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[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202310032343.5在审
发明人：赵珉熙;柳民泰;柳喜齐;柳成原;李镕珍;李元锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元-CN202310013153.9在审
发明人：柳成原;金容锡;柳民泰;柳喜齐;李镕珍;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。
半导体装置包括存储器单元

[发明专利]半导体存储器件-CN202211569365.7在审
发明人： 李镕珍;金容锡;柳民泰;柳熙济;柳成原;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：衬底；导线，在衬底上方沿第一水平方向延伸；在导线上方的隔离绝缘层，包括在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸并从隔离绝缘层的上表面延伸到下表面的沟道槽；沟道结构，设置在导线上方；栅电极，在沟道槽中沿第二水平方向延伸；电容器结构，在隔离绝缘层上方，以及接触结构，介于沟道结构与电容器结构之间，其中，沟道结构包括：非晶氧化物半导体层，设置在导线上方并在沟道槽中；以及上晶体氧化物半导体层，介于非晶氧化物半导体层与接触结构之间。
半导体存储器件

[发明专利]由羟甲基糠醛制备2,5-呋喃二甲酸二甲酯的方法-CN201880043637.5有效
发明人：金龙镇;迪内什·库马尔·米斯拉;赵镇玖;李镕珍;金汉锡;金钟亮 -专利权人：韩国生产技术研究院;SK化学株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C07D307/68 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供了用于制备2,5‑呋喃二甲酸二甲酯(FDMC)的方法，所述方法包括在金(Au)纳米颗粒负载型催化剂的存在下，使包含5‑羟甲基糠醛(HMF)、空气和醇溶剂的反应混合物经受氧化酯化，来制备2,5‑呋喃二甲酸二甲酯(FDMC)，其中，金(Au)纳米颗粒负载型催化剂包含载体和负载在该载体上的金(Au)纳米颗粒。
甲基糠醛制备呋喃甲酸二甲方法

[发明专利]阳离子交换型沸石催化剂及通过使用其进行转碘化反应而制备单碘代苯的方法-CN201610317966.7在审
发明人： 李镕珍;林在凤;车一勋;金汉锡;朴容起;崔源春;閔多映 -专利权人： SK化学株式会社
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： B01J29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于转碘化反应的阳离子交换型沸石催化剂及使用其制备单碘代苯的方法。具体地，所述阳离子交换型沸石催化剂为如下类型：其中Si/Al的摩尔比为5至100，且离子交换容量的2％至50％与碱金属或碱土金属发生离子交换。另外，本发明中制备单碘代苯的方法包括如下步骤：通过转碘化反应，从包括苯和一种以上选自二碘代苯和三碘代苯的多碘代苯的反应物制备单碘代苯。
阳离子换型催化剂通过使用进行碘化反应制备单碘代苯方法

[发明专利]阳离子交换型沸石催化剂及通过使用其进行转碘化反应而制备单碘代苯的方法-CN200980155085.8无效
发明人： 李镕珍;林在凤;车一勋;金汉锡;朴容起;崔源春;閔多映 -专利权人： SK化学株式会社
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： B01J29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于转碘化反应的阳离子交换型沸石催化剂及使用其制备单碘代苯的方法。具体地，所述阳离子交换型沸石催化剂为如下类型：其中Si/Al的摩尔比为5至100，且离子交换容量的2％至50％与碱金属或碱土金属发生离子交换。另外，本发明中制备单碘代苯的方法包括如下步骤：通过转碘化反应，从包括苯和一种以上选自二碘代苯和三碘代苯的多碘代苯的反应物制备单碘代苯。
阳离子换型催化剂通过使用进行碘化反应制备单碘代苯方法

[发明专利]利用pH值调节的无机涂料组合物及其配制方法和用途-CN200610058599.X有效
发明人：金贞夏;李镕珍 -专利权人：金贞夏
申请日： 2006-03-22 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用pH值调节在常温下干燥的无机涂料的组合物及其配制方法和应用，其中，通过在水解烷氧基硅烷的无机涂料组合物中添加从碱性溶液或缓冲溶液中选择的一种以上溶液来维持并调节涂料的pH值，由此不仅增加了有效使用时间并缩短了硬化时间。本发明的无机涂料组合物包含：以通式R_nSi(OR′)_4－n表示的有机烷氧基硅烷，重量百分比为1～40；把水或者有机溶剂作为分散介质的氧化物，换算为固形粉的重量百分比为0.5～20；低级脂族醇，重量百分比为0.1～70；有机、无机酸，重量百分比为0.1～3；无机填充料，重量百分比为0.01～20；无机颜料，重量百分比为0.01～40；单独或混用的碱性溶液、缓冲溶液的pH值稳定剂，重量百分比为0.1～5。
利用 ph 调节无机涂料组合及其配制方法用途