“项金娟”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果80个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片处理设备-CN202011549164.1有效
发明人：郭世根;李亭亭;项金娟;蒋浩杰;田光辉;熊文娟 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B31/10 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶片处理设备。本申请的晶片处理设备包括反应室、连通管和挡板，连通管设于反应室的外部，用于连通反应室的内部与真空抽气装置，挡板设于连通管的内部，用于对流经连通管的部分气流进行遮挡，挡板上设有至少一个贯穿挡板的通气口。根据本申请的晶片处理设备，通过在挡板上设置通气口并通过挡板对流经连通管的部分气流进行遮挡，能够有效地减少抽气过程中的气流流量，从而减少反应室内反应气体的充入量，增加反应气体在反应室内的停留时间，降低生产成本。
晶片处理设备

[发明专利]晶圆异质融合方法-CN202210228762.1在审
发明人：王鑫华;刘新宇;母凤文;魏珂;黄森;项金娟;殷海波;高润华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆异质融合方法，涉及半导体材料与器件制备技术领域。该方法包括以下步骤：将两片晶圆装入载片腔，对载片腔进行抽真空；通过真空传输腔，将晶圆传送至表面光滑化腔，对晶圆依次进行表面离子束清洗和表面光滑化处理；通过真空传输腔，将晶圆传送至键合腔，对晶圆进行离子束表面活化，同步采用复合元素补偿表面键态，在两片晶圆的表面相对位置各自形成过渡层；将两片晶圆各自的过渡层对准，在预设条件下对两片晶圆进行键合；通过真空传输腔，将键合后的晶圆传送至载片腔。本发明将表面离子束清洗、表面光滑化、无氧真空环境样品传输、附加元素离子结合的氩离子束表面活化及晶圆键合技术集成，实现常温晶圆高质量异质融合。
晶圆异质融合方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210146264.2在审
发明人：卞成洙;项金娟;贺晓彬;李亭亭;杨帅 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过在基底所包括的隔离结构内开设沟槽图形，以消除基底翘曲，从而防止电路结构的形状变形，使得半导体器件具有稳定的工作性能。所述半导体器件包括基底。基底包括隔离结构以及至少两个电路结构。隔离结构覆盖在至少两个电路结构上。隔离结构内开设有沟槽图形。至少两个电路结构位于沟槽图形围成的区域内。沟槽图形用于消除基底翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法-CN202110019365.9有效
发明人：李东根;李亭亭;王晓磊;项金娟;蒋浩杰;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
一种扩散氮化工艺残留物清除方法

[发明专利]金属互连结构的制备方法、金属互连结构及半导体组件-CN202310516214.3在审
发明人：栾庆洁;项金娟;袁鹏;焦正赢;王桂磊;赵超 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及金属互连技术领域，提供了一种金属互连结构的制备方法、金属互连结构以及半导体组件。该制备方法包括如下步骤：提供电介质层，电介质层中具有互连凹槽；在互连凹槽中制备金属互连层；以及，采用包括钴有机化合物的原料，通过原子层沉积法在金属互连层上制备钴金属层，在钴有机化合物中，钴原子与四个氮原子以单键键合，四个氮原子两两成对，每对氮原子之间以有机基团相连接。相较于传统技术，通过原子层沉积法的方式制备钴膜，能够有效提高钴膜的制备可控性以及薄膜质量。
金属互连结构制备方法半导体组件

[发明专利]一种存储器、电子设备-CN202211358555.4在审
发明人：毛淑娟;王桂磊;赵超;戴瑾;项金娟;王祥升;桂文华;于伟 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/10 文献下载
摘要：一种存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，该存储器包括至少一个存储单元，所述存储单元包括衬底以及在垂直所述衬底的方向上依次层叠设置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管作为读取晶体管，所述第二晶体管作为写入晶体管，所述第一晶体管包括第一沟道，所述第一沟道为硅半导体，所述第二晶体管包括第二沟道，所述第二沟道为氧化物半导体。
一种存储器电子设备

[发明专利]一种阻变存储器及其制造方法-CN201811645090.4有效
发明人：高建峰;项金娟;刘卫兵;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，通过提供基底，在基底上形成有金属栓塞作为下电极，在下电极上形成阻变功能层、上电极层和互连金属层，根据金属栓塞的位置，对互连金属层、上电极层、阻变功能层进行刻蚀，以使互连金属层、上电极层、阻变功能层和金属栓塞对准。由于本申请实施例中，互连金属层、上电极层和阻变功能层是一次性刻蚀的，因此可以实现这三个膜层的自对准，在技术上来说，即使这三个膜层的面积大于金属栓塞的面积，也不影响器件的实现，因此相比于现有技术中在上电极层上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀，形成与金属栓塞对准的通孔，并在通孔中形成互连金属层来说，对准要求更低，因此提高了良品率。
一种存储器及其制造方法

[发明专利]一种电荷捕获型存储器及其制作方法-CN202010272104.3有效
发明人：段佳辉;王文武;项金娟;马雪丽;王晓磊;李永亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷捕获型存储器及其制作方法，该电荷捕获型存储器包括第一衬底，该第一衬底上的源区和漏区以及源区和漏区之间的应变硅沟道，该应变硅沟道具备应力，由于该沟道采用该应变硅材料，因此，在沟道引入了应力，应力的引入可以提高该器件的迁移率，从而提高该沟道开启时载流子的平均能量，获得更高的隧穿概率，从而等效于器件捕获了更多的电荷，进而提高了器件的可靠性。
一种电荷捕获存储器及其制作方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN202110266480.6有效
发明人：高建峰;项金娟;刘卫兵;杨涛;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器技术领域，解决了现有技术中器件高低阻态及多值存储的实际控制困难、工艺重复性差的问题。本发明阻变存储器包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层。本发明可以实现可控的高低阻态和多值存储特性。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统-CN202111029417.7在审
发明人：李殷廷;金东盱;项金娟;刘青;李亭亭;杨帅 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在对晶圆进行膜层沉积时，使晶圆表面各个区域的膜层厚度相同的原子层沉积设备。该原子层沉积设备，包括处理腔室、喷嘴组件、厚度检测器以及与喷嘴组件和膜层厚度检测器通信的处理器。喷嘴组件位于处理腔室内，与沉积气体源连通，且喷嘴组件与处理腔室内的晶圆相对设置。厚度检测器用于检测晶圆不同区域沉积的膜层厚度，并将晶圆不同区域沉积的膜层厚度发送给控制器。控制器用于根据晶圆不同区域沉积的膜层厚度，控制喷嘴组件向晶圆的不同区域提供不同流量的沉积气体。
一种原子沉积设备方法以及半导体制造系统

[发明专利]一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器-CN202211124776.5在审
发明人：李宋伟;王晓磊;项金娟;徐双双;徐昊;柴俊帅;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电场效应晶体管及其制造方法、存储器，涉及半导体技术领域，用于在铁电场效应晶体管包括的铁电层的材料含有氧元素的情况下，抑制铁电层的剩余极化值随着使用时间的延长而逐渐降低。所述铁电场效应晶体管包括：半导体基底、有源结构、铁电层、富氧种子层和栅极。有源结构形成在半导体基底内或形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沟道区分别与源区和漏区接触。铁电层形成在沟道区背离半导体基底的一侧。铁电层的材料含有氧元素。富氧种子层形成在铁电层上。栅极形成在富氧种子层上。所述铁电场效应晶体管应用于存储器。所述铁电场效应晶体管的制造方法用于制造所述铁电场效应晶体管。
一种电场效应晶体管及其制造方法存储器

[发明专利]一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管-CN202211147940.4在审
发明人：徐双双;王晓磊;项金娟;李宋伟;段佳辉;戴塞飞;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种拓扑晶体管的制作方法及拓扑晶体管，涉及晶体管制造技术领域，以对传统的硅基晶体管栅电极施加电场时，会导致较多的能量损耗，进而增加器件的功耗的问题。所述拓扑晶体管的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成二氧化硅层；在二氧化硅层上形成第一拓扑绝缘体层；在第一拓扑绝缘体层上形成堆叠结构；对第一拓扑绝缘体层进行电场诱导处理，得到包括产生拓扑相变的第二拓扑绝缘体层的拓扑晶体管。所述拓扑晶体管使用上述技术方案所提的拓扑晶体管的制作方法制作。
一种拓扑晶体管制作方法

[发明专利]一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构-CN201911283396.4有效
发明人：李亭亭;贺晓彬;项金娟;王晓磊;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低暗电流的氧化层制备方法及复合结构，属于暗电流技术领域，解决了现有技术中氧化层质量较差、暗电流较大、生产时间较长、成本较高的问题。氧化层制备方法包括如下步骤：对硅衬底进行清洗以及去除自然氧化层；采用氧化工艺在硅衬底上形成氧化层；使用光刻技术在氧化层表面形成光刻图形；利用刻蚀在氧化层上形成凹槽结构。降低暗电流的氧化层复合结构包括层叠布置的硅衬底和氧化层，氧化层上有一个凹槽结构。本发明的制备方法制备的氧化层及复合结构生产时间较短、暗电流较小。
一种降低电流氧化制备方法复合结构

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202110397426.5在审
发明人：徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，该器件包括：基底、隔离绝缘层及相互支撑的多个电容器，所述电容器包括：下电极板、多晶硅层、绝缘介质层及上电极板，下电极板包括四周侧壁和底部并形成一腔体，底部穿过隔离绝缘层与基底的接触插塞连接；多晶硅层填充于下电极板围成的腔体内，表面高度与腔体顶部保持一定距离；绝缘介质层覆盖于下电极板表面以及多晶硅层表面；上电极板覆盖于绝缘介质层表面。本发明能够增加电容器的极板面积。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110397795.4在审
发明人：金玄永;边大一;徐康元;项金娟;李亭亭;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底，所述衬底上形成有栅极沟槽和隔离沟槽；覆盖于所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的内表面上并覆盖于所述衬底表面的栅介电层；覆盖于所述栅介电层表面的阻挡层；覆盖于所述阻挡层上方并充满所述栅极沟槽与所述隔离沟槽的导电金属层，所述导电金属层使用包括钨元素和银元素的金属化合物。本发明的半导体器件具有低电阻的埋栅结构。
半导体器件及其制备方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 80 条