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[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202310032343.5在审
发明人：赵珉熙;柳民泰;柳喜齐;柳成原;李镕珍;李元锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置及其制造方法。所述半导体存储器装置包括：外围电路结构，包括在半导体基底上的外围电路和在外围电路上的第一介电层；单元阵列结构，在半导体基底上；以及屏蔽层，在外围电路结构和单元阵列结构之间。单元阵列结构包括：位线；第一有源图案和第二有源图案，在位线上；第一字线，在第一有源图案上沿第二方向延伸；第二字线，在第二有源图案上沿第二方向延伸；数据存储图案，在第一有源图案和第二有源图案上；以及第二介电层，在半导体基底上。第一介电层的氢浓度大于第二介电层的氢浓度。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元-CN202310013153.9在审
发明人：柳成原;金容锡;柳民泰;柳喜齐;李镕珍;李元锡;赵珉熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体存储器单元，所述半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；沟道层。在基底与栅电极之间；源电极，与沟道层的第一侧壁接触；以及漏电极，与沟道层的第二侧壁接触。第二侧壁与第一侧壁相对。沟道层包括与源电极和漏电极中的一者接触的第一沟道图案，以及在第一沟道图案与栅电极之间的第二沟道图案。第一沟道图案和第二沟道图案包括彼此不同的氧化物半导体材料。源电极的一部分和漏电极的一部分与栅电极的一部分叠置。
半导体装置包括存储器单元