专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器件及其制造方法-CN201811324290.X有效
  • 洪镇宇;李泳周;崔准容;金廷泫;李尚俊;李贤奎;赵允哲;朴济民;潘孝同 - 三星电子株式会社
  • 2018-11-08 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括:位于由衬底上的器件隔离层限定的有源区域上的单元晶体管,使得每个单元晶体管具有掩埋单元栅极和与所述衬底邻近并相对于所述掩埋单元栅极至少部分位于所述衬底远侧的结部分;所述衬底上的绝缘图案,覆盖所述单元晶体管和所述器件隔离层;以及位于所述绝缘图案上并连接到所述结部分的位线结构。所述位线结构包括:位于所述图案上并具有热氧化物图案的缓冲图案、位于所述缓冲图案上的导线以及从所述导线穿过所述缓冲图案和所述绝缘图案延伸到所述结部分的接触。
  • 存储器件及其制造方法
  • [发明专利]风控决策规则优化方法、系统、终端及存储介质-CN202211182023.X有效
  • 吴婧;张志远;洪镇宇 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-09-19 - G06Q40/03
  • 本发明提供了一种风控决策规则优化方法、系统、终端及存储介质,该方法包括:将元智能体分别与各风控决策系统的仿真环境进行交互探索,得到交互轨迹数据集;对模型进行模型拟合训练和模型预测控制处理,得到更新策略;根据更新策略对预设风控策略进行更新,根据更新后的预设风控策略,返回执行将元智能体分别与各风控决策系统的仿真环境进行交互探索的步骤及后续步骤,对元智能体进行参数设置,将元智能体与待优化风控决策系统进行交互探索,得到目标探索轨迹;根据目标探索轨迹对待优化风控决策系统进行优化。本发明能自动的对待优化风控决策系统中的风控决策规则进行优化,降低了所需的人力物力资源,提高了风控决策规则优化的效率。
  • 决策规则优化方法系统终端存储介质
  • [发明专利]签名真伪验证方法、系统、终端设备及存储介质-CN202210820006.8有效
  • 吴婧;张志远;洪镇宇 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2022-07-13 - 2023-05-23 - G06V30/226
  • 本发明提供了一种签名真伪验证方法、系统、终端设备及存储介质,该方法包括:根据元学习任务进行任务抽取,得到任务用户;根据各任务用户的影像数据和剩余用户的影像数据,生成模型训练数据,根据各模型训练数据对元学习器进行训练;根据各影像数据包分别对收敛后的元学习器进行参数调节,根据参数调节后的各元学习器的参数,分别构建签名真伪判别模型;将待验证签名图像输入对应签名真伪判别模型进行签名验证,得到签名真伪验证结果。本发明通过各目标用户的影像数据包分别对收敛后的元学习器进行参数调节,能有效地调整各元学习器的参数权重,使得签名真伪判别模型的权重能随任务用户的签名图像的特征进行调整,提高了签名真伪验证的准确性。
  • 签名真伪验证方法系统终端设备存储介质
  • [发明专利]一种金融风控决策规则的调优方法、系统及存储介质-CN202310084267.2在审
  • 张志远;洪镇宇;吕志研 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-04-25 - G06Q10/0639
  • 本发明公开了一种金融风控决策规则的调优方法、系统及存储介质,其包括:步骤a.获取待调优金融风控决策规则系统的样本数据,对其进行预处理及标签制定;步骤b.判断标签数据是否为正、反两个类别其中之一;若否,则返回步骤a,若是,则执行步骤c;步骤c.对规则系统中的规则类型进行分析,判断规则类型是否为默认规则类型;若是,则根据默认规则类型对应的预设优化方式进行优化,得到对应的优化结果,若否,则将其转换为默认规则类型;步骤d.在规则系统中执行对应的优化结果。通过本发明能够自动的进行规则优化,极大节省了对规则系统进行优化提升所需的人力物力,提升了规则系统调整迭代的时效性,提高优化效率。
  • 一种金融决策规则方法系统存储介质
  • [发明专利]人机行为检测方法、系统、终端设备及存储介质-CN202210648574.4有效
  • 张志远;洪镇宇 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2022-06-09 - 2023-03-28 - G06V40/20
  • 本发明提供了一种人机行为检测方法、系统、终端设备及存储介质,该方法包括:对移动终端的传感数据和行为场景数据分别进行行为标记;根据行为标记后的传感数据和行为场景数据构建样本集,对样本集进行异常特征检测和数据筛选,根据数据筛选后的样本集对人机行为检测模型进行模型训练,直至人机行为检测模型收敛;将待检测数据输入收敛后的人机行为检测模型进行行为检测,得到人机行为检测结果,人机检测结果包括行为概率和场景概率。本发明基于携带多个标签任务的样本集训练后的检测模型,能有效地对待检测数据进行行为检测和场景检测,提高了人机行为检测效率。
  • 人机行为检测方法系统终端设备存储介质
  • [发明专利]数据异常检测方法、系统、终端设备及存储介质-CN202211182024.4在审
  • 洪镇宇;张志远 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-01-24 - G06Q40/03
  • 本发明提供了一种数据异常检测方法、系统、终端设备及存储介质,该方法包括:根据知识图谱中的邻域上下文数据确定目标类型节点的图嵌入特征;查询目标类型节点在各知识图谱中的关联类型节点,根据各关联类型节点的局部统计特征确定目标类型节点的图规则特征;根据图嵌入特征对第一自编码器进行训练,根据图规则特征对第二自编码器进行训练;将待识别贷款数据分别输入训练后的第一自编码器和第二自编码器进行异常检测,得到第一异常概率和第二异常概率;根据第一异常概率和第二异常概率生成异常检测结果。本发明基于训练后的第一自编码器和第二自编码器能有效地对待识别贷款数据进行关联性的异常分析,提高了对借贷行为的数据异常检测的准确性。
  • 数据异常检测方法系统终端设备存储介质
  • [发明专利]一种应用于移动终端的身份认证方法及装置-CN202210879197.5在审
  • 张志远;洪镇宇;胡涛 - 厦门国际银行股份有限公司
  • 2022-07-25 - 2022-10-28 - G06F21/31
  • 本发明提供了一种应用于移动终端的身份认证方法及装置,涉及身份识别技术领域,该方法包括以下步骤:检测用户在密码输入界面的打字行为,对用户输入的密码进行验证,得到密码验证结果;在所述密码输入界面开启传感器监听,采集用户在密码输入界面的打字行为所对应的传感器数据;将所述传感器数据输入至打字行为预测模型中,得到所述打字行为预测模型输出的认证距离;根据所述密码验证结果和模型输出的认证距离进行用户身份认证。该方法不仅能够提高安全性,而且能够在用户输入密码时无感知的在后台完成双重身份认证,并可针对双重身份认证结果采取不同风控手段,提升了用户体验。
  • 一种应用于移动终端身份认证方法装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210612427.1在审
  • 郑基旭;金桐吾;朴硕汉;尹灿植;李基硕;李昊仁;张燽娟;朴济民;洪镇宇 - 三星电子株式会社
  • 2018-02-07 - 2022-08-30 - H01L27/108
  • 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括:衬底,包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区;边界元件隔离层,位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开;高介电常数介电层,位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上;第一逸出功金属图案,包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部,第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上;以及第二逸出功金属图案,包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部,第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上,其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201810127428.0有效
  • 郑基旭;金桐吾;朴硕汉;尹灿植;李基硕;李昊仁;张燽娟;朴济民;洪镇宇 - 三星电子株式会社
  • 2018-02-07 - 2022-07-12 - H01L23/535
  • 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括:衬底,包括单元区、核心区及位于单元区与核心区之间的边界区;边界元件隔离层,位于衬底的边界区中以将单元区与核心区隔开;高介电常数介电层,位于边界元件隔离层的至少一部分及衬底的核心区上;第一逸出功金属图案,包括与边界元件隔离层交叠的第一延伸部,第一逸出功金属图案位于高介电常数介电层上;以及第二逸出功金属图案,包括与边界元件隔离层交叠的第二延伸部,第二逸出功金属图案位于第一逸出功金属图案上,其中第一延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第一长度与第二延伸部在从核心区朝单元区的方向上延伸的第二长度不同。
  • 半导体装置

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