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[实用新型]一种旋流器入料短节-CN202321036039.X有效
发明人： 王于波;申建明;常广铭;孟西安;李斌 -专利权人：长治市潞安漳村恒达工贸有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B03B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种旋流器入料短节，适用于煤料分选技术领域，所要解决的是提供旋流器入料短节，采用的方案时：输送管、进料口、连管、主体机和加装管，相对于传统的旋流器，本设备在使用时可以对物料进行分流输送，让煤料在未进入主体机内部前便提前进行稀释，确保在高给煤量的情况下，原料矸石全部入洗且不影响洗选质量，从而加快了整体的工作效率，且保证设备运行时的工作质量，还可以快速、便捷的完成加装管的安装、拆卸和更换等等，且后续可以控制物料输送的速度、压力等数据可以实时调节，完成加装管整体的调流调压的目的，使得设备自身的工作质量更加完美；本实用新型还适用于煤料加工领域。
一种旋流器入料短节

[实用新型]一种泥煤回收筛-CN202321052645.0有效
发明人：申建明;王于波;孟西安;史伟民;常治国 -专利权人：长治市潞安漳村恒达工贸有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01D29/01 文献下载
摘要：本实用新型提供一种泥煤回收筛，适用于回收筛技术领域，所要解决的是提供泥煤回收筛，采用的方案时：外壳、横板、出料口和侧板，所述外壳顶端固定安装有横板，所述外壳顶端位于横板侧面固定安装有出料口，所述外壳侧面端部固定安装有侧板，相对于传统的回收筛，本设备在使用时可以改变传统筛网的规格、大小和形状，能够更好的对物料进行筛分和过滤，去除物料内部多余的矿水，且降低规格较小的物料跟随废料排出的几率，使得后续设备的使用更加稳定，还可以对排出的物料进行快速区分和收集，方便后续对排出的废料进行收集和处理，使得设备自身的工作质量更加完美；本实用新型还适用于煤矿加工领域。
一种泥煤回收

[发明专利]智能变电站的二次继电保护芯片以及数据交互方法-CN201811641761.X有效
发明人：李良;于同伟;庞振江;王于波;王峥;丁岳;黄旭;葛维春;卢岩;杨文 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能变电站的二次继电保护芯片以及数据交互方法，该二次继电保护芯片包括HSR交换模块。HSR交换模块通过HSR MAC接口模块接收以太网物理层接口模块所传输的智能变电站的设备的报文数据，将报文数据进行解析分类处理，按照报文数据的优先级进行时序控制并传输。该二次继电保护芯片通过一个独立的HSR模块建立的以太网数据通道来实现智能变电站现行各类数据的解析、分类等功能，使得智能变电站各层设备便于精简网络设计、降低设备功耗及成本、增强单套设备可靠性，同时简化工程现场网络架构及施工难度、提高系统集成度，提高系统运行的可靠性和可维护性。
智能变电站二次保护芯片以及数据交互方法

[发明专利]程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备-CN202310708268.X有效
发明人：张茜歌;李德建;王于波;刘亮;张喆;郝晓鹏;周佳慧;孙玉峰;刘朋远;丁海丽 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网宁夏电力有限公司营销服务中心（国网宁夏电力有限公司计量中心）;国家电网有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种程序流监控方法、编译方法、装置、处理器及计算机设备，所述程序流对应有控制流和数据流；所述控制流包括若干基本块；基本块头部在编译阶段插入有控制流校验指令，以及基本块尾部在链接阶段插入有数据流校验指令；所述程序流监控方法包括：在所述程序流运行到当前基本块的情况下，执行所述当前基本块内的所述控制流校验指令以校验所述控制流的正确性；在所述当前基本块运行至所述数据流校验指令的情况下，确定所述当前基本块的所有指令的CRC签名值，以校验所述数据流的完整性。由此在数据流和控制流上对程序流进行双重监控，可以有效检测程序执行行为与预期不符的问题。
程序监控方法编译装置处理器计算机设备

[发明专利]一种继电保护装置电源板及其配置方法-CN202110671783.6有效
发明人：张逸帆;梁英;李伟;张晓莉;艾淑云;夏烨;唐翼;刘慧海;施文;王惠平;杭天琦;韩际晖;龙琳;李德建;王于波;董雪城;张嘉澍;崔爽;韩强;李小宗;张国良;张欣;李娟娟;金龙;郭鹏;王志杰 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司信息通信分公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M7/23 文献下载
摘要：本发明提供一种继电保护装置电源板及其配置方法，所述电源板和配置方法通过并联接入电源2个第一滤波单元分别接收电源的第一输出信号，然后所述第一输出信号再经过全桥整流以及电容滤波，传输到变压器进行电压调整后输出，最后经过同步整流或者二极管整流后输出至用电设备。所述继电保护装置电源板及其配置方法通过将电源板卡双重化配置，有效地降低了板卡故障率，大大提高了整机装置的可靠性。
一种保护装置电源板及其配置方法

[发明专利]基于蜂窝网络的D2D通信系统的信道资源分配方法-CN201910288663.0有效
发明人：崔国宇;綦锐;姚玉林;胡泉;王峥;王于波;刘建军;沈丽丽;张谦;王晓光 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04W72/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于蜂窝网络的D2D通信系统的信道资源分配方法，该信道资源分配方法包括：基站接收D2D通信系统中的所有D2D通信对的发送端所发起的D2D通信请求；基站向D2D通信对的接收端发送业务通知信号；基站接收D2D通信对的接收端所返回的应答信号；基站通知D2D通信对的发送端向接收端发送探测信号；基站接收所有D2D通信对的接收端所测量的D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息；基站根据所有D2D通信对对每个蜂窝用户的干扰值、D2D通信对的链路增益以及D2D通信对所接收到的链路噪声信息，以吞吐量最大化的算法对信道资源进行分配，该信道资源分配方法能够实现最大化吞吐量和最大化接入。
基于蜂窝网络 d2d 通信系统信道资源分配方法

[发明专利]AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法-CN202211090728.9在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;刘芳;付振;段宝兴;李秀伟;李腾浩;钟明琛;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
algan gan 垂直型超结半超结绝缘半导体场效应制作方法

[发明专利]确定中继器电表的方法、通信装置、电表及金属电表箱-CN202010731994.X有效
发明人： 王于波;唐晓柯;高以杰;胡毅;李德建;王贤辉 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R22/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种确定中继器电表的方法、通信装置、电表及金属电表箱，属于无线通信技术领域。放置于具有外置天线的金属电表箱内的电表的通信装置包括：外置天线射频连接器，用于执行与所述外置天线的通断；外置天线取样电路，用于当所述外置天线射频连接器被连接到所述外置天线时，输出第一指定电平；以及MCU，用于检测所述外置天线取样电路的输出电平，并当检测到所述输出电平为所述第一指定电平时，确定所述电表被激活中继器功能以及所述电表为所述金属电表箱中的中继器电表。本发明实施例适用于金属电表箱内的电表的通信过程。
确定中继电表方法通信装置金属电表箱

[发明专利]一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202211100004.8在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;邵瑾;付振;段宝兴;刘芳;张鹏;胡毅;吴峰霞;马俊超;李明哲;杨银堂 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。
一种 algan gan 垂直电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种硅控整流器、芯片及电路-CN202111622482.0有效
发明人：赵东艳;陈燕宁;王于波;邵瑾;付振;王文赫;甄岩;李腾浩;董广智;李嘉睿;王树龙 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
一种整流器芯片电路

[发明专利]一种温度传感器-CN202011461453.6有效
发明人：赵东艳;王于波;张鹏;张海峰;陈燕宁;王帅鹏;王峥;付振;郭彦;付登源;朱银芳;杨晋玲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;中国科学院半导体研究所;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
一种温度传感器

[发明专利]负载调整率补偿电路、稳压电路、装置及芯片-CN202210870348.0有效
发明人：李纪平;郭亚东;王于波;卓越;孟逸飞;梁伊曼;王硕;肖知明;李亚兵 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;南开大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种负载调整率补偿电路、稳压电路、装置及芯片，所述负载调整率补偿电路包括：第一电流镜、第二电流镜以及第三电流镜，所述第二电流镜的第一输入端连接于所述第一电流镜的第二输出端，所述第二电流镜的第二输入端连接于所述第一电流镜的第三输出端，所述第三电流镜的第一输入端连接于所述第一电流镜的第三输出端，所述第三电流镜的第二输入端连接于所述第一电流镜的第四输出端。通过调整所述第一电流镜和第二电流镜的输出电流比值，以使具有所述负载调整率补偿电路的稳压电路在所述负载处的输出电压，由所述稳压电路的负载电流变化导致的变化值能够被至少部分抵消，从而改善负载调整率。
负载调整补偿电路稳压装置芯片

[发明专利]基准电压产生电路、芯片及电子设备-CN202211344115.3有效
发明人：赵东艳;李明节;王于波;李振国;原义栋;胡毅;赵天挺;侯佳力;王亚彬;苏萌;刘宇;常乃超 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
基准电压产生电路芯片电子设备

[发明专利]导热绝缘复合材料及其制备方法-CN202011349297.4有效
发明人：赵东艳;王于波;邵瑾;李秀伟;甄岩;于秋生;彭业凌;黄海潮;赵扬;董广智;王文赫;朱艳吉;申小松;汪怀远 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;天津大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。
导热绝缘复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质-CN202210740098.9有效
发明人：赵东艳;王于波;梁英宗;陈燕宁;鹿祥宾;张东嵘;付振;刘芳;闫振华;张庆平;夏绪卫 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
半导体器件失效时刻预测方法装置设备介质

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