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[发明专利]半导体器件-CN201910603103.X有效
发明人： 金元洪;金完敦;白贤俊;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在俯视图中交叉有源图案的栅电极、以及插置在有源图案和栅电极之间的铁电图案。栅电极包括设置在铁电图案上的功函数金属图案、以及填充形成在功函数金属图案的上部中的凹陷的电极图案。铁电图案的最上部的顶表面低于凹陷的底表面。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210920453.0在审
发明人：崔雅朗;尹灿植;韩正勳;吉奎炫;金元洪;白头山 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：发明构思涉及一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括NMOS区域和PMOS区域；第一栅极图案，设置在基底的NMOS区域上；以及第二栅极图案，设置在基底的PMOS区域上。第一栅极图案包括顺序地堆叠在基底上的第一高k层、扩散减轻图案、N型逸出功图案和第一栅电极，第二栅极图案包括顺序地堆叠在基底上的第二高k层和第二栅电极，扩散减轻图案与第一高k层接触，第一栅电极的堆叠结构与第二栅电极的堆叠结构相同，并且第二栅极图案不包括N型逸出功图案。
半导体存储器装置

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN202211405327.8在审
发明人：林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]三维半导体装置及其制造方法-CN202110651905.5在审
发明人：吴承河;金元洪;罗勋奏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种三维半导体装置包括：第一衬底、在第一衬底上的多个第一晶体管、在多个第一晶体管上的第二衬底、在第二衬底上的多个第二晶体管、以及电连接多个第一晶体管和多个第二晶体管的互连部分。多个第一晶体管中的每一个包括在第一衬底上并具有第一氢含量的第一栅极绝缘膜。多个第二晶体管中的每一个包括在第二衬底上并具有第二氢含量的第二栅极绝缘膜。第二氢含量大于第一氢含量。
三维半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造集成电路器件的方法-CN201610617613.9有效
发明人： 金元洪;俞东洙;李民主;宋文均;崔戍侦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。
制造集成电路器件方法

[发明专利]三维半导体器件-CN202010359712.8在审
发明人：吴承河;姜泌圭;金国桓;金元洪;佐佐木雄一朗;李相遇;林圣根;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。
三维半导体器件

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN202010176255.9在审
发明人： 金元洪;姜泌圭;佐佐木雄一朗;林圣根;河龙湖;玄尚镇;金国桓;吴承河 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极/漏极区；第一导电插塞，位于所述源极/漏极区上并电连接到所述源极/漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010086446.6在审
发明人：佐佐木雄一朗;林圣根;姜泌圭;金元洪;吴承河;河龙湖;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
半导体器件

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201610720818.X有效
发明人：俞东洙;金元洪;宋文均;李民主;崔戍侦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在有源图案上形成牺牲栅图案；在牺牲栅图案的彼此对立的侧壁上形成间隔物；在有源图案和间隔物上形成层间绝缘层；去除牺牲栅图案以形成暴露有源图案的区域的栅沟槽；在有源图案的由栅沟槽暴露的区域上形成栅电介质层；在小于1atm的压强执行第一热处理以去除层间绝缘层中的杂质；在比第一热处理的温度高的温度对栅电介质层执行第二热处理；以及在栅沟槽中形成栅电极。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201910601851.4在审
发明人：朴钟昊;金完敦;金元洪;白贤浚;李炳训;任廷爀;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数。
功函数层栅堆叠铁电材料层衬底有效功函数上栅电极晶体管半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910593346.X在审
发明人：任廷爀;金完敦;金元洪;朴锺昊;白贤俊;李炳训;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，包括第一有源区域和第二有源区域；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区域和第二有源区域中；第一栅电极和第二栅电极，分别交叉第一有源图案和第二有源图案；第一栅极绝缘图案，插设在第一有源图案和第一栅电极之间；以及第二栅极绝缘图案，插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包括第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包括第二电介质图案。第一有源区域中的晶体管的阈值电压不同于第二有源区域中的晶体管的阈值电压。
源区域源图案栅极绝缘图案栅电极电介质图案半导体器件阈值电压晶体管基板铁电图案

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN201610833846.2在审
发明人：林夏珍;朴起宽;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010623026.3有效
发明人：林夏珍;金明宣;郑会晟;都晋昈;金元洪;宋文均;朱大权 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：装置隔离层，布置在半导体基底的预定区域上，以限定有源区，所述有源区包括(100)晶面的中央顶表面和从所述中央顶表面延伸到所述装置隔离层的倾斜边缘表面；半导体图案，覆盖所述有源区的所述中央顶表面和所述倾斜边缘表面，所述半导体图案包括(100)晶面的与所述有源区的所述中央顶表面平行的平坦顶表面和与所述平坦顶表面基本上和/或完全地垂直的侧壁；栅极图案，与所述半导体图案叠置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN200710102284.5无效
发明人：金柱然;元皙俊;金洛焕;宋珉宇;金元洪;朴廷珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法可包括利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在基底上形成第一导电金属化合物层和/或利用物理气相沉积(PVD)工艺在第一导电金属化合物层上形成第二导电金属化合物层。可形成第一导电金属化合物层和第二导电金属化合物层来减少或防止第一导电金属化合物层暴露于氧原子中，因此降低了第一导电金属化合物层的退化。
形成半导体器件方法

[发明专利]包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法-CN200610143564.6有效
发明人：权大振;朴廷珉;元皙俊;宋珉宇;金元洪;金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。
包括金属绝缘体电容器集成电路及其制造方法

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