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[发明专利]天线辅助的电阻式随机存取存储器形成-CN202280010731.7在审
发明人：金永硕;徐顺天;玉仁祚;A·雷兹尼克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：存储器结构(100)包括嵌入在衬底中的ReRAM模块(110)。在衬底上形成绝缘层(106)。第一电极位于绝缘层上。第一电极近似连接到ReRAM模块的第一端并且包括第一表面区域。第二电极位于所述绝缘层上。第二电极近似连接到ReRAM模块的第二端。第二电极包括第二表面区域、等离子体相互作用部件(116)和电阻部件(118)。该电阻部件位于等离子体相互作用部件与ReRAM模块之间。当第一表面面积和第二表面面积暴露于等离子体的施加时，第一表面面积与第二表面面积的比率在第一电极与第二电极之间产生电压。电压在ReRAM模块中形成导电细丝。
天线辅助电阻随机存取存储器形成

[发明专利]用于非易失性忆阻器件的加速写入的混合导电易失性存储器元件-CN202180083693.3在审
发明人： K·W·布鲁;王维;玉仁祚;于澜;金永硕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了一种模拟存储器结构，以及写入这样的结构的方法。该模拟存储器结构包括与非易失性存储器元件串联的易失性存储器元件。该模拟存储器结构可在施加电压时改变电阻。这可以使能模拟存储器结构的加速写入。
用于非易失性忆阻器件加速写入混合导电易失性存储器元件

[发明专利]相变存储器单元-CN202180081316.6在审
发明人： 玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;M·桑卡拉潘迪恩;S·麦合塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
相变存储器单元

[发明专利]存储器装置阵列中的均匀电压降-CN202180071685.7在审
发明人： 玉仁祚;徐顺天;A·雷茨尼采克;金永硕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B69/00 文献下载
摘要：提供了PCM装置阵列及其制造技术，其具有在加热器图案化期间形成的集成电阻器，用于PCM装置之间的均匀电压降。PCM装置包括：至少一个PCM单元，其包含安置于加热器上的相变材料；以及与所述至少一个PCM单元串联的至少一个电阻器，其中所述至少一个电阻器包含与所述加热器相同的材料组合。还提供了一种存储器阵列和一种形成PCM装置的方法。
存储器装置阵列中的均匀电压

[发明专利]具有投射衬垫的相变存储器单元-CN202180081265.7在审
发明人： 玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;P·布萨莱 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
具有投射衬垫相变存储器单元

[发明专利]多层相变存储器件-CN202180076346.8在审
发明人： K·W·布里;玉仁祚;韩金萍;T·M·菲利普;M·J·布莱特斯基;N·索尔尼尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种相变存储器(PCM)单元，包括：第一电极，包括第一导电材料；第二电极，包括第二导电材料；第一相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一相变材料；以及第二相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第二相变材料。第一相变材料具有第一电阻率，第二相变材料具有第二电阻率，并且其中第一电阻率是第二电阻率的至少两倍。
多层相变存储器件

[发明专利]电阻式存储器阵列-CN202180078881.7在审
发明人：金永硕;李忠贤;T·M·菲利普;徐顺天;玉仁祚;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：呈现垂直电阻式存储器阵列。所述阵列包括柱电极和围绕所述柱电极的所述侧周界的开关衬垫。该阵列包括连接到开关衬垫的第一侧的两个或更多个垂直堆叠的单池(SC)电极。开关衬垫、柱电极和每一个SC电极的并置形成相应电阻开关单元(例如，OxRRAM单元)。这些单元的垂直组或组可并联连接并且各自共享相同的柱电极。垂直单元组中的单元可以作为组写入或读取，以限制组内的任何一个或多个单独单元的不一致CF形成的影响。
电阻存储器阵列

[发明专利]集成的相变存储器单元突出衬垫和蚀刻停止层-CN202180074882.4在审
发明人： K·W·布雷弗;玉仁祚;I·R·萨拉夫;N·索尔尼尔;M·J·布里戈特斯基;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种蘑菇型相变存储器(PCM)单元，包括位于PCM体积和底部电极之间的突出衬垫。突出衬垫从之前在PCM单元的制造期间和/或更高级IC器件的制造期间用作蚀刻停止层的层被保留。突出衬垫可以延伸超过PCM侧壁或侧边界。突出衬垫的该部分可以位于或掩埋在电介质或密封间隔件之下，并且可以增加位于PCM体积之下的突出衬垫的厚度均匀性。
集成相变存储器单元突出衬垫蚀刻停止

[发明专利]低形成电压非易失性存储器(NVM)-CN202080074511.1在审
发明人：金永硕;玉仁祚;A.雷兹尼克;徐顺天 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：通过在互连介电材料层上形成一对牺牲导电焊盘来提供低形成电压NVM设备，互连介电材料层嵌入一对第二导电结构和图案化材料堆叠。所述牺牲导电焊盘中的一个牺牲导电焊盘具有第一区域并接触所述第二导电结构中的一个的表面，所述第二导电结构中的一个的表面接触下面的第一导电结构的表面，并且所述牺牲导电焊盘中的另一个具有不同于所述第一区域的第二区域并接触所述第二导电结构中的另一个的表面，所述第二导电结构中的另一个的表面接触所述图案化材料堆叠的顶部电极的表面。执行等离子体处理以诱导天线效应且将图案化材料堆叠的介电切换材料转换成导电细丝。在等离子体处理之后，去除该对牺牲导电焊盘。
形成电压非易失性存储器 nvm

[发明专利]多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法-CN201610162011.9有效
发明人：范淑贞;S·K·卡纳卡萨巴帕西;玉仁祚;山下典洪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及替换金属栅极CMOS器件上的稳定的多阈值电压器件。提供了一种用于多电压阈值晶体管结构的技术。在鳍上形成窄沟道和长沟道。在鳍上形成外延层，并且在外延层上形成层间电介质层。鳍上的间隔物限定窄沟道和长沟道。在窄沟道和长沟道中沉积高k电介质材料。在窄沟道和长沟道中的高k电介质材料上沉积金属层。使窄沟道中的高k电介质材料的高度凹陷。从窄沟道和长沟道去除金属层。在窄沟道和长沟道中沉积功函数金属。沉积栅极传导金属以填充窄沟道和长沟道。在结构的顶表面上沉积帽层。
替换金属栅极 cmos 器件稳定阈值电压

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