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[发明专利]一种掩膜版及其制造方法-CN201810355950.4有效
发明人：刘孟彬;罗海龙 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版及其制造方法，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内具有贯穿所述衬底的多个开口，所述衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于所述第一表面的掩膜图形层，所述掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；所述掩膜图形层具有图形区和遮挡区，所述图形区具有至少一个通孔，所述开口暴露出所述图形区，每一所述开口与一所述图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，所述遮挡区位于所述图形区的外侧、与所述衬底相对。该掩膜版的质量高，并且精准度更高，在将所述掩膜版用于有机层的蒸镀工艺时，可以提高有机层的沉积质量，提高后期产品的质量。
一种掩膜版及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置-CN201510019317.4有效
发明人：黄河;李海艇;朱继光;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底的第一表面一侧形成晶体管的源极、漏极和栅极，形成覆盖第一表面的第一介电盖帽层以及位于第一介电盖帽层上的互连结构；提供承载衬底，将所述第一衬底的形成有所述第一介电盖帽层的一侧与所述承载衬底相接合；从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理至第二深度。该方法由于包括在第一衬底上接合承载衬底并对第一衬底进行减薄处理的步骤，因而可以用普通的体硅衬底而非薄膜绝缘体上硅衬底作为第一衬底，从而可以降低成本。本发明的电子装置，包括采用该方法制造的半导体器件，因而同样具有上述优点。
一种半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法-CN201810069675.X有效
发明人：刘孟彬 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级系统封装方法，包括：提供具有多个第一芯片的衬底，所述第一芯片利用半导体工艺生长而成；提供多个第二芯片，将所述第二芯片设置在所述衬底上，使至少其中一个第二芯片与至少其中一个所述第一芯片通过导电凸块电连接，电连接的第一芯片和第二芯片具有重叠部分；将封装材料覆盖所述第二芯片和所述衬底，以固定所述第二芯片。根据本发明的晶圆级系统封装方法，使晶圆级封装与系统集成方法相结合，同时实现了多种芯片的集成和在衬底上完成封装制造优势。
一种晶圆级系统封装方法

[发明专利]一种晶圆级系统封装方法以及封装结构-CN201811572346.3有效
发明人：刘孟彬;石虎 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级系统封装方法以及封装结构。所述方法包括：提供承载晶圆，在所述承载晶圆上粘结芯片；在所述承载晶圆上形成键合材料层，以覆盖所述芯片并作为封装层；提供形成有芯片的器件晶圆，并将所述器件晶圆形成有芯片的面与所述承载晶圆经所述键合材料层相接合；形成将所述承载晶圆上的芯片和/或所述器件晶圆上的芯片电性连接到表面的插塞。本发明的封装方法在晶圆上完成封装制造，既完成了多种芯片的集成，又实现了在晶圆上完成封装制程等制造优势。由本发明的晶圆级系统封装方法制备获得的封装结构同样具有更高的性能和良率。
一种晶圆级系统封装方法以及结构

[发明专利]一种压力传感器及其形成方法-CN201810354360.X有效
发明人：陈达;罗海龙;叶菲;宋炳含 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：公开了一种压力传感器及其形成方法。该压力传感器包括：支撑衬底，设置于所述支撑衬底上的微悬臂梁；所述微悬臂梁包括压电膜组，所述压电膜组包括至少两层层叠设置的压电膜，相邻两层压电膜的材料不同。根据本发明的压力传感器中的微悬臂梁包括至少两层层叠设置的压电膜，当微悬臂梁的梁体受力时，各个压电膜都出现电势差，因此提高了对外电势差值，从而提高了压力传感器的灵敏度。进一步地，通过设置至少两个微悬臂梁，扩大了探测流体的范围，并且使得流体作用到微悬臂梁从而能够被压力传感器探测的概率增大，从而提高了压力传感器的灵敏度和可靠性。
一种压力传感器及其形成方法

[发明专利]SOI衬底、半导体器件及其形成方法-CN201810718302.0有效
发明人：陈达 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI衬底、半导体器件及其形成方法。该SOI衬底包括：提供第一硅衬底，所述第一硅衬底包括第一硅层；提供第二硅衬底，所述第二硅衬底包括第三硅层和氧化层，所述氧化层的表面存在贯穿所述氧化层的凹槽，所述凹槽位于有源区，所述凹槽中填充有与所述第一硅层不同掺杂类型的硅材料，所述第三硅层与所述第一硅层为相同掺杂类型；键合所述第一硅衬底的一个表面和所述第二硅衬底的氧化层表面，以形成所述SOI衬底。本发明抑制了SOI结构的自加热效应和浮体效应，并且抑制了SOI结构的自加热效应。
soi 衬底半导体器件及其形成方法

[发明专利]湿法清洗设备-CN201811159489.1有效
发明人：陈达 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种湿法清洗设备，包括：旋转台，旋转台的表面设有出气口；多个管脚，多个管脚以旋转台的中心轴为圆心，沿旋转台的上表面圆周设置，且旋转台的出气口设置于管脚的内侧，在靠近晶圆边缘处的设备部件上设有增加的气流通道；当气流通过增加的气流通道时，气体流速减缓，同时疏导气流碰到管脚后的反作用，减少管脚处流下来的溶液对晶圆边缘的污染，降低晶圆边缘的缺陷密度，提高产品良率。
湿法清洗设备

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置-CN201510018692.7有效
发明人：黄河;李海艇;朱继光;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供第一衬底；在第一衬底的第一表面一侧形成至少一个晶体管，形成覆盖所述第一表面的第一介电盖帽层以及位于所述第一介电盖帽层上的互连结构；提供承载衬底，将所述第一衬底的形成有所述第一介电盖帽层的一侧与所述承载衬底相接合；从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面对所述第一衬底进行减薄处理至第二深度。该方法由于包括在第一衬底上接合承载衬底并对第一衬底进行减薄处理的步骤，因而可以用普通的体硅衬底而非薄膜绝缘体上硅衬底作为第一衬底，从而可以降低成本。本发明的电子装置，包括采用该方法制造的半导体器件，因而同样具有上述优点。
一种半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]一种薄膜声波谐振器及其制造方法-CN202011123731.7在审
发明人：张显良;赵洪波;李志超;李萍 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜声波谐振器及其制造方法，其中，薄膜声波谐振器包括：含有声反射结构的第一衬底；声波谐振器单元，至少部分位于所述声反射结构上，所述声波谐振器单元从下至上依次包括叠置的第一电极、压电层和第二电极；基板，通过环形围堰与所述第一衬底键合，并在所述基板与所述声波谐振器单元之间形成空腔，所述空腔中至少包括一个所述声波谐振器单元，所述基板和所述环形围堰其中至少之一具有屏蔽电磁波的作用。本发明有效的阻挡或衰减了谐振器单元产生的电磁波对外的传播，从而抑制谐振器单元的对外电磁辐射。
一种薄膜声波谐振器及其制造方法

[发明专利]SOI衬底、半导体器件及其形成方法-CN201810343686.2有效
发明人：陈达 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了SOI衬底、半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：SOI衬底，该SOI衬底的顶层硅与氧化层的接触面上存在凹陷区域，所述凹陷区域位于有源区；位于顶层硅中的隔离结构；位于顶层硅上方的栅极结构，该栅极结构包括：栅极，以及位于栅极两侧顶层硅中的源区和漏区；覆盖所述顶层硅、所述栅极结构以及所述侧壁的层间电介质层；位于所述凹陷区域上方并贯穿所述层间电介质层和所述顶层硅的孔；填充所述凹陷区域的石墨层以及填充所述孔的石墨柱。根据本发明有利于抑制SOI结构的浮体效应。
soi 衬底半导体器件及其形成方法

[发明专利]元件组装方法及电子装置-CN202011024138.7在审
发明人：桂珞 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种元件组装方法及电子装置，通过控制形成的呈流体状的第一胶粘层伸入到所述通孔中的深度，并在装配第二元件之前对所述第一胶粘层进行半固化或者全固化处理，能够实现对通孔的堵孔的目的，进而在将第二元件粘接到第一胶粘层上时，能避免第一胶粘层被挤到第二部件通孔下方的第一部件上，进而可以避免在第二元件组装到第一元件上后造成第一元件失效的问题，能够适用于镜头模组或者具有镜头模组的电子产品等电子装置的组装。
元件组装方法电子装置

[发明专利]转接机构及其制作方法、封装体-CN201911142870.1在审
发明人：黄河;向阳辉;桂珞 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种转接机构及其制作方法、封装体。所述转接机构，用于将至少两个需电连接的元件电连接，包括：主体部；位于所述主体部上的重布线层；与所述重布线层电连接的多个焊盘，所述焊盘分成至少一对转接焊盘组，每对转接焊盘组包括第一转接焊盘组和第二转接焊盘组，所述第一转接焊盘组和第二转接焊盘组通过所述重布线层对应电连接；所述第一转接焊盘组和第二转接焊盘组各自用于与一待连接的元件电连接。该转接机构采用了第一转接焊盘组和第二转接焊盘组的形式，有利于简单、快速地实现元件之间的电连接，无需通过一根一根逐一打线的方式实现两个元件的电连接，有利于提高生产效率和产品良率。
转接机构及其制作方法封装

[发明专利]集成结构及其制作方法、电子器件、图像传感器模块-CN201911142884.3在审
发明人：桂珞;黄河;向阳辉 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有密封空间的集成结构及其制作方法、电子器件、图像传感器模块。具有密封空间的集成结构包括封盖、转接机构、芯片、密封元件。转接机构设置于封盖上，所述转接机构围成环形空间，密封元件密封所述芯片和所述转接机构之间的空隙，使所述环形空间为密封空间，芯片置于密封空间内，提高了芯片的抗污染能力，降低了芯片后续再操作的工艺环境要求，提高良率。转接机构包括电磁干扰屏蔽层，封盖与电磁干扰屏蔽层电连接，从而提高了芯片和转接机构的抗电磁干扰能力。避免在芯片上打线对焊盘造成损伤，提高产品良率。电子器件将集成结构封装在封装基板上，便于使用。图像传感器模块提高了图像传感器芯片的抗污染能力。
集成结构及其制作方法电子器件图像传感器模块

[发明专利]指纹识别模组及其制造方法、电子设备-CN201910663428.7在审
发明人：石虎;刘孟彬;向阳辉 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种指纹识别模组及其制造方法、电子设备，方法包括：提供衬底，衬底中形成有信号处理电路；提供承载基底；在承载基底上形成压电换能器，包括第一电极、位于第一电极上的压电层、以及位于压电层上的第二电极；在承载基底或衬底上形成具有空腔的永久键合层；利用永久键合层键合承载基底和衬底，永久键合层位于压电换能器与衬底之间且压电换能器遮盖空腔；去除承载基底。所述方法无需形成填充满空腔的牺牲层，相应无需进行牺牲层释放的操作，以免出现在空腔中形成牺牲层残留物的问题，且压电换能器遮盖空腔，提高了压电换能器的声学性能；综上，提高了指纹识别的精准度。
指纹识别模组及其制造方法电子设备

[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN201911145346.X在审
发明人：姜水龙 -专利权人： 中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种刻蚀方法和刻蚀系统，所述刻蚀方法用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀，所述刻蚀方法包括：获得掩盖层的目标厚度，所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度；在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，所述掩盖层露出部分的被刻蚀层；以所述掩盖层为掩膜，采用所述刻蚀工艺去除所述掩盖层和所述掩盖层露出的部分厚度的所述被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成目标图形。本发明实施例通过在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层，且所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀所述被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度，有利于精确控制对被刻蚀层的刻蚀深度、增大刻蚀工艺的工艺窗口。
刻蚀方法系统