专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]晶片的加工方法-CN202111043552.7在审
  • 铃木稔 - 株式会社迪思科
  • 2021-09-07 - 2022-04-01 - H01L21/78
  • 本发明提供晶片的加工方法,在通过等离子蚀刻对形成有钝化膜的晶片进行分割时,能够抑制钝化膜因散射光或穿过光而剥落的可能性。晶片的加工方法中,对分割预定线照射激光光线而去除层叠在分割预定线上的钝化膜并使半导体基板沿着分割预定线露出,然后在晶片的正面上覆盖树脂而形成保护膜,对分割预定线照射激光光线,去除层叠在分割预定线上的保护膜。接着,在使半导体基板沿着分割预定线露出之后,将保护膜作为遮蔽膜,通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201910840376.6在审
  • 铃木稔 - 株式会社迪思科
  • 2019-09-06 - 2020-03-31 - H01L21/78
  • 提供晶片的加工方法,对背面上层叠有芯片贴装层的晶片进行分割,减小间隔道、缩短加工时间并且高效地将芯片贴装层断开。该晶片的加工方法具有如下步骤:晶片分割步骤,隔着具有沿着分割预定线(S)的开口的掩模(J1)而对晶片(W)实施等离子蚀刻,对晶片进行分割而形成芯片(C);片粘贴步骤,在实施晶片分割步骤之前或之后,在晶片的背面(Wb)上层叠芯片贴装层(T2),隔着芯片贴装层而将晶片粘贴于扩展片(T1);溶剂提供步骤,在实施了晶片分割步骤和片粘贴步骤之后,从晶片的正面(Wa)侧向相邻的芯片之间提供使芯片贴装层劣化的溶剂,使在芯片之间露出的芯片贴装层劣化;以及断裂步骤,在实施了溶剂提供步骤之后,对扩展片进行扩展而使芯片贴装层沿着蚀刻槽(M)断裂。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]电动汽车用驱动装置-CN201180000156.4有效
  • 铃木稔;武川起子;牧野智昭 - NTN株式会社
  • 2011-03-08 - 2019-11-01 - H02K5/00
  • 本发明的课题在于提供一种通过对减速单元的输入轴的支承构造增加改良,实现输入轴的旋转精度及轴承的耐久性的提高以及旋转噪音的抑制,另一方面,提供车身侧不需要转向节的构造。电动汽车用驱动装置由具备由电动机(11)驱动的输入轴(13)的减速单元(12)、由减速单元(12)的输出部件(14)旋转驱动的轮毂单元(15)及收纳电动机(11)和减速单元(12)的壳体(16)构成,减速单元(12)的输入轴(13)通过在轴方向的两部位设置的轴承(58、59)支承,其中,所述两部位的轴承(58、59)均通过输出部件(14)支承,且在壳体(16)上设有悬架连结部(27)。
  • 电动汽车驱动装置
  • [发明专利]晶片处理装置以及晶片的处理方法-CN201510105224.3有效
  • 铃木稔 - 株式会社迪思科
  • 2015-03-11 - 2019-06-14 - H01L21/67
  • 本发明提供晶片处理装置以及晶片的处理方法,能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。作为晶片处理装置的清洗装置(1)具有清洗干燥单元,该清洗干燥单元对保持晶片(W)的保持台(20)以及保持于保持台(20)上的晶片(W)的正面(WS)进行清洗并干燥。保持台(20)具有保持部件(21)和紫外线照射部(23)。保持部件(21)具有保持面(21a)且通过可透过紫外线(U)的材质形成,其中该保持面(21a)形成有多个吸附保持晶片(W)的背面(WR)的吸附孔(24)以保持整个背面(WR)。紫外线照射部(23)配设于保持部件(21)的保持面(21a)的相反侧。
  • 晶片处理装置以及方法
  • [发明专利]切削方法-CN201510009318.0有效
  • 铃木稔;梶原佑介;平沼千纮;井上高明 - 株式会社迪思科
  • 2015-01-08 - 2018-09-11 - H01L21/301
  • 本发明提供一种切削方法,其能够良好地对由蓝宝石等难切削材料构成的被加工物进行分割,而不引起切削刀具的异常磨损。切削方法具备切削进给工序、X轴返回进给工序和Z轴摆动工序。在切削进给工序中,使Z轴下降规定的量以将旋转的切削刀具相对于被加工物切入规定的深度,同时使切削刀具和卡盘工作台相对地沿X轴方向以第一进给量进行切削进给,从而沿分割预定线以第一进给量切削被加工物。在X轴返回进给工序中,在实施切削进给工序后,在维持规定的深度的状态下,以比第一进给量少的第二进给量使卡盘工作台和切削刀具相对地沿X轴方向朝向与该切削进给工序相反的方向返回。在Z轴摆动工序中,在任意时刻使旋转的切削刀具进一步下降后立刻上升。
  • 切削方法
  • [发明专利]光器件晶片的分割方法-CN201310534835.0有效
  • 铃木稔 - 株式会社迪思科
  • 2013-11-01 - 2018-04-20 - H01L21/78
  • 本发明提供光器件晶片的分割方法,具有激光加工槽形成步骤,对板状被加工物的第2面照射相对于该板状被加工物具有吸收性波长的激光束,在第2面上形成激光加工槽;以及分割步骤,将板状被加工物载置到支撑构件上,使得形成于板状被加工物的第2面的激光加工槽与对具有直线状间隙的支撑构件的间隙进行划定的一对支点的中央对齐,沿着激光加工槽并隔着扩展带用按压刀从第1面垂直按压板状被加工物,对板状被加工物进行分割,在该分割步骤中,隔着缓冲材料用按压刀按压板状被加工物,由此,对板状被加工物,除了附加按压刀施加给板状被加工物的垂直方向的按压力以外,还附加以按压刀为界而将板状被加工物向两侧压散的扩张作用。
  • 器件晶片分割方法
  • [发明专利]晶片的切削方法-CN201410189395.4有效
  • 铃木稔;坂井真树 - 株式会社迪思科
  • 2014-05-07 - 2018-01-23 - B28D5/02
  • 本发明提供晶片的切削方法,不需要准备特殊的设备,不用中断切削动作就能够消除切削刀具的堵塞并切削晶片。在晶片(W)的切削方法中,使通过层叠在基板(65)的表面上的层叠体而形成器件的晶片(W)相对于切削刀具(15)在与切削刀具(15)的旋转轴垂直的方向上相对移动,沿着多个间隔道进行切削,该切削方法包括层叠体去除工序,使切削刀具(15)切入得比层叠体的厚度深而切入到基板(65)的中途,并且,使晶片(W)沿着间隔道相对移动,形成切削槽(66),从而去除层叠体;以及修整工序,使切削刀具(15)沿着切削槽(66)切入得深,使晶片(W)相对移动,沿着切削槽(66)进行切削,去除附着在切削刀具(15)的末端的层叠体,进行修整。
  • 晶片切削方法

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