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[发明专利]包络检波电路及芯片-CN202310518544.6在审
发明人：赵东艳;邵亚利;刘芳;付振;张泉;徐鹏;解尧明;沈美根;李东镁;张东;王立城;鹿祥宾;朱松超 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;灿芯创智微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03D1/18 文献下载
摘要：本发明涉及芯片领域，公开了一种包络检波电路及芯片，该包络检波电路包括：电容充电电流提供模块，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供充电电流；电容放电电流提供模块，与电容充电电流提供模块连接，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供放电电流；电容，电容连接在电容充电电流提供模块或电容放电电流提供模块的两端之间；以及比较模块，用于比较连接电压与预设参考电压，其中，充电电流和放电电流满足使得在调制信号的第一个脉冲周期内连接电压达到小于预设参考电压；以及根据比较结果输出电平信号，以完成对调制信号的包络检波。藉此，实现了包络检波和传输低延时。
包络检波电路芯片

[发明专利]IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路-CN202310560064.6在审
发明人：邵亚利;解尧明;沈美根;刘芳;付振;赵扬;李东镁;梁英宗;邵瑾;孟庆萌;常泽洲 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国网山西省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
igbt 控制装置方法芯片电路

[发明专利]IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片-CN202310475218.1在审
发明人：陈燕宁;邵亚利;刘芳;付振;张泉;徐鹏;沈美根;解尧明;李东镁;张东;邓永峰;鹿祥宾;符荣杰 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;灿芯创智微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
igbt 驱动电路用于方法芯片

[实用新型]一种输出驱动电路和输出驱动器-CN202022715410.8有效
发明人： 李东镁;张薇;邢康伟;朱恒宇 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型公开一种输出驱动电路，包括：第一延迟单元，包括第一和第二反相器组，对接入的输入信号进行延迟产生第一和第二延迟信号；锁存单元，接收第一和第二延迟信号，生成第一和第二锁存信号；第二延迟单元，包括第三和第四反相器组，对第一和第二锁存信号进行延迟，生成第三和第四延迟信号；输出单元，包括第一和第二晶体管，基于第三和第四延迟信号的控制产生输出驱动信号，其中，第二反相器的数量大于第一反相器的数量且差值为奇数；第三反相器的数量大于第四反相器的数量且的差值为奇数。上述输出驱动电路通过利用反相器和锁存器使两个晶体管错峰开启和关闭，避免了闩锁效应。本实用新型还公开了一种输出驱动器，包括上述输出驱动电路。
一种输出驱动电路驱动器

[实用新型]一种输出驱动电路和输出驱动器-CN202022715486.0有效
发明人： 李东镁;张薇;邢康伟;朱恒宇 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H03K3/353 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种输出驱动电路和输出驱动器，输出驱动电路包括总线保持单元，包括至少两个首尾相接的反相器，形成输入保持信号；第一延迟单元，对输入保持信号进行延迟，输出第一延迟信号和第二延迟信号，其中第一反相器组中串联的反相器数量小于第二反相器组中串联的反相器数量，差值为奇数；锁存单元，对第一延迟信号和第二延迟信号进行锁存输出第一锁存信号和第二锁存信号；第二延迟单元，其中第四反相器组中串联的反相器数量小于第三反相器组中串联的反相器数量，差值为奇数；输出单元包括第一晶体管和第二晶体管。本实用新型提供的输出驱动电路可以同时实现对输入信号的断路保持和晶体管的错峰开启与关闭，避免了闩锁效应。
一种输出驱动电路驱动器

[实用新型]一种输出驱动电路和输出驱动器-CN202022715409.5有效
发明人： 李东镁;张薇;邢康伟;朱恒宇 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种输出驱动电路和输出驱动器，其中输出驱动电路包括两个输出驱动单元，第一输出驱动单元包括N路并联连接的第一输出驱动子单元，第一输出驱动子单元包括串联连接的第一晶体管和第一反相器组，第n路第一输出驱动子单元的第一反相器组包括串联连接的in个反相器；第二输出驱动单元包括N路并联连接的第二输出驱动子单元，第n路第二输出驱动子单元的第二反相器组包括串联连接的in个反相器，N≥2，n∈[1,2,…N]，i1～iN分别为奇数或者i1～iN分别为偶数，inin‑1。上述输出驱动电路通过设置并联连接的多个第一/第二输出驱动子单元，在各子单元中设置不同数目的反相器，将电流分级输出，避免了闩锁效应。
一种输出驱动电路驱动器

[实用新型]用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管-CN202021675343.5有效
发明人： 李东镁;张薇;邢康伟;刘刚 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管。该ESD防护结构，包括衬底，以及依次设置在衬底上的外延层、第一绝缘层、多晶硅层、第二绝缘层和两个电极，两个电极分别穿过第二绝缘层与多晶硅层连接，其中，多晶硅层为N型掺杂；多晶硅层中设有多个间隔设置的P型掺杂区，多个P型掺杂区沿某一电极朝向另一电极的方向排布，且P型掺杂区的底部位于多晶硅层中。本申请公开的ESD防护结构，通过在多晶硅层中形成多个深度小于多晶硅层厚度的P型掺杂区，不仅可以有效解决静电放电问题，而且还可以吸收栅源间的瞬间电压脉冲，有效地保护场效应晶体管的栅氧化层，避免被击穿，提高场效应晶体管的可靠性并延长其使用寿命。
用于场效应晶体管 esd 防护结构以及

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