人： 大西一永;增泽贵志;乡原広道 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供使用简易结构的段差治具的半导体模块的制造方法。提供一种半导体模块的制造方法，其是鳍片一体式的半导体模块的制造方法，包括：通过段差治具对鳍片一体式的散热基座施加段差而进行加压固定的步骤、以及在散热基座上焊接半导体组装体的步骤。提供一种半导体模块，其具备鳍片一体式的散热基座和设置在散热基座上的半导体组装体，散热基座的翘曲幅度为200μm以下。
半导体模块制造方法以及段差治具

[发明专利]组装治具套件及半导体模块的制造方法-CN202010110969.X在审
发明人： 大西一永;横山岳;丸山昌希 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种应对半导体芯片的高密度安装的组装治具套件和半导体模块的制造方法。提供一种组装治具套件，其是具有多个半导体芯片的半导体模块的组装治具套件，具备：第一外框治具、以及被第一外框治具定位且具有与第一外框治具对应的分割形状的多个内片治具，多个内片治具中的一个内片治具具有用于对多个半导体芯片进行定位的多个开口部。另外，提供一种使用了组装治具套件的半导体模块的制造方法。
组装套件半导体模块制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610304288.0有效
发明人： 大西一永;丸山力宏;万·阿札·宾·万·马特 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种具备筒状部件的半导体装置，该半导体装置能够在焊接该筒状部件时抑制焊料飞散。该半导体装置具备在正面具有电路层的层叠基板、焊接于电路层的筒状部件、和插入到该筒状部件并与该筒状部件电连接的外部端子。筒状部件具有圆筒部和连接到圆筒部的长度方向的一端的凸缘部。该凸缘部具备与电路层相对的第一突部、第二突部和第三突部。该第一突部与第二突部之间的距离、该第二突部与第三突部之间的距离以及该第三突部与第一突部之间的距离均比该圆筒部的内径大。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造装置及半导体装置-CN201510571992.8有效
发明人：宫澤阳介;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/607 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造装置及半导体装置，在对半导体装置的构成构件进行超声波接合时，能够可靠地将构件固定起来，因而能够获得稳定的接合状态。一种半导体装置的制造装置(1)，该半导体装置包括板状构件(21)和接合构件(23)，该半导体装置的制造装置包括：板状治具(11)，其用于载置该板状构件(21)；第1固定治具(12)和第2固定治具(13)，它们具有能抵接在板状构件(21)的宽度方向端部上缘的斜面，并且构成为靠近该板状构件(21)的宽度方向端部地固定于该板状治具(11)；超声变幅器(14)，其能一边将接合构件(23)向板状构件(21)按压，一边在板状构件(21)的宽度方向上施加超声波振动。
半导体装置制造

[发明专利]无铅软钎焊方法和软钎焊物品-CN201580017804.5有效
发明人：渡边裕彦;齋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B23K1/19 文献下载
摘要：对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。
无铅软钎焊方法物品

[发明专利]半导体装置制造方法及半导体装置-CN201410142784.1有效
发明人： 大西一永;丸山力宏;手塚昌史;菊地昌宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低对树脂壳体与端子进行一体设置的半导体装置的制造成本的半导体装置制造方法及半导体装置。半导体装置（10）包括设有多个具有脚部（17a）的端子（17）的树脂壳体（15）。在制造该树脂壳体（15）时，作为对树脂壳体（15）进行成型的模具（20），使用设有用于将多个端子（17）分别固定到规定位置上的突起（21a）的模具（20）。将多个端子（17）分别与该突起（21a）相匹配地保持在模具（20）内，并在该模具（20）中注入树脂，对多个端子（17）和树脂壳体（15）进行一体成型。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及接合组装装置-CN201510762725.9有效
发明人：斋藤俊介;渡边裕彦;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
半导体装置制造方法接合组装

[发明专利]接合组装装置-CN201410394901.3有效
发明人：斋藤俊介;渡边裕彦;小野真裕;大西一永;渡边孝志;佐野真二 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
接合组装装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201280039469.5有效
发明人：高宫喜和;小平悦宏;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体装置由金属基底（6），与金属基底（6）相接合的布线基板（2），与布线基板（2)的电路图案（2a、2b）相接合的半导体芯片（1）及控制端子（5），以及与金属基底（6）相粘接的树脂壳体（20）构成。控制端子（5）由贯通树脂壳体（20）的盖部（21）的贯通部（5a），与贯通部（5a）相连的联结部（5b），以及与联结部（5b）相连的连接部（5c）构成。在控制端子（5）的贯通盖部（21）的部分上设有阻止部（5d）及切除部（5e）。阻止部（5d）与形成在盖部（21）的表面的阶梯部（21b）相接触。当贯通部（5a）贯通树脂壳体（20）的盖部（21）时，阻止部（5d）被收纳在切除部（5e）内。联结部（5b）与设置在盖部（21）的背面的凸部（21c）相接触。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410386288.0在审
发明人：渡边裕彦;斋藤俊介;小野真裕;渡边孝志;佐野真二;大西一永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，能在芯片键合接合温度范围内的加热温度下，还原被接合构件及焊接材料，得到具有比以往更高质量更高可靠性的焊锡接合层且散热性更优异的半导体装置。该方法包括：将包含被接合构件和焊接材料的层叠体投入到具备金属丝的减压炉内的准备工序；在准备工序之后对减压炉内进行真空排气的一次减压工序；在一次减压工序之后将减压炉内变为负压的氢气氛，并对金属丝进行加热从而产生原子状氢的热线式加热工序；在热线式加热工序之后将减压炉内变为正压的氢气氛，并加热至接合温度以使焊接材料熔融的加热工序；以及在加热工序之后保持于接合温度，并将减压炉内再次变为真空气氛来去除焊锡熔融液中的气泡的气泡去除工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201180054787.4有效
发明人：高宫喜和;大西一永;小平悦宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：电源模块（100）由金属基底（1）、连接至金属基底（1）的绝缘衬底（2）、连接至绝缘衬底（2）的电路图案的半导体芯片和控制端子（6）、以及接合至金属基底（1）的树脂外壳（7）所构成。该控制端子（6）包括贯穿树脂外壳（7）的盖（9）的贯穿部（6a）、连接至贯穿部（6a）的L-形成型部（6b）、和连接至L-形成型部（6b）的连接部（6c）。在控制端子（6）的部分中设置突出部（10），其贯穿盖（9）。该突出部（10）与被配置在盖（9）的表面上的突出接收部（9b）相接触。L-形成型部（6b）与设置在盖（9）的后表面上的凸起部（9c）接触。藉此，当连接器安装到控制端子（6）或从控制端子（6）上移除时，防止应力被传输至绝缘衬底（2），且可提供具有高绝缘强度的高度可靠的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN201180018762.9在审
发明人： 大西一永;高宫喜和;船越孝章;小平悦宏 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：在抑制制造成本时提高可靠性。半导体器件（100）包括基板（110）、安装在基板（110）上的绝缘基板（141和142）、在绝缘基板（141和142）上形成的金属图案（152和155）、隔着接合材料安装在金属图案（152和155）上的电子部件、以及与配线用布线分开的布线构件（201至206），该布线构件包含抗接合材料的材料并且在金属图案（152和155）上以及在电子部件周围形成。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]钎焊接合方法和使用该方法的半导体装置的制造方法-CN200810082231.6有效
发明人： 大西一永;西村芳孝;西泽龙男;望月英司 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：一种钎焊接合方法及使用该方法的半导体装置的制作方法，在第一部件的钎焊接合预定区域的外周部的至少一部分上，照射激光形成氧化膜，通过软钎料使第二部件与所述钎焊接合预定区域接合。即使进行除去软钎料中包含的焊剂残渣的药品清洗，软钎料抗蚀剂也不剥离。
钎焊接合方法使用半导体装置制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610005457.7有效
发明人：西村芳孝;两角朗;大西一永;望月英司;高桥良和 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：提供了一种考虑到环境影响的高可靠度的半导体器件。在功率半导体模块的制造中，通过使用无铅焊料，通过焊料层将在其两个表面上具有陶瓷板和导体层的绝缘基片连接至散热基底，并通过焊料层将诸如IGBT之类的半导体芯片连接至绝缘基片。另外，在焊接绝缘基片和散热基底之前，弯曲散热基底使它与绝缘基片相对一侧的表面凸起并通过焊接使其平坦或大致平坦。因此，当将散热基底附加至冷却片等上时，它们的热阻较小，从而有效地散发半导体芯片的热量以防止异常温度升高。
半导体器件及其制造方法

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