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[发明专利]一种功率半导体模块-CN202211405522.0有效
发明人： 魏晓光;唐新灵;林仲康;王亮;代安琪;杜玉杰;石浩;韩荣刚;周扬;王磊;孙帅 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
一种功率半导体模块

[实用新型]一种适用于高压功率芯片的终端结构-CN202321297019.8有效
发明人：李翠;魏晓光;金锐;和峰;王耀华;刘江;高凯;聂瑞芬;田宝华;李立;高明超;郝夏敏;孙琬茹 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
一种适用于高压功率芯片终端结构

[发明专利]一种用天然气制备球团矿的方法-CN202310734353.3在审
发明人： 魏晓光;王兰玉;郑艾军;张胜利;路鹏;郭小龙;郭考;刘福泉;刘建华;王慧平 -专利权人：河北张宣高科科技有限公司;宣化钢铁集团有限责任公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C22B1/242 文献下载
摘要：本发明公开了一种用天然气制备球团矿的方法，方法工艺为：1）将原料粉料混匀、烘干后，配加粘结剂，再次混匀得到混合料；2）混合料进行细磨处理，然后加水造球后得到生球；3）将生球送入链篦机干燥段进行干燥；链篦机采用天然气作为燃料，链篦机的燃烧室分布为两室四段，分为干燥室和预热室，干燥室分为干燥Ⅰ段、干燥Ⅱ段，预热室分为预热Ⅰ段、预热Ⅱ段；4）所述生球进入到回转窑进行进一步氧化；回转窑采用天然气作为燃料，回转窑焙烧温度为1223～1277℃；5）所述生球经焙烧后，进行冷却，即可得到成品球团矿。本方法在降低生产成本的同时得到高质量的球团矿，具有工艺易控、节能降耗、产品质量高的特点。
一种天然气制备球团矿方法

[外观设计]吹风机-CN202330037174.5有效
发明人：王森龙;魏晓光 -专利权人：王森龙
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： 28-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：吹风机。2.本外观设计产品的用途：用于吹干物体，主要用于头发的干燥与整形。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
吹风机

[发明专利]一种调控基平面位错的SiC外延生长方法-CN202310309155.2在审
发明人：于乐;李哲洋;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种调控基平面位错的SiC外延生长方法，是一种通过缓冲层工艺和原位刻蚀工艺实现兼具高基平面位错转化率以及基平面位错转化点下移的4H‑SiC外延生长方法。本发明在外延层生长前进行多个周期的缓冲层生长和原位刻蚀，一方面通过调控位错弹性能和材料内应力促使基平面位错转化率进一步提高，实现高基平面位错转化，另一方面通过调控表面形貌来调节镜像力的作用，使基平面位错的转化点发生下移，从而满足高压大电流电力电子器件的性能和可靠性需求。
一种调控平面 sic 外延生长方法

[发明专利]一种基于聚类和神经网络的窃电用户检测方法及系统-CN202110874191.4有效
发明人：李秀强;魏晓光;刘志刚;谢帅;万光明;孙家印;秦灏;魏卓 -专利权人：国网山东省电力公司济南供电公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06Q50/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于聚类和神经网络的基于聚类和神经网络的窃电用户检测方法及系统，获取多个用户的用电序列数据；对获取的用电序列数据进行预处理；根据预处理后的用电序列数据和预设聚类算法，将用电用户分为非窃电用户簇和窃电用户簇；根据预设时间感知循环神经网络算法，将非窃电用户簇和窃电用户簇中的每个用户转化为表示向量；根据预设多层感知机神经网络和每个用户的表示向量，对非窃电用户簇中的窃电用户进行检测，对窃电用户簇中的非窃电用户进行排除，得到窃电用户的最终检测结果；本公开通过聚类分析和循环神经网络相结合的方法，提高了窃电用户检测的准确性。
一种基于神经网络用户检测方法系统

[外观设计]电吹风机风嘴-CN202330313044.X有效
发明人： 魏晓光 -专利权人： 魏晓光
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： 28-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电吹风机风嘴。2.本外观设计产品的用途：用于安装于吹风机的出风口。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
吹风机

[发明专利]一种高可靠性半导体器件及其制造方法-CN202310576474.X在审
发明人：牛喜平;杨霏;魏晓光;桑玲;安运来;张文婷;杨同同;罗伟霞;田琰;刘瑞;杜泽晨;李晨萌 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2023-05-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高可靠性半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。
一种可靠性半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种机械式直流断路器控制器-CN201610871577.9有效
发明人：袁召;钟璨夷;何俊佳;魏晓光;张宁;赵岩;单云海 -专利权人：华中科技大学;全球能源互联网研究院;国网湖北省电力公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械式直流断路器控制器，该控制器电路包括供电模块，通讯模块，按钮模块，主控模块和驱动模块。驱动模块由机械开关驱动单元和换流回路驱动单元两个子单元组成；机械开关驱动单元，用于控制机械开关操动机构——斥力机构电源柜内分/合闸储能电容的充/放电开关，包括快速分闸电容、慢速分闸电容、合闸电容的充电开关IGBT的驱动电路和快速分闸电容、慢速分闸电容、合闸电容的放电开关晶闸管的驱动电路；换流回路驱动单元，用于控制换流回路的触发开关。本发明提供的机械式直流断路器控制器结构简单，体积小，成本低；运行功耗小；具有电磁屏蔽效果，可靠性高；可实现就地操作与远程通讯多种控制方式。
一种机械式直流断路器控制器

[发明专利]一种链篦机-回转窑制备直接还原球团的方法-CN202310534989.3在审
发明人：李晓兵;于勇;郑艾军;路鹏;张胜利;李洋;覃开伟;郭小龙;魏晓光;赵楠;刘建华 -专利权人：河北张宣高科科技有限公司;宣化钢铁集团有限责任公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C22B1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种链篦机‑回转窑制备直接还原球团的方法，其方法步骤为：1）按铁精粉≥98.8%、膨润土≤1.2%的重量配比混匀后，得到混合料；所述铁精粉TFe≥68.5%、‑0.045mm粒级≥75%；所述膨润土为钠基膨润土，吸水率≥420%；2）将混合料进行高压辊磨，直至混合料的比表面积达到≥1900cm2/g；3）高压辊磨后的混合料进行造球，所得生球水分7.0～8.0%、抗压强度10～15N/个。本方法既降低了膨润土配比，又改善了生球的落下强度，生球合格粒级比例升高，提高了料层均匀性和透气性，改善回转窑的氧化气氛，使直接还原球团矿充分的氧化，降低球团的FeO含量，提高了直接还原球团的强度。
一种链篦机回转制备直接还原方法

[发明专利]一种功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件-CN202211405501.9有效
发明人： 魏晓光;杜玉杰;王亮;林仲康;代安琪;王磊;唐新灵 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
一种功率半导体器件串联结构

[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法-CN202310394327.0在审
发明人：李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。
一种反向漏电肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种直流断路器例行试验设备-CN201710703717.6有效
发明人：陈龙龙;高冲;汤广福;魏晓光;张升;高阳;客金坤;周万迪;张宁 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网辽宁省电力有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供了一种直流断路器例行试验设备，包括：嵌入式系统、直流低电压输出单元、电压电流采集单元。嵌入式系统获取用户输入的操作信息，根据操作信息向直流低电压输出单元发送测试控制命令；直流低电压输出单元根据测试控制命令向待测直流断路器发送测试触发激励信号；电压电流采集单元采集待测直流断路器在测试触发激励信号下生成的测试数据，并将测试数据发送至嵌入式系统；嵌入式系统根据测试数据计算生成测试结果。本发明所设计的直流断路器例行试验设备简单易行、操作方便；能够对全桥模块、机械开关和供能系统进行试验；能满足直流断路器工程化研发及工程应用过程中各个阶段的试验要求。
一种直流断路器例行试验设备

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件结构及制备方法-CN202310177334.5在审
发明人：杨同同;杨霏;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种碳化硅MOSFET器件结构及制备方法，包括：SiCN++衬底、N型SiC外延层、自适应P+屏蔽区、自适应连接P区、自适应P+注入区、P型基区、P+注入区、源极欧姆接触、N+源区、栅氧化层、自适应连接源极欧姆接触、栅源隔离介质、栅极、源极加厚金属。本发明具有更低的比导通电阻、更低的峰值氧化层电场强度；本发明能够降低器件导通损耗、提升器件栅氧长期可靠性；本发明公开的屏蔽区电压自适应调整的SiC MOSFET结构，既拥有浮空P+屏蔽区MOSFET的低导通电阻，又具有接地P+屏蔽区SiC MOSFET的低氧化层峰值电场强度，在低损耗、高可靠性等方面具有明显的优势。
一种碳化硅 mosfet 器件结构制备方法

[发明专利]一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构及工艺制备方法-CN202211742055.0在审
发明人： 魏晓光;吴沛飞;张丙可;单云海;李玲;朱涛;严静融;周行;何荧锋;李青岭;武婧敏;阎海亮;白雪;孙俊敏;葛欢 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网北京市电力公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。
一种提高耐压通流功率器件栅极结构工艺制备方法

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