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[发明专利]InSb量子阱红外探测器及制备方法-CN201810051860.6在审
发明人：董海云;张杨;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在InSb/InAlSb超晶格量子阱层上；一InSb上欧姆接触层，其生长在AlGaSb电子阻挡层上。本发明可以降低反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测器的探测率和最高工作温度。
生长量子阱红外探测器超晶格量子阱下欧姆接触层电子阻挡层复合缓冲层衬底上欧姆接触层反偏电压噪声电流暗电流探测率探测器制备

[发明专利]BN溅射模板、正装LED元器件的制造方法-CN201711372754.X在审
发明人：段瑞飞;王晓东;陈皓;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造BN模板的方法，包括底层和生长在底层上的模板层，模板使用溅射系统在底层上生长，与底层一起作为功能层，可以用于制备各种光电子或者微电子功能材料。
功能材料溅射系统模板使用生长功能层模板层溅射正装光电子制备微电子制造

[发明专利]一种可实现自动翻转的基片架-CN201711372690.3在审
发明人：李辉;段瑞飞;王军喜;曾一平;付强 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现自动翻转的基片架，用于在基片上形成溅射层环境下，包括：翻转机构、旋转机构和棘轮机构；所述棘轮机构与夹持所述夹爪相连接，用于传递翻转的动力，从而驱动所述夹爪带动基片翻转。所述旋转机构与设置多个夹爪的圆盘啮合，从而驱动所述转盘旋转带动所述转盘上的夹爪转动。所述翻转机构与所述转盘上的棘轮机构配合，并带动所述棘轮机构翻转所述夹爪。通过设置棘轮和棘爪的配合，同时利用了杠杆的升降和转盘转动的力同时驱动基片卡具的翻转，在保证了翻转稳定可靠的工作的情况下，节约了有限的利用空间。
夹爪棘轮机构翻转翻转机构旋转机构自动翻转基片架驱动转盘卡具啮合翻转稳定转盘旋转转盘转动溅射层棘轮棘爪夹持转动配合升降杠杆传递节约保证

[发明专利]一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法-CN201410072709.2有效
发明人：张杨;关敏;王成艳;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测重金属离子的InP基HEMT多通道传感器，其采用分子束外延系统制备InP基HEMT，一定条件下将特异性生物分子固定于栅极表面通过将InP基HEMT高跨导低噪声的特性与检测技术和微流控技术相结合，研制了能够同时检测多种重金属离子的传感器。本发明的优点在于基于InP基HEMT的多通道传感器，灵敏度极高、响应速率极快且便于携带，对于生活、医疗以及环境监测具有很好的实际应用意义，可以预防重金属离子食物中毒、临床诊断重金属离子中毒等，从而减少因重金属离子中毒而引起的发病和死亡等。
一种快速检测重金属离子通道传感器及其制作方法

[发明专利]SiC基HEMT器件的制备方法-CN201510416658.5有效
发明人：申占伟;张峰;赵万顺;王雷;闫果果;刘兴昉;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种基于SiC材料的HEMT器件的制备方法，包括清洗SiC衬底；将AlN薄膜淀积到SiC衬底上；将AlxGa1‑xN薄膜淀积到AlN薄膜上；将GaN薄膜淀积到AlxGa1‑xN薄膜上；对所述的AlN薄膜、AlxGa1‑xN薄膜、GaN薄膜的两侧进行ICP干法刻蚀，形成台面；在台面上制作Ti/Al/Ni/Au的4层金属，退火，形成基片；在基片上面淀积第一Si3N4钝化层；光刻蚀出窗口，在窗口内淀积栅金属电极；在第一Si3N4钝化层和栅金属电极上再次淀积第二Si3N4钝化层；刻蚀掉Ti/Al/Ni/Au的4层金属和栅金属电极上的第一Si3N4钝化层和第二Si3N4钝化层，互连金属完成器件制备。本发明具有高介电常数、高自发极化、高临界电场和晶格匹配的异质材料。
sic hemt 器件制备方法

[发明专利]一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法-CN201510490653.7有效
发明人：刘兴昉;刘斌;闫果果;刘胜北;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，包括步骤1取一零偏角衬底并清洗；步骤2在零偏角衬底之上外延硅层；步骤3升高温度使硅层熔化形成熔融硅层；步骤4通入碳源，使熔融硅层转变成碳化硅层；步骤5判断碳化硅层是否达到所需厚度，如果未达到，则重复执行步骤2～步骤4；如果达到，则执行步骤6；步骤6将未转变成碳化硅层的硅层腐蚀掉，留下完整的碳化硅。本发明利用液硅浸润碳化硅外延表面，并将体系温度升高，提高碳源在液硅中的溶解度，随之采用液相外延生长方法在零偏角碳化硅衬底上进行同质外延生长，可以防止外延层中出现相畴、晶界等缺陷，提高外延层品质，具有很大优势。
一种偏角衬底外延碳化硅方法

[发明专利]一种氮化镓系发光器件-CN201310651954.4有效
发明人：姬小利;路红喜;郭金霞;魏同波;伊晓燕;王军喜;杨富华;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓系发光器件，包括衬底；成核层；n型III族氮化物层；多量子阱有源区；最后一个量子垒层；类电子阻挡层；p型III族氮化物层；n型金属电极和p型金属电极。其中最后一个量子垒层和类电子阻挡层之间的界面存在负的净极化电荷。本发明提出的上述方案相比现有的GaN LQB/AlGaN EBL结构(界面存在正的净极化电荷)，或极化匹配GaN LQB/AIInGaN EBL结构(界面净极化电荷为零)，能够增强电子阻挡层阻挡电子泄漏的效果，从而提高LED发光效率，并减少大注入电流下的发光效率衰减。
一种氮化发光器件

[实用新型]一种半导体设备的系统安装辅助工具-CN201720324799.9有效
发明人：杨秋旻;李弋洋;张杨;曾一平 -专利权人：中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： F16M11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体设备的系统安装辅助工具，用于分子束外延设备的源炉安装，其特征在于该安装辅助工具包括设备支撑底座，该底座包括基础底座、底座万向移动装置和垂直于地面的升降平台；角度调整机构，该角度调整机构包括三角形支架和角度调整轴，该三角形支架安装在设备支撑底座上，在三角形支架的顶端固定有角度调整轴，该角度调整轴可以调节源炉的俯仰角并具有第一锁紧装置，该第一锁紧装置可以在任意位置对源炉进行角度锁紧；源炉固定装置，包括源炉固定托架，该托架可拆卸地与角度调整轴安装在一起，用于承载源炉。
一种半导体设备系统安装辅助工具

[发明专利]一种业务处理方法、装置、移动通信终端和SIM卡-CN201210570797.X有效
发明人： 曾一平;袁向阳 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H04W4/24 文献下载
摘要：本发明提供一种业务处理方法、装置、移动通信终端和SIM卡，所述业务处理方法，用于一移动通信终端，所述移动通信终端中设置有一存储有用户配额信息的SIM卡，所述业务处理方法具体包括在向网络侧发起业务请求前，向SIM卡发送业务发起通知消息，使得SIM卡能够基于所述用户配额信息进行处理，获取一验证信息；接收SIM卡返回的所述验证信息；向网络侧发送携带有所述验证信息的第一业务请求消息，使得网络侧能够基于所述验证信息为所述移动通信终端提供所述第一业务请求消息请求的业务。本发明能够减少网络侧与计费系统间的交互。
一种业务处理方法装置移动通信终端 sim

[发明专利]一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法-CN201410851645.6有效
发明人：刘胜北;何志;刘斌;刘兴昉;杨香;樊中朝;王晓峰;王晓东;赵永梅;杨富华;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢气微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法，其包括步骤一清洗需要碳化硅晶片；步骤二将清洗后的碳化硅晶片放入高温炉腔室内；步骤三将高温炉腔室内温度升至刻蚀温度，通入氢气或氢气混合气体，进行微刻蚀过程；步骤四将高温炉腔室内温度降至室温及关闭所通入的氢气或氢气混合气体。本发明通过在碳化硅退火过程中，通入氢气，利用氢气来刻蚀碳化硅的表面，通过控制刻蚀深度来保证所需的离子分布。从而保证退火后碳化硅良好的表面状况。简化了离子激活的工艺过程。
一种 h2 刻蚀进行碳化硅离子激活方法

[发明专利]GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法-CN201410072466.2有效
发明人：王成艳;张杨;关敏;丁凯;张斌田;林璋;黄丰;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测汞离子(Hg2+)的GaAs基PHEMT生物传感器，其以GaAs基PHEMT为基底，利用GaAs基PHEMT器件源漏电流随着栅极电荷的改变会发生规律性变化的特性，在特定条件下，通过在栅极固定生物敏感元件，当吸附重金属离子Hg2+时，会引起栅极表面电荷分布的变化，从而导致沟道载流子浓度变化。测试源漏电流的变化量来标定溶液中Hg2+的浓度，从而达到定量检测重金属Hg2+的目的。本发明的优点在于器件灵敏度高，响应速度快，可实现随身携带和实时检测，对于食品安全、临床诊断上具有十分重要的意义，可以从根本上预防汞中毒并在汞中毒时快速诊断，减少由于诊断不及时造成的伤害。
gaas phemt 生物传感器及其制作方法

[发明专利]用于碳化硅生长的高温装置及方法-CN201510008972.X有效
发明人：刘兴昉;刘斌;闫果果;刘胜北;田丽欣;申占伟;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明一种用于碳化硅生长的高温装置及方法，该装置包括一外壳，为筒形结构；一生长室，为筒形结构，其位于外壳的中间；一出气管，其固定在生长室的顶部；一温度探测器，其固定在生长室的顶部；一生长源进气管，其位于生长室内的侧壁，且通向生长室的底部；一可旋转载盘，其从上至下通过一轴杆连接至生长室的中间部位；一匀气盘，其固定在生长室的底部；一加热器，其位于生长室的下面，在外壳内，该加热器与生长室之间形成一燃烧室；一保温层，其围绕在生长室的外侧；一排烟管，其一端固定于保温层上与燃烧室相通，另一端经外壳通往室外。本发明可以避免巨大的电力消耗，又可以提高生产效率、降低能耗。
用于碳化硅生长高温装置方法

[发明专利]碳化硅外延层区域掺杂的方法-CN201510490656.0有效
发明人：刘兴昉;刘斌;闫果果;刘胜北;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺杂源，使熔化的第一图形化硅层形成第一类型掺杂的碳化硅，形成基片；低温下通入硅源，在基片上生长第二本征硅层；刻蚀，将第一类型掺杂的碳化硅上的第二本征硅层刻蚀掉，刻蚀深度到达第一类型掺杂的碳化硅的表面，形成第二图形化硅层；升高温度使第二图形化硅层熔化，通入碳源，同时通入第二类型掺杂源，使熔化的第二图形化硅层形成第二掺杂的碳化硅层；腐蚀硅残留，得到所需完整的具有第一、第二类区域掺杂类型碳化硅外延层，完成制备。
碳化硅外延区域掺杂方法

[发明专利]双喷头MOCVD反应室-CN201510324888.9有效
发明人：冉军学;胡国新;李晋闽;王军喜;段瑞飞;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机气象化学沉积反应室，所述反应室包括腔体，所述腔体包括顶板、底板和侧壁，所述顶板底板和侧壁围成基本封闭的腔室；上进气喷淋头，设置于所述反应室腔室内的上部与气源连通；下进气喷淋头，设置于所述反应室腔室内的下部与气源连通；托盘组件，固定设置在所述反应腔体内的中部，所述托盘组件包括上基底托盘和下基底托盘，所述上基底托盘和下基底托盘相背对设置，所述上基底托盘与所述上进气喷淋头相对；所述下基底托盘与所述下进气喷淋头相对；加热器，位于上基底托盘和下基底托盘之间。通过这种反应室能够有效提高空间利用率、气体利用率及热能的利用率。
喷头 mocvd 反应

[实用新型]一种深紫外LED芯片-CN201720163155.6有效
发明人：段瑞飞;杜泽杰;王文军;王晓东;陈皓;羊建坤;冉军学;王军喜;曾一平 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种深紫外LED芯片，包括基底衬底，所述基底衬底包括蓝宝石衬底、Si衬底或石英衬底；溅射形核层，所述溅射形核层设置在所述基底衬底上，为一层通过磁控溅射系统形成于所述基底衬底上的多晶AlN薄膜；AlN外延层，所述外延层形成于所述溅射形核层上，为一层通过MOCVD设备形成的单晶AlN薄膜。通过设置异质衬底来降低深紫外LED芯片的成本，同时通过在所述衬底上依次设置高质量AlN形核层和AlN外延层从而保证了在AlN模板化衬底上形成深紫外LED芯片其他功能层的质量，这样通过上述结构的改进使得该芯片生产和制造成本降低。
一种深紫 led 芯片