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[发明专利]一种晶圆级封装的再处理方法-CN202310431692.4有效
发明人：崔正山;程李标;张国栋;龙欣江 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装的再处理方法，该方法包括：如果不需要退PI层，只需要对晶圆进行退Bump、退Ti或TiW处理；如果需要退PI层，再处理方法包括退PI层（IPA浸泡）、退Bump、退Ti或TiW处理。本发明不仅解决了晶圆返工再处理时Al pad（芯片压区/铝衬垫）受损的问题，还可以针对WLCSP、Pillar、Solder等多类型产品所涉及的0P1M、1P1M、1P2M、2P2M等nPnM结构进行部分或者全部工序的再处理。采用本发明的再处理方法可以挽救低良的晶圆，将异常的工序进行返工再处理，甚至将晶圆产品恢复至来料状态，便于后续进行再次加工以提高晶圆良率，以此提高整个晶圆产品的良率。
一种晶圆级封装处理方法

[发明专利]使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法-CN202310433234.4有效
发明人： 龙欣江;杨阳;潘明东;张国栋;张中 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构及其制备方法。该硅基支撑结构包括硅片本体，在硅片本体上开设至少一个镂空区域，单个镂空区域内能够容纳封装结构中对应位置的芯片，硅片本体背面贴装到封装结构内，硅片本体正面的非镂空区域形成有支撑部，所述硅基支撑结构一体成型。封装结构的重布线层、塑封层可以单一或者同时嵌入至少一层硅基支撑结构。本发明公开的使用硅基支撑结构的晶圆级扇出型封装结构在应力的作用下，也不易发生翘曲的问题；具体是硅基支撑结构对整个封装结构起到了很好的支撑作用，其还能够辅助散热，提高封装结构的散热性能。
使用支撑结构晶圆级扇出型封装及其制备方法

[实用新型]一种测试晶圆及其测试系统-CN202223520092.5有效
发明人：程冰;范勤良;龙欣江;梅万元 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测试晶圆及其测试系统，该测试晶圆包括晶圆光片，在晶圆光片上溅射有钛金属层、铜金属层，铜金属层和钛金属层通过间隙隔离带分隔为若干等份，各间隙隔离带汇聚于一点，若干份铜金属层和钛金属层形成独立的测试区，铜金属层上涂有光刻胶层，各测试区上的光刻胶层设测量点，测量点处暴露出铜金属层；该测试系统包括电镀机、电阻测量仪、测试晶圆，测试晶圆安装于电镀机的晶圆夹具，测试区位于电镀空间内，金属密封导电环的导电触点与测试区所在面接触，电阻测量仪用于测量各测试区与导电块之间的电阻。本实用新型能快速有效识别异常的金属密封导电环，防止发生产品品质异常，大大简化异常排查流程，快速解决电镀高度异常问题。
一种测试及其系统

[发明专利]一种晶圆级多芯片堆叠封装结构及工艺-CN202210738018.6在审
发明人： 龙欣江;张国栋;张中;杨阳 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级多芯片堆叠封装结构及工艺，包括衬底、分布在衬底上的第一芯片、设置在第一芯片上的第一再布线层、连接第一再分布层表面的第一金属连接结构、布置在第一金属连接结构所围区域之间的第二芯片；所述第二芯片上设有第二再布线层或第二金属连接结构，所述第一金属连接结构和第二芯片被包裹在塑封层中，第一金属连接结构和第二再布线层在超出塑封层的端部设有凸块，或第一金属连接结构和第二金属连接结构在超出塑封层的端部设有凸块。本发明在第一再布线层上选择固定第一金属连接结构的位置，由各个第一金属连接结构围成的区域为第二芯片提供放置空间，每个放置空间内可对应布置一个或多个第二芯片，最大化利用封装体内的空间。
一种晶圆级多芯片堆叠封装结构工艺

[发明专利]一种具有TSV的异构芯片封装结构的封装方法-CN202210638461.6在审
发明人：李帅;陈文军;龙欣江;梅万元 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有TSV的异构芯片封装结构的封装方法，其包括：来料晶圆、线路层金属焊盘、第一玻璃晶圆和第二玻璃晶圆。本发明通过塑封前Cu Revealing对来料晶圆进行露TSV处理（Cu Revealing），避免了先塑封再进行露TSV处理，导致塑封层翘曲，从而影响产品质量和发生其他异常情况。本发明采用了先进的重组晶圆封装技术和可靠的互连技术，实现了不同功能的多芯片封装结构。本发明还采用了塑封层将待封装芯片（含TSV）嵌入在其中，使待封装芯片的前后左右四个面及背面均得到物理和电气保护，提高了封装产品的可靠性；基于该封装方法制备的扇出型封装模块，可以直接焊接在印刷电路板上，无需再转接到基板上。
一种具有 tsv 芯片封装结构方法

[实用新型]一种六面包覆的扇出型芯片封装结构-CN202123440565.6有效
发明人：张中;谢雨龙;龙欣江;张国栋;梅万元 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种六面包覆的扇出型芯片封装结构，芯片，芯片正面设有多个压区，芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层，塑封层背面粘合有支撑层，支撑层的背面覆盖有背胶层，芯片正面具有再钝化层、再布线金属层和金属凸块，再钝化层覆盖芯片正面和塑封层正面，再布线金属层的一端与压区接触，再布线金属层的另一端与金属凸块连接，再钝化层上设有再保护层，金属凸块的端部裸露且与再保护层的正面齐平，芯片正面设有增强层，塑封层选用ABF膜层压成型。本实用新型提供了的封装结构，能有效保护芯片，可缩小整体结构体积，提高芯片的传输速率和传输稳定性，封装后的芯片不易翘曲，切割时不易划伤、碰撞缺损等，良品率大大提高。
一种面包扇出型芯片封装结构

[实用新型]一种防止铟片溅射的芯片封装结构-CN202123391212.1有效
发明人：张国栋;潘明东;张中;龙欣江;许连军 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种防止铟片溅射的芯片封装结构，包括基板、分别固定在基板上的转接板和被动元件、固定在转接板上的芯片、覆盖在芯片上的铟片、以及设置在铟片上的散热片，铟片的周边围设硅胶条，且在硅胶条上设有排气孔，散热片压紧铟片及硅胶条，且散热片边缘固定在基板上。本实用新型在铟片周围设置一圈硅胶条，在封装过程中，即使温度过高造成铟金属的沸腾，硅胶条能够有效进行阻挡，防止铟金属外溢及飞溅，保护周围电容等元器件不被污染失效；同时，在铟金属液态状态下，硅胶条能够防止液态铟金属外流，保证了铟金属的覆盖率及其导热效果；此外，硅胶条上预留排气孔，避免硅胶条整体形成密闭腔体，有效防止增设硅胶条而产生的炸裂现象。
一种防止溅射芯片封装结构

[实用新型]一种半导体封装结构及测试系统-CN202123170489.1有效
发明人： 龙欣江;张国栋;梅万元;张中;陈文军 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体封装结构，所述芯片包含芯片本体，在芯片本体的表面设有至少两个凸块，所述芯片本体表面设有两组梳状不导通的导线，每组导线与一个凸块连接。本实用新型的半导体封装结构，有效避开了芯片内部线路干扰、不需要客户提供产品设计信息，并且能够在边缘无效芯片上进行测量，不需要挑选底部不导通的凸块，能避开芯片内部线路进行测量，对漏电流更敏感，测量范围更广。
一种半导体封装结构测试系统

[实用新型]一种半导体器件及测试系统-CN202123125358.1有效
发明人：梅万元;张国栋;谢雨龙;龙欣江;陈文军 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，包括晶圆衬底、金属层、与金属层相连的焊盘，以及钝化层；在所述钝化层表面间隔设置至少两个凸块，至少两个所述凸块分别与同一个焊盘部分重叠。本实用新型的一种半导体器件，有效避开了芯片内部线路干扰、不需要客户提供产品设计信息，并且能够在边缘无效芯片上进行测量。
一种半导体器件测试系统

[发明专利]一种六面包覆的扇出型芯片封装方法和封装结构-CN202111678434.3在审
发明人：张中;谢雨龙;龙欣江;张国栋;梅万元 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种六面包覆的扇出型芯片封装方法及封装结构，芯片，芯片正面设有多个压区，芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层，塑封层背面粘合有支撑层，支撑层的背面覆盖有背胶层，芯片正面具有再钝化层、再布线金属层和金属凸块，再钝化层覆盖芯片正面和塑封层正面，再布线金属层的一端与压区接触，再布线金属层的另一端与金属凸块连接，再钝化层上设有再保护层，金属凸块的端部裸露且与再保护层的正面齐平，芯片正面设有用于架高芯片的增强层，塑封层选用ABF膜层压成型。本发明提供的封装方法简便，且封装后的结构能有效保护芯片，提高芯片的传输速率和传输稳定性，封装后的芯片不易翘曲，切割时不易划伤、碰撞缺损等，良品率大大提高。
一种面包扇出型芯片封装方法结构

[发明专利]采用双刀切双排管脚的QFN封装方法-CN202111681426.4在审
发明人：张国栋;潘明东;龙欣江;许连军;徐海 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用双刀切双排管脚的QFN封装方法，包括以下步骤：来料准备、涂胶、芯片安装、电气连接、包覆、第一次切断、第二次切断、分离芯片、包装入库等步骤。本发明提供了一种简化生产工序、降低生产成本且提高加工效率的采用双刀切双排管脚的QFN封装方法通过内排管脚不设计支撑筋，用内外排管脚通过同一根第二支撑筋支撑，包封完之后先将内排管脚与外排管脚之间的第一支撑筋切断再切割第二支撑筋将产品切割分离出来，可以将有效改善双排管脚间切割毛刺的问题，且不用特别建立封装蚀刻线，降低了封装成本。
采用双刀切双排管脚 qfn 封装方法

[实用新型]半导体湿法设备混合配比集中供液系统-CN202122822174.4有效
发明人： 龙欣江;陈文军;梅万元;张中 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B01F25/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体湿法设备混合配比集中供液系统，包括设置在无尘室内的阀箱以及设置在集中供液室内的集中供液部、混合桶组件、校准桶、日用桶和连接管组件，集中供液部连接混合桶组件，混合桶组件连接校准桶，校准桶连接日用桶，日用桶连接湿法设备，日用桶与湿法设备之间设有阀箱，连接管组件连接供液部、混合桶组件、校准桶、日用桶、阀箱和湿法设备，集中供液部与湿法设备之间相互连接。本实用新型提供了一种实现高效全自动集中供液、降低了车间危害化学品使用安全风险、整个供液系统实现自动化液体调配、减少人员操作、浓度精确的半导体湿法设备混合配比集中供液系统。
半导体湿法设备混合配比集中系统

[发明专利]一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法-CN202111477825.9在审
发明人：张中;张国栋;陈文军;龙欣江;谢雨龙 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开的光刻‑曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻‑曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；所述曝光步骤包括边缘曝光和整片曝光，边缘曝光时沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；整片曝光时采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。本发明提供的方法显影后会在晶圆片内边缘留下一圈胶线，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，从而提高电镀效率，改善电镀质量。
一种光刻曝光工艺中晶圆片边缘处理方法

[发明专利]晶圆传送盒和晶圆自动传送系统-CN201710488240.4有效
发明人：甄静;许琦欣;王刚;章力;龙欣江;陈西平 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供的一种晶圆传送盒和晶圆自动传送系统，包括用于存储晶圆的晶圆存储框架、一底座、一罩壳、一盒盖和一旋转连接机构。所述底座和所述罩壳固定连接，且所述底座和所述罩壳围成了一个用于容纳所述晶圆存储框架的空腔，所述罩壳上设置有用于取放晶圆的一开口，所述盒盖通过所述旋转连接机构旋转连接所述罩壳，转动所述旋转连接机构时所述盒盖在所述底座上滑动以闭合和开启所述开口。本发明通过将存储晶圆的晶圆存储框架放置于底座和罩壳围成的空腔内，避免了晶圆在传输的过程中受到污染；并通过旋转连接机构驱动盒盖沿着圆弧形轨迹移动，使盒盖闭合和开启开口，实现了晶圆传送盒的自动闭合和开启。
传送自动系统

[实用新型]一种晶圆热处理装置-CN201820939051.4有效
发明人：陈文军;蒋建勇;龙欣江;赖志明;陈锦辉 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆热处理装置，属于半导体设备工装技术领域。其包括加热腔室（11）和排风系统，晶圆（20）放置在加热腔室（11）内，排风系统设置在加热腔室（11）的顶部，包括排气腔体（13）、排气孔（15）、排气接口（17），所述排气腔体（13）与加热腔室（11）构成密闭空间，还包括吸油纸/膜（40），所述吸油纸/膜（40）铺设在排气腔体（13）的下方，其通过连接件与排气腔体（13）的底部固定。该装置可以有效解决因为挥发物引起的油污滴胶问题，省时省力省成本，提高了生产力。
加热腔室排气腔体热处理装置排风系统吸油纸种晶挥发物工装技术领域半导体设备本实用新型密闭空间排气接口有效解决连接件排气孔省成本油污滴胶晶圆省时省力铺设生产力

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