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[发明专利]存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构-CN201880078139.4有效
发明人：索尼·瓦吉斯;安东尼·雷诺;摩根·艾文斯;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
存储器元件制作半导体方法结构

[发明专利]使用独立离子源与自由基源进行衬底处理的装置以及技术-CN202080083233.6在审
发明人： 安东尼·雷诺;约瑟·C·欧尔森;彼得·F·库鲁尼西 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-11-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：一种系统可包括用以支撑衬底的衬底载台及多个束源。所述多个束源可包括：离子束源，所述离子束源被布置成将离子束引导到所述衬底；以及自由基束源，所述自由基束源被布置成将自由基束引导到所述衬底。所述系统可包括控制器，所述控制器被配置成控制所述离子束源及所述自由基束源在至少一个方面彼此独立地运行，其中所述至少一个方面包括束组成、束入射角以及束源相对于所述衬底的相对扫描。
使用独立离子源自由基进行衬底处理装置以及技术

[发明专利]使用进线表面工程源的方法与系统-CN201980041813.6在审
发明人：克里斯多夫·汉特曼;彼得·F·库鲁尼西;克里斯多福·A·罗兰德;约瑟·C·欧尔森;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
使用表面工程方法系统

[发明专利]利用离子植入的极紫外光光致抗蚀剂的效能改善-CN201880048752.1在审
发明人：崔斯坦·马;戴辉雄;安东尼·雷诺;约翰·哈塔拉;约瑟·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种对衬底进行图案化的方法可包括：在所述衬底上提供毯覆式光致抗蚀剂层；向所述毯覆式光致抗蚀剂层中执行植入物质的离子植入程序，所述植入物质在极紫外光(EUV)范围中的波长下包括增强的吸收效率；以及在所述执行所述离子植入程序之后，执行图案化曝光，以将所述毯覆式光致抗蚀剂层曝光于极紫外光辐射。
利用离子植入紫外光光致抗蚀剂效能改善

[发明专利]在基板上制作多层式结构的方法及多层式元件-CN201580065761.8有效
发明人： 安东尼·雷诺;克里斯多夫·汉特曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明提供一种制作多层式结构的方法包括：在安置于基板上的元件堆叠上提供掩模，所述元件堆叠包括由第一层类型及第二层类型构成的第一多个层；沿第一方向射出第一离子，所述第一方向相对于所述基板的平面的法线形成第一非零入射角度，其中形成具有侧壁角度的第一侧壁，所述侧壁角度相对于所述法线形成第一非零倾斜角度，所述第一侧壁包括第二多个层，所述第二多个层来自于所述第一多个层的至少一部分且由所述第一层类型及所述第二层类型构成；以及使用第一选择性蚀刻来蚀刻所述第二多个层，其中相对于所述第二层类型而选择性地蚀刻所述第一层类型。本发明另提供一种多层式元件。
结构斜角离子束处理

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置-CN201710893518.6有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
控制提供至基板离子束处理装置

[发明专利]控制提供至基板的离子束的处理装置与方法-CN201480070125.X有效
发明人：斯特尔·拜洛科;尼尼·文奴斯;卢多维克·葛特;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制提供至基板的离子束的处理装置与方法。处理装置可包括电浆源、提取板、偏转电极与偏转电极电源，其中所述电浆源耦接至电浆腔室以在电浆腔室中产生电浆，所述提取板具有沿着电浆腔室的一侧配置的孔隙，所述偏转电极配置为接近于孔隙，且当电浆腔室中存在电浆时所述偏转电极经设置以界定一对电浆半月区，所述偏转电极电源用于相对于电浆施加偏压至偏转电极，其中施加至偏转电极的第一偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第一入射角，且施加至偏转电极的第二偏压经设置以产生自电浆通过孔隙提取的离子的第二入射角，所述第二入射角不同于所述第一入射角。本发明对离子角分布的进一步的控制可以更有效率地处理基板。
处理装置离子角分布原位控制

[发明专利]在处理系统中监控离子质量、能量与角度的技术和装置-CN201280004865.4无效
发明人：卢多维克·葛特;克里斯多夫·J·里维特;具本雄;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：一种用于监控具有离子能量且入射到衬底上的离子物种的角分布的飞行时间（TOF）离子感测器系统，其包括漂移管，其中离子感测器系统经配置以改变漂移管相对于衬底的平面的角度。漂移管具有第一端，所述第一端经配置以从离子物种接收离子脉冲，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子以封包形式到达漂移管的第二端。离子检测器可设置在离子感测器的第二端处，其中离子检测器经配置以检测来源于离子脉冲且对应于各自不同离子质量的离子封包。
处理系统监控离子质量能量角度技术装置

[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法-CN201080051532.8无效
发明人： 安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
控制植入工件装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201080020257.3有效
发明人：卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;史费特那·瑞都凡诺;安东尼·雷诺;维克拉姆·辛 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，其包含处理腔室；压板，其定位于处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，等离子体具有邻近工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。绝缘修改器具有间隙以及间隙平面，其中间隙平面由绝缘修改器的最靠近鞘且接近间隙的部分界定。将间隙角度界定为间隙平面与由工件的前表面所界定的平面之间的角度。另外，揭示一种使离子撞击工件的方法，其中撞击工件的离子的入射角范围包含中心角以及角分布，且其中绝缘修改器的使用形成不垂直于工件的中心角。
等离子体处理装置

[发明专利]含碳物种的冷植入技术-CN200980104251.1无效
发明人：克里斯多夫·R·汉特曼;安东尼·雷诺;盖瑞·E·迪克森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示一种含碳物种的冷植入技术。在一例示性实施例中，此技术可以以一种离子注入装置来实现。离子注入装置包括冷却设备以及离子注入机。冷却设备将目标材料冷却至预定温度。离子注入机在预定温度下将含碳物种植入目标材料，以改善张力和非晶化的至少其中之一。
物种植入技术

[发明专利]控制带电粒子束的技术-CN200880109201.8有效
发明人：皮尔·R·卢比克;拉塞尔·J·罗;约瑟·C·欧尔森;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示了一种控制带电粒子束的技术。在一特定示范性实施例中，此技术可实现成带电粒子加速/减速系统。此带电粒子加速/减速系统可包括加速柱体。此加速柱体可包括具有孔径的多个电极，其中带电粒子束可穿过此孔径。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极的多个电阻器。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极以及多个电阻器的多个开关，多个开关中的每一个可构造成分别选择性接通多个操作模式。
控制带电粒子束技术

[发明专利]形成浅接合的技术-CN200880015242.0有效
发明人：爱德温·A·阿雷瓦洛;克里斯多夫·R·汉特曼;安东尼·雷诺;乔纳森·吉罗德·英格兰 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-04-04 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge₂H₆)、氮化锗(Ge₃N₄)、锗-氟化合物(GF_n，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。
形成接合技术

[发明专利]原子层沉积技术-CN200780052552.5无效
发明人：维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;杰弗里·A·后普沃德;安东尼·雷诺 -专利权人：瓦里安半导体设备公司;东北大学
申请日： 2007-03-06 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中，可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室，其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源，其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子，且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源，其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。
原子沉积技术

[发明专利]原子层沉积的技术-CN200780050199.7无效
发明人：维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;安东尼·雷诺;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
原子沉积技术

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