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[发明专利]深沟槽的填充方法-CN202310798335.1在审
发明人：朱朕;金立培;陈辰;侯照海;樊帅奇;李明明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种深沟槽的填充方法，包括：在衬底中形成深沟槽，深沟槽的深度和宽度的比值大于4；在衬底和深沟槽表面形成第一氧化物层；对第一氧化物层进行等离子体处理，对深沟槽开口处的第一氧化物层进行修饰；在第一氧化物层的表面形成第二氧化物层；对第二氧化物层进行等离子体处理，对深沟槽开口处的第二氧化物层进行修饰；重复上述步骤，直至深沟槽中的多层氧化物层的厚度达到目标厚度；在深沟槽中填充多晶硅层。本申请通过在SGT MOS器件的制作过程中，在衬底中形成深沟槽后，通过生长多层氧化物层，每生长一层氧化物层后进行等离子体处理，对深沟槽开口处的氧化物层进行修饰，从而能够在一定程度上避免收口现象，提高了器件的可靠性和良率。
深沟填充方法

[发明专利]超级结器件的制作方法-CN202310733238.4在审
发明人：张健毓;李晴;马栋;赵蕴琦;吴佳丽;孙兴润;朱朕 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种超级结器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有超级结器件的栅极，栅极和衬底之间形成有栅介电层；在衬底上形成拉应力的氮化硅层，拉应力的氮化硅层覆盖栅极和栅介电层暴露的表面；在拉应力的氮化硅层上形成层间介电层；在层间介电层中形成接触孔，接触孔用于引出超级结器件的重掺杂区；在层间介电层和接触孔上形成互连金属层；在互连金属层上形成钝化层；进行电子辐照。本申请通过在超级结器件的制作过程中，在栅极上形成拉应力的氮化硅层，拉应力的氮化硅层可以抵消后续工序中由于电子辐照导致的衬底翘曲，提高了器件的阈值电压的均匀性。
超级器件制作方法

[发明专利]一种负载二氧化锰的自清洁复合纳滤膜的制备方法及应用-CN202310441078.6在审
发明人：林小城;黄钰珊;华亚辉;朱朕;郑苗苗 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01D69/02 文献下载
摘要：本发明属于膜处理染料废水技术领域，具体涉及一种负载二氧化锰的自清洁复合纳滤膜的制备方法及应用。具体地，将聚醚砜基膜表面浸泡于pH为8.5的多巴胺溶液，并进行室温下摇床反应，得到负载聚多巴胺的膜材料，并与高锰酸钾反应生成二氧化锰，在负载二氧化锰的基膜上，以哌嗪为水相单体，均苯三甲酰氯为有机相单体，采用界面聚合制备复合纳滤膜。本发明提供的纳滤膜，兼具对二价阳离子的高截留率和高的纯水通量，同时由于膜上负载的二氧化锰有催化活性，易于活化双氧水产生自由基对纳滤后吸附在膜表面的污染进行清洗，实现膜的长期使用。
一种负载二氧化锰清洁复合滤膜制备方法应用

[发明专利]一种绿色光聚合阴离子交换膜的制备方法-CN202310441465.X在审
发明人：林小城;但旭;刘栋;朱朕;雷峥嵘 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种绿色光聚合阴离子交换膜的制备方法。该方法首先将溴化自具微孔聚合物PIM‑Br和光引发剂溶解在氯甲基苯乙烯VBC中，得到黄褐色溶液，再将溶液浇铸在玻璃板上，在氮气气氛下，使用紫外光照射进行光固化后直接浸泡在双叔胺基试剂中，通过PIM‑Br中的溴甲基和VBC中的氯甲基与双叔胺基进行亲核取代反应得到所述绿色光聚阴离子交换膜。本发明所提供的阴离子交换膜制备方法与其他方法相比，采用的是由紫外光照射引发自由基聚合反应，具有固化时间短、聚合速度快、没有反应温度限制等优点，并且在制备过程中完全避免了有机溶剂的使用，所制备的阴离子交换膜拥有优异的电渗析脱盐性能，具有显著的经济效益和环境效益。
一种色光聚合阴离子交换制备方法

[发明专利]沟槽的填充方法-CN202211511647.1在审
发明人：朱朕;金立培;陈辰;侯照海 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽的填充方法，包括：将晶圆放置于CVD机台的真空吸盘上，晶圆用于集成沟槽型MOS器件，晶圆上形成有沟槽，晶圆和沟槽表面形成有氧化层，真空吸盘设置于CVD机台的反应腔室中；对晶圆进行预热处理，在进行预热处理时，CVD机台的反应腔室中的压力值为第一压力值；对CVD机台的反应腔室进行抽真空处理，开启真空吸盘的真空吸附功能，将CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第二压力值；对CVD机台的反应腔室进行抽真空处理；将CVD机台的反应腔室中的压力值增加至第三压力值，第三压力值大于第二压力值；在晶圆上通过CVD工艺沉积二氧化硅层。本申请通过真空吸盘对晶圆进行应力释放预处理后，可以有效增加吸盘的吸附能力，使晶圆与吸盘紧密贴合。
沟槽填充方法

[发明专利]APF沉积腔清洗方法-CN202211155840.6在审
发明人：朱朕;唐鹏;金立培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种APF沉积腔清洗方法。包括以下步骤：向沉积腔中喷淋含氟等离子体束，清洗沉积腔中的硅化物；向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF；在进行向沉积腔中喷淋氧离子，清洗沉积腔中的APF的步骤时，设于沉积腔中的加热台和夹爪依次进行以下步骤：使得加热台位于第一位置处，使得夹爪处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第一位置下降，直至第二位置处，使得夹爪由第一角度处旋转，直至处于第二角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗；使得加热台由第二位置上升，直至第一位置处，使得夹爪由第二角度处旋转，直至处于第一角度处，在充斥氧离子的沉积腔中进行清洗。
apf 沉积清洗方法

[发明专利]HDPCVD工艺设备的处理方法-CN202111538760.4在审
发明人：朱朕;金立培;李宗旭;许隽 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种HDPCVD工艺设备的处理方法，包括：提供反应腔，所述反应腔内具有用于加载射频的陶瓷圆盘；对所述反应腔和陶瓷圆盘进行清洗处理；在所述清洗处理后，在所述反应腔的内壁面表面和所述陶瓷圆盘的表面形成第一介电膜；在所述第一介电膜表面形成第二介电膜，所述第二介电膜的密度大于所述第一介电膜的密度；在形成所述第二介电膜后，在所述反应腔内处理晶圆。从而，减少了HDPCVD工艺中的颗粒污染。
hdpcvd 工艺设备处理方法

[发明专利]一种半导体器件以及形成方法-CN201910919825.6有效
发明人：胡海天;田守卫;李正阶;朱朕 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体器件以及形成方法，半导体器件的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成掺氟硅玻璃膜层；对掺氟硅玻璃膜层的表面进行预处理，以降低掺氟硅玻璃膜层中的氟离子析出。本发明通过对掺氟硅玻璃膜层的表面进行预处理，使得掺氟硅玻璃膜层的表面的悬挂键被双氧水中的氧原子饱和，从而使得掺氟硅玻璃膜层的表面钝化，进而降低了所述掺氟硅玻璃膜层中氟离子析出的速度，使得所述掺氟硅玻璃膜层在沉积FSG、化学机械研磨以及形成后续覆盖层之间的等待时间无需控制，因此，改善了出现的晶体缺陷，提高器件的可靠性，同时，还减少了返工或清洗的工序，降低了工艺时间，提高了工艺效率。
一种半导体器件以及形成方法

[发明专利]一种电化学微通道反应装置制备N-(5-羟基喹啉-8-基)苯甲酰胺类化合物的方法-CN202010382938.X有效
发明人：郭凯;林鑫鑫;刘成扣;方正;曾翠莲;黄士杰;姚逸飞;朱朕 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C07D215/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种电化学微通道反应装置制备N‑(5‑羟基喹啉‑8‑基)苯甲酰胺类化合物的方法，将三氟乙酸溶于第一有溶剂中，得到均相溶液I；将N‑(喹啉‑8‑基)苯甲酰胺类化合物溶于第二有机溶剂中，得到均相溶液II；将均相溶液I和均相溶液II分别同时泵入电化学微通道微反应装置的微混合器中，再通入微反应器反应，即得。与现有技术相比，本发明创造性开发电氧化芳环C(sp2)‑H的选择性羟基化，无需外源氧化剂，更环保、绿色、经济、实用。同时，本发明以三氟乙酸为羟基化试剂，利用微通道反应装置，反应时间大大缩短，高通量，产品质量稳定，显著地提高了产率，达到90％。
一种电化学通道反应装置制备羟基喹啉甲酰胺化合物方法

[发明专利]一种基于文本数据的遥感图像风格转换方法-CN202010104072.6有效
发明人：王力哲;朱朕;陈伟涛;李显巨 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G06T3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于文本数据的遥感图像风格转换方法，包括：构建数据集，获取文本数据集和待转换图像数据集；生成低分辨率的图像，根据文本数据提取句子特征，然后结合噪声生成低分辨率的遥感图像和对应的图像特征；生成高分辨率的图像，根据文本数据提取单词特征，然后结合上一层低分辨率的特征生成下一层的高分辨率的遥感图像和图像特征；计算损失函数，检测生成的图像和文本的匹配程度，生成相应的损失函数；图像风格转换，以生成的高分辨率图像作为参考风格图像，依据循环一致性原理和对抗损失函数进行风格转换。本发明的有益效果是：从文本数据逐层生成高分辨率图像，极大地提高了文本到图像的生成精度，弥补了文本数据进行风格转换的空缺。
一种基于文本数据遥感图像风格转换方法

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