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[发明专利]相变存储器单元-CN202180081316.6在审
发明人：玉仁祚;鲍如强;A·H·西蒙;K·布里;N·索尔尼尔;I·R·萨拉夫;M·桑卡拉潘迪恩;S·麦合塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。
相变存储器单元

[发明专利]在电子器件中使用的富碳的碳氮化硼介电膜-CN201280043509.3无效
发明人：桑·范·恩古叶恩;A·格瑞尔;T·J海格;S·麦合塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01B3/18 文献下载
摘要：提供一种介电常数等于或小于3.6的富碳的碳氮化硼介电膜，它可被用作各种电子器件中的组件。富碳的碳氮化硼介电膜具有式子C_xB_yN_z，其中，x为35原子百分比或更大，y为6原子百分比到32原子百分比，以及z为8原子百分比到33原子百分比。
电子器件使用氮化硼介电膜