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[发明专利]一种晶圆级封装中形成导电插塞的方法及晶圆级封装结构-CN201810069676.4在审
发明人：刘孟彬 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装中形成导电插塞的方法及晶圆级封装结构，该方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有多个第一芯片，所述第一晶圆的正面或背面通过芯片连接薄膜粘贴有多个第二芯片；在所述第一晶圆的与粘贴有多个所述第二芯片的一面相背的另一面上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜依次刻蚀所述第一晶圆和所述芯片连接薄膜，以形成贯穿所述第一晶圆和所述芯片连接薄膜的通孔；以导电材料填充所述通孔形成导电插塞。该晶圆级封装中形成导电插塞的方法可以实现更好的电性连接。该晶圆级封装结构具有类似的优点。
晶圆导电插塞晶圆级封装结构芯片连接芯片图形化掩膜层通孔种晶薄膜封装导电材料填充晶圆级封装薄膜粘贴电性连接刻蚀相背掩膜粘贴背面贯穿

[发明专利]器件封装结构及封装过程中应力释放的方法-CN201810045602.7在审
发明人：杨天伦 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件封装结构及封装过程中应力释放的方法，器件封装方法包括：提供一承载部件，将多个待封装单元间隔固定于所述承载部件上；在所述承载部件上形成塑封层，所述塑封层覆盖所述承载部件以及所述待封装单元；在所述塑封层上形成多个应力释放开口，所述应力释放开口能够释放所述塑封层内部的应力，减小待封装单元塑封后的翘曲度，以方便后续工艺制作，从而适合大规模量产，并且同时提高了器件封装结构的质量及性能。
承载部件应力释放塑封层器件封装结构封装单元封装过程开口后续工艺间隔固定器件封装翘曲度减小量产塑封释放覆盖制作

[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201611192743.9在审
发明人：朱继光;李海艇;何作鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成隔离层，在所述隔离层上形成多层层叠结构，每层所述层叠结构包括一层金属层和一层覆盖该金属层的介质层，多层所述金属层形成至少一个电感线圈结构，在所述层叠结构与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成磁芯。该制作方法可以提高电感器件的感应系数和电感值，进而提高诸如RF器件等半导体器件的射频性能。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。
半导体器件电子装置金属层电感线圈结构层叠结构隔离层制作晶圆电感多层层叠结构电感器件感应系数射频性能中心区域介质层磁芯多层覆盖

[发明专利]半导体感光器件及其感光表面处理方法-CN201711352995.8在审
发明人：刘孟彬 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体感光器件及其感光表面处理方法，感光表面处理方法包括提供具有感光功能面的半导体感光器件；采用分子气相沉积工艺在感光功能面上形成透光疏水覆盖层。在半导体图像传感器模组的组装过程中，透光疏水覆盖层能避免感光功能面接触水等溶液和颗粒物，以免产生像素成像的缺陷；通过分子气相沉积工艺，透光疏水覆盖层以分子层形式形成于感光功能面，具有厚度小、厚度均一性好的特性，透光疏水覆盖层的透光性相应较好，从而避免对半导体感光器件的光学性能造成不良影响，透光疏水覆盖层的厚度较小还能避免对打线制程造成不良影响；综上，本发明通过分子气相沉积工艺形成透光疏水覆盖层，有利于提高半导体图像传感器模组的加工组装成品率。
半导体感光器件及其表面处理方法

[发明专利]肖特基二极管及其形成方法、半导体器件-CN201711287896.6在审
发明人：陈达 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基二极管及其形成方法、半导体器件。通过形成掺杂浓度呈梯度分布的半导体层，以弱化半导体层在平衡状态下其内部的自建电场的电场强度，从而可有效降低肖特基二极管的正向导通压降。并且，通过在半导体层中形成沟槽，以使肖特基接触层从半导体层的表面上进一步延伸至半导体层的内部中，从而在反向偏压下，使所形成的耗尽区从半导体层的界面区域扩展到半导体层的内部，拓宽了承受电压的区域，进而有利于减小反向漏电流并增大反向击穿电压。可见，本发明中的肖特基二极管，能够同时优化其反向漏电流、反向击穿电压和正向导通压降，从而可提高肖特基二极管的整体性能。
肖特基二极管及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片-CN201610074707.6有效
发明人：钟晓辉 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片，其包括引线框架，引线框架具有一个封装面，封装面上设置有16个相互隔离且绝缘的引出脚，封装面上封装有采用低压工艺制成的低压控制芯片和采用高压工艺制成的高压驱动芯片，低压控制芯片具有14个相互隔离且绝缘的引脚，高压驱动芯片具有7个相互隔离且绝缘的引脚，低压控制芯片和高压驱动芯片之间通过2个引脚连接，低压控制芯片的12个引脚与封装面上的12个引出脚连接，高压驱动芯片的3个引脚与封装面上的3个引出脚连接；优点是由于低压控制芯片和高压驱动芯片分开代工，因此不需要在一个芯片里同时使用两种工艺，两种芯片分开中测，双芯片封装能提高良率，降低芯片成本。
一种芯片封装实现大功率谐振电源控制