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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202310347433.3在审
  • 李玟浚;金基俊;金容锡 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-03 - 2023-10-27 - H10B12/00
  • 公开了半导体器件。所述半导体器件包括：栅电极，在基底上；存储器主体结构，延伸穿过栅电极；源极层，在存储器主体结构的端部处，并且包括掺杂有p型杂质的锗；以及漏极层，在存储器主体结构的另一端部处，并且包括金属或金属合金。存储器主体结构可包括：主体，包括未掺杂的多晶硅；电荷存储图案，在主体的侧壁上；以及阻挡图案，在电荷存储图案的外侧壁上，并且接触栅电极。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810585838.X有效
  • 金光洙;金容锡;金泰勋;裵敏敬;张在薰;金森宏治 - 三星电子株式会社
  • 2018-06-08 - 2023-10-24 - H10B43/35
  • 本公开提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：在基板上的多个沟道结构，每个沟道结构在垂直于基板的第一方向上延伸并具有栅极绝缘层和沟道层；公共源极延伸区，包括具有n型导电性的第一半导体层，在基板和沟道结构之间；多个栅电极，在公共源极延伸区上并在每个沟道结构的侧壁上在第一方向上彼此间隔开；以及在基板上的公共源极区，与公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，其中每个沟道结构的栅极绝缘层延伸以覆盖公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202310340749.X在审
  • 李珉浚;金容锡;金炫哲;柳民泰;李溶珍 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-31 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极绝缘层。第二晶体管可以包括：柱结构，具有依次堆叠在第一栅电极上的第二漏极区、第二沟道区和第二源极区；第二栅电极，在第二沟道区的一侧；以及第二栅极绝缘层，在第二沟道区和第二栅电极之间。第二漏极区和第二源极区可以分别具有第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]非易失性存储器装置及其编程方法-CN201711419411.4有效
  • 沈元补;赵志虎;金柄宅;金容锡;黄善劲 - 三星电子株式会社
  • 2017-12-25 - 2023-10-13 - G11C16/08
  • 本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
  • 非易失性存储器装置及其编程方法
  • [发明专利]三维铁电随机存取存储器器件-CN202310283039.8在审
  • 李炅奂;金容锡;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-21 - 2023-09-29 - H10B51/20
  • 一种三维铁电随机存取存储器(3D FeRAM)器件包括：栅电极，所述栅电极在衬底上在竖直方向上延伸；铁电图案和栅极绝缘图案，所述铁电图案和所述栅极绝缘图案在水平方向上堆叠在所述栅电极上以围绕所述栅电极；第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和所述第二沟道在所述栅极绝缘图案的外侧壁上在所述水平方向上彼此间隔开；第一源极/漏极图案结构，所述第一源极/漏极图案结构在所述第一沟道的外侧壁上在所述竖直方向上彼此间隔开；以及第二源极/漏极图案结构，所述第二源极/漏极图案结构在所述第二沟道的外侧壁上在所述竖直方向上彼此间隔开。
  • 三维随机存取存储器器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202310282088.X在审
  • 金炫哲;金容锡;李气炘;李相吉;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-21 - 2023-09-26 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件可以包括：半导体基板；包括电容器的数据存储层，设置在半导体基板上；开关元件层，在数据存储层上并包括电连接到相应电容器的晶体管；以及布线层，在开关元件层上并包括电连接到相应晶体管的位线。相应晶体管包括有源图案、字线以及在字线和有源图案之间的铁电层，该字线与有源图案交叉使得字线围绕有源图案的第一侧壁、第二侧壁和顶表面。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202211569365.7在审
  • 李镕珍;金容锡;柳民泰;柳熙济;柳成原;李元锡;赵珉熙 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-07 - 2023-09-12 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]存储器件-CN201810461051.2有效
  • 黄善劲;金柄宅;金容锡;李柱硕 - 三星电子株式会社
  • 2018-05-15 - 2023-08-15 - G11C16/08
  • 一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括第一开关单元、第二开关单元和多个存储单元，所述多个存储单元设置在所述第一开关单元和所述第二开关单元之间并连接到多个字线；和控制电路，被配置为通过将编程电压提供给所述多个字线之中的第一字线，将开关电压提供给所述多个字线之中的第二字线以及将通过电压提供给所述多个字线之中的剩余字线来执行编程操作。其中所述控制电路被配置为在所述编程操作的第一部分中关断所述第一开关单元和所述第二开关单元，并且被配置为在比第一部分稍后的编程操作的第二部分中导通所述第一开关单元并增加所述开关电压。
  • 存储器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202211649703.8在审
  • 李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-21 - 2023-07-11 - H10B51/20
  • 提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]存储器装置-CN202211407941.8在审
  • 金炫哲;金容锡;李炅奂;李玟浚;河大元 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-10 - 2023-06-13 - H10B12/00
  • 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；鳍结构，位于基底上；栅极结构，位于鳍结构上；第一源极/漏极，位于鳍结构的一端处；以及第二源极/漏极，位于鳍结构的另一端处，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在鳍结构上的捕获层、阻挡层和栅电极层，第一源极/漏极掺杂有第一导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第一导电类型的掺杂剂，并且第二源极/漏极掺杂有第二导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第二导电类型的掺杂剂，第二导电类型的掺杂剂不同于第一导电类型的掺杂剂。
  • 存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202211022832.4在审
  • 李炅奂;金容锡;金炫哲;朴种万;禹东秀;李玟浚 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-25 - 2023-05-16 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202210802412.1在审
  • 李基硕;金根楠;金容锡;金熙中;赵珉熙;黄有商 - 三星电子株式会社
  • 2022-07-07 - 2023-05-16 - H01L23/538
  • 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在基底上的层组并且包括字线、沟道层和电连接到沟道层的数据存储元件；以及位线，在堆叠结构的一侧上竖直延伸，其中，层组中的每个的字线在平行于基底的顶表面的第一方向上延伸，层组包括顺序堆叠的第一层组和第二层组，沟道层在第一层组的字线下方，沟道层在第二层组的字线上方，并且位线包括连接到第一层组的沟道层的第一突起部分以及连接到第二层组的沟道层的第二突起部分。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202211142787.6在审
  • 赵珉熙;裴东一;李元锡;金容锡 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-20 - 2023-05-12 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件，包括：单元区和外围区；单元区中的基底绝缘层，包括相对的第一前表面和第一后表面；外围区中的第一半导体衬底，包括相对的第二前表面和第二后表面；第一前表面上的有源图案；第一导线，在有源图案的侧面上沿第一方向延伸；有源图案上的电容器结构；第二前表面上的第一电路元件；以及第二导线，在第一后表面和第二后表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。有源图案在与第一方向和第二方向交叉的竖直方向上延伸，以将第二导线电连接到电容器结构。
  • 半导体存储器件及其制造方法
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