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[发明专利]用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用-CN202311148466.1在审
发明人：张同;刘芳;吴波;邓永峰;李君建;董子斌;孟庆萌;常泽洲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明涉及表面涂层技术领域，公开了一种用于等离子喷涂的粉料、表面涂层的制备方法和表面涂层及应用。基于所述用于等离子喷涂的粉料的总重，所述粉料包括：硅粉40‑60wt%、碳化硅粉10‑20wt%、碳粉20‑40wt%和聚乙烯醇0.2‑1.5wt%。采用本发明提供的粉料作为喷涂料对石墨或金属基板的表面进行等离子喷涂，可得到一种含有氮掺杂的碳化硅与碳材料的复合表面涂层。该表面涂层具有良好的导电性能和导热性能，同时在衬底表面的附着力好，抗冲击强度和耐高温性能满足使用要求，能够显著提高离子注入机石墨或金属内衬的有效防护寿命。
用于等离子喷涂表面涂层制备方法应用

[实用新型]一种隔膜阀先导式控制器-CN202320891400.0有效
发明人： 邓永峰;陈凯;唐德洲 -专利权人：黄山拓达科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F16K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隔膜阀先导式控制器，包括控制器本体，所述控制器本体内设置有上腔室，所述上腔室的顶部设置有液位感应接口，上腔室内设置有上膜片，上膜片上固定设置有阀芯；所述阀芯的下方设置有主气道，所述主气道的底部连通设置有负压接口，主气道的侧面连通设置有与隔膜阀吸气口对接的吸气口，所述主气道内设置有控制负压接口与吸气口通断的密封组件；所述上腔室的底部还设置有回气孔，所述阀芯上设置有使上腔室与主气道保持连通的第一气道。本发明纯机械设计，具有结构简单，不易损坏，性能稳定，体积小的特点，可广泛的运用于污水处理领域。
一种隔膜先导控制器

[发明专利]碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法-CN202311096893.X在审
发明人：张同;刘芳;吴波;邓永峰;王凯;孟庆萌;常泽洲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网山西省电力公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅与硅异质结的LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：硅衬底、第一导电类型阱区、第二导电类型体区、第一导电类型漂移区、源区、漏区以及栅极结构，还包括：第二导电类型埋层；第二导电类型埋层和第二导电类型体区的材料均为硅，第一导电类型漂移区和漏区的材料均为碳化硅；第一导电类型漂移区与第二导电类型埋层纵向相接，以在导电状态时在纵向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结；第一导电类型漂移区与第二导电类型体区横向相接，以在导电状态时在横向相接的界面区域形成碳化硅与硅的异质结。本发明利用纵向和横向的双异质结，提高器件的击穿电压，提升载流子迁移率，降低导通电阻。
碳化硅硅异质结 ldmos 器件制造方法

[发明专利]IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片-CN202310475218.1在审
发明人：陈燕宁;邵亚利;刘芳;付振;张泉;徐鹏;沈美根;解尧明;李东镁;张东;邓永峰;鹿祥宾;符荣杰 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;灿芯创智微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
igbt 驱动电路用于方法芯片

[实用新型]一种机械式隔膜阀控制器-CN202320889405.X有效
发明人： 邓永峰;陈凯;唐德洲 -专利权人：黄山拓达科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机械式隔膜阀控制器，包括控制器本体，所述控制器本体内从上到下依次设置有上模腔、中模腔和下模腔，所述下模腔连接设置有吸气口，吸气口与隔膜阀吸气口连通，所述控制器本体内还设置有与中模腔和下模腔连通的负压接口；所述上模腔和中模腔间设置有随液位感应接口内气压变化而上下移动的上阀芯，所述中模腔和下模腔间设置有随中模腔内气压变化而上下移动的下阀芯。所述控制器本体上还设置有与中模腔连通用于回气使中模腔内气压与外界大气压保持一致的回气口。本实用新型为纯机械结构，无电子设备，因此，不容易被腐蚀，具有耐用性强，可靠性高的特点，可广泛应用于隔膜阀的控制领域。
一种机械式隔膜控制器

[实用新型]沥青路面裂缝灌封胶修复刮涂装置-CN202320423109.0有效
发明人：马军科;常晓强;王和通;刘昊明;徐凤翔;杨海霞;齐祥政;邓永峰;陈腾;郑小博;杨占栋;王浩;常伟 -专利权人：陕西交通控股集团有限公司靖富分公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E01C23/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了沥青路面裂缝灌封胶修复刮涂装置，包括刮板、连接座和握杆，所述连接座固定连接在刮板顶部的后侧，所述刮板通过连接座与握杆活动连接，所述刮板顶部的前侧设置有收集盒，所述刮板的前侧固定连接有铲板，所述收集盒的两侧均固定连接有安装组件，所述刮板顶部的两侧均开设有夹持组件。本实用新型通过设置收集盒，使收集盒能够将对于的灌封胶进行收集，解决了在使用的过程中不能够对刮除的缝灌胶进行收集，只能够将多余的缝灌胶抹平，造成浪费的问题，具备了收集的优点。
沥青路面裂缝灌封胶修复装置

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202211436896.9有效
发明人：陈燕宁;余山;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;郁文;邵亚利;沈美根;张东 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[实用新型]一种多维搅拌装置-CN202221541780.7有效
发明人：宫能和;刘鑫泉;林东明;刘权;邓永峰;李平;刘行 -专利权人：南京惠玺工程科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： E02D5/46 文献下载
摘要：本实用新型一种多维搅拌装置。包括支架；动力箱，其上端通过升降机构与所述支架顶部连接，动力箱内设有旋转动力单元，旋转动力单元分别通过传动组件将旋转动力传输至同轴布置的内杆和/或外管；所述内杆一端与所述传动组件连接，另一端穿过一齿轮箱与所述齿轮箱内的锥齿轮副连接，锥齿轮副中的两个被动锥齿轮上分别连接有搅拌轴，两根搅拌轴呈夹角设置；外管同轴套接在所述内杆的外部，外管的一端与所述传动组件连接，外管另一端与所述齿轮箱固定连接；喷浆管，连接在所述外管外部。本实用新型能够形成多维回转搅拌切土，土体搅拌更均匀。隔离墙施工时候，得到等厚的连续搅拌隔离墙体，节约了施工设备投入成本，节约施工造价。
一种多维搅拌装置

[发明专利]一种污染土原位修复多维搅拌装置及方法-CN202210699696.6在审
发明人：宫能和;刘鑫泉;林东明;刘权;邓永峰;李平;刘行 -专利权人：南京惠玺工程科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E02D5/46 文献下载
摘要：本发明一种污染土原位修复多维搅拌装置及方法。装置包括支架；动力箱，其上端通过升降机构与所述支架顶部连接，动力箱内设有旋转动力单元，旋转动力单元分别通过传动组件将旋转动力传输至同轴布置的内杆和/或外管；所述内杆一端与所述传动组件连接，另一端穿过一齿轮箱与所述齿轮箱内的锥齿轮副连接，锥齿轮副中的两个被动锥齿轮上分别连接有搅拌轴，两根搅拌轴呈夹角设置；外管同轴套接在所述内杆的外部，外管的一端与所述传动组件连接，外管另一端与所述齿轮箱固定连接；喷浆管，连接在所述外管外部。本发明能够形成多维回转搅拌切土，土体搅拌更均匀。隔离墙施工时候，得到等厚的连续搅拌隔离墙体，节约了施工设备投入成本，节约施工造价。
一种污染原位修复多维搅拌装置方法

[实用新型]一种真空排污管道浮球控制开关-CN202320074149.9有效
发明人：陈凯;唐德洲;邓永峰;查保全 -专利权人：黄山拓达科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E03F5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空排污管道浮球控制开关，包括真空井，一端置于真空井内的真空排污管道；所述真空排污管道的进水口位置处设置有与进水口配合的第一浮球，还设置有带动第一浮球偏离真空排污管道进水口的第二浮球，所述第二浮球加第一浮球的上浮力大于真空排污管道的负压吸力，所述第一浮球的上浮力小于真空排污管道的负压吸力。所述第一浮球与第二浮球间设置有传动机构；所述传动机构包括水平布置于真空井内的转动杆，转动杆的两端分别固定连接设置有第一摆杆和第二摆杆，所述第一摆杆的端部与第一浮球间设置有连接绳，所述第二摆杆的端部与第二浮球固定连接。本实用新型结构简单，成本低，可广泛应用于真空排污管道的开闭控制领域。
一种真空排污管道控制开关

[发明专利]全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法-CN202310055837.5在审
发明人：陈燕宁;王凯;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波;梁英宗;郁文;刘倩倩 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法。全隔离横向双扩散半导体器件包括半导体衬底、源极体区、漏极漂移区、源极、漏极以及栅极，还包括：第一类型的第一埋层、第二类型埋层以及场氧隔离组合结构；场氧隔离组合结构包括浅沟槽隔离结构和两个分别覆盖浅沟槽隔离结构两侧壁角的LOCOS鸟嘴结构；漏极漂移区与第一类型的第一埋层在纵向上连接，位于漏极漂移区两侧的源极体区与第一类型的第一埋层在纵向上连接形成第一隔离环结构。本发明采用LOCOS与STI相结合的场氧隔离组合结构，提升器件的击穿电压；通过第一隔离环结构对漏极漂移区进行全隔离，形成横向导通路径和纵向导通路径，降低导通电阻，提升可靠性。
隔离横向扩散半导体器件制造方法

[发明专利]一种真空井浮球控制阀-CN202310018054.X在审
发明人：陈凯;唐德洲;邓永峰;查保全 -专利权人：黄山拓达科技有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： F16K1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空井浮球控制阀，包括与真空排污管道进水口配合的第一浮球，带动第一浮球偏离真空排污管道进水口的第二浮球，所述第二浮球加第一浮球的上浮力大于真空排污管道的负压吸力，所述第一浮球的上浮力小于真空排污管道的负压吸力。所述第一浮球与第二浮球间设置有传动机构；所述传动机构包括水平布置于真空井内的转动杆，转动杆的两端分别固定连接设置有第一摆杆和第二摆杆，所述第一摆杆的端部与第一浮球间设置有连接绳，所述第二摆杆的端部与第二浮球固定连接。本发明结构简单，成本低，维护方便，可广泛应用于真空排污管道的开闭控制领域。
一种真空井浮球控制

[发明专利]一种电容器、芯片及电容器的制备方法-CN202111475179.2有效
发明人：赵东艳;王于波;王凯;陈燕宁;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。
一种电容器芯片制备方法

[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路-CN202211461416.4有效
发明人：陈燕宁;余山;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;郁文;邵亚利;沈美根;张东 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。
横向扩散场效应晶体管制作方法芯片电路

[实用新型]一种新型油箱箱体散热装置-CN202222216186.7有效
发明人： 邓永峰;谢振磊;张辰;刘英;李雅杰 -专利权人：合肥博雷电气有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01F27/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型油箱箱体散热装置，所述装置包括油箱外壳，所述油箱外壳包括箱体和设置在箱体内壁的散热片，所述箱体内设有散热片，所述散热片表面设有凸齿，所述箱体由铝板制成。本实用新型中的油箱外壳采用铝板材料加工成形，铝板具有良好的导热性能，导热系数约为237W/(m·k)(钢板导热系数约为45W/(m·k))，一般铝材比钢材散热快5倍左右，由于铝板的导热系数远高于钢板的导热系数，铝材比钢材散热快5倍左右，提高了油箱箱体散热速度，延长了该装置的使用寿命。
一种新型油箱箱体散热装置

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