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[实用新型]芯片的封装结构-CN202121035277.X有效
发明人：井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
芯片封装结构

[实用新型]功率半导体的封装框架-CN202121440890.X有效
发明人：周昕;张景超;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率半导体的封装框架，包括多个单管封装结构，其中，每个所述单管封装结构包括散热区、载片区、管脚打线区和管脚区，所述散热区对应所述载片区设置，所述载片区通过所述管脚打线区与所述管脚区相连，并且相邻所述单管封装结构之间设有第一连接筋，每个所述单管封装结构两侧设有第二连接筋，每个所述单管封装结构中间还设有第三连接筋。本实用新型能够满足较大体积的功率半导体的贴片封装要求，并能够保证框架整体的稳固性，避免生产流转过程中造成的框架变形。
功率半导体封装框架

[实用新型]微沟槽IGBT-CN202121414363.1有效
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微沟槽IGBT，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本实用新型将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
沟槽 igbt

[实用新型]功率半导体器件-CN202121420943.1有效
发明人：陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片。由此，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感。
功率半导体器件

[实用新型]新型沟槽IGBT半导体器件-CN202121121004.7有效
发明人：戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。
新型沟槽 igbt 半导体器件

[实用新型]新型SiC MOSFET功率器件-CN202023158333.7有效
发明人：张景超;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型SiC MOSFET功率器件，包括：衬底；漏极金属层，漏极金属层设置于衬底下；漂移区，漂移区设置于衬底上；源区，源区设置于漂移区上；阱区，阱区设置于源区上；沟道区，沟道区设置于源区上；沟槽，沟槽平行于沟道区中沟道电流方向设置，并且沟槽穿过沟道区并到达阱区；栅极金属层，栅极金属层设置于沟槽上；源极金属层，源极金属层设置于栅极栅极金属层上。本实用新型能够增加沟槽侧壁的沟道宽度，并且由于碳化硅不同面具有不同的电子迁移率，因此可以选择相对高电子迁移率的侧面，从而能够保证沟槽侧壁的反型层电子迁移率高于器件表面的反型层电子迁移率，以有效降低器件的沟道电阻。
新型 sic mosfet 功率器件

[实用新型]一种用于焊接圆柱体器件及圆柱体NTC电阻的结构-CN202120400867.1有效
发明人：刘帅帅;张若鸿;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，具体公开了一种用于焊接圆柱体器件的结构，包括基板和焊锡，其中，所述基板上设置有铜箔，焊接圆柱体器件引脚位置的铜箔设置成与所述圆柱体器件相适配的凹槽状，所述凹槽状铜箔上设置有定厚度焊锡，所述凹槽两端的焊锡用于卡住所述圆柱体器件，所述圆柱体器件的引脚接触所述焊锡。本实用新型通过将引脚位置的铜箔设置成凹槽状，然后在铜箔上预置焊片，焊片融化后与基板预先设计好的凹槽状铜箔形状一致，固化后凹槽状铜箔开口两端的焊锡可以卡住圆柱体NTC电阻，解决了传统焊接方式焊接后圆柱体NTC电阻容易发生偏移的问题，进而无需设计防止圆柱体NTC电阻偏移的夹具，减少员工装配动作，节约成本。
一种用于焊接圆柱体器件 ntc 电阻结构

[外观设计]半导体功率模块-CN202130217915.9有效
发明人：周祥;石彩云;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体功率模块。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于控制及驱动的功率模块。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
半导体功率模块

[发明专利]微沟槽IGBT及其制作方法-CN202110704865.6在审
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种微沟槽IGBT及其制作方法，所述微沟槽IGBT包括：半导体衬底和IGBT元胞，IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且假沟槽单元和/或假栅极单元对称设置；相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在真栅极单元两侧通过注入推结在PW导电层下部形成JFET层。本发明将PW导电层覆盖到沟槽底部同时在真栅极单元之两侧引入JFET，使得PW局部维持原来的深度且不改变沟道长度，可以在优化IGBT静态特性的同时通过虚拟栅极降低米勒电容，增大输入电容和米勒电容的比例，进一步增强IGBT开通关断过程可控性。
沟槽 igbt 及其制作方法

[发明专利]功率半导体器件-CN202110704897.6在审
发明人：陈超;张海泉;麻长胜;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，包括：上桥臂单元包括第一功率金属箔片、第二功率金属箔片和第三功率金属箔片，其中，第三功率金属箔片上设置有对称分布的第一突出结构和第二突出结构，其上规律并且对称地排布有数量相同的第一功率半导体芯片，第一功率金属箔片与第三功率金属箔片相连，并且第二功率金属箔片与第三功率金属箔片相连；下桥臂单元包括第四功率金属箔片，在远离第三功率金属箔片的方向延伸设置有第三突出结构和第四突出结构，并且在靠近第一功率半导体芯片的位置设置有源极连接区域，其中，第三突出结构和第四突出结构上规律并且对称地排布有数量相同的第二功率半导体芯片。由此，能够有效地降低功率半导体器件内部的杂散电感。
功率半导体器件

[实用新型]新型IGBT功率半导体器件-CN202023158363.8有效
发明人：俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型IGBT功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，所述缓冲区设置于所述衬底上；基区，所述基区设置于所述缓冲区上；多个真栅极单元，多个所述真栅极单元设置于所述基区上，其中每个所述真栅极单元两侧分别设有假沟槽单元，并且每个所述真栅极单元的接触孔与相邻两侧的所述假沟槽单元的接触孔相连。本实用新型能够增加源区宽度，改善了工艺的一致性，提高器件的阈值电压等特性在圆片内的一致性和均匀性，从而解决了器件的可制造性问题。
新型 igbt 功率半导体器件

[实用新型]一种功率半导体器件-CN202023160225.3有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本实用新型提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。
一种功率半导体器件

[实用新型]IGBT器件-CN202023167932.5有效
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT器件，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本实用新型的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
igbt 器件

[实用新型]一种连接驱动电路板的金属针及其冲压模具-CN202023069823.X有效
发明人：张斌;麻长胜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型属于功率半导体制造技术领域，尤其涉及一种连接驱动电路板的金属针及其冲压模具，包括针本体和卡接结构，所述卡接结构包括上弹片和下弹片，所述针本体的中部侧边开设有容纳腔，所述上弹片和下弹片设置在容纳腔内，所述上弹片和下弹片之间的距离小于驱动电路板的厚度。有益效果：本实用新型的连接驱动电路板的金属针，通过卡接结构卡设在驱动电路板上，减少与驱动电路板的焊接或者键合，提高产品良率，减少工时提升效率，便于与驱动电路板的装配，有利于智能功率模块的集成，符合智能功率模块小型化的趋势。
一种连接驱动电路板金属及其冲压模具

[实用新型]高电流密度的功率半导体器件-CN202023080890.1有效
发明人：井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高电流密度的功率半导体器件，包括：衬底；缓冲区，缓冲区设置于衬底上；基区，基区设置于缓冲区上；沟槽区，沟槽区设置于基区上，沟槽区设有两个真沟槽单元，并且在两个真沟槽单元之间设有Dummy区，Dummy区中设有一个或多个假沟槽单元，其中，真沟槽单元结构形状相同，假沟槽单元结构形状相同，并且假沟槽单元的宽度大于真沟槽单元的宽度。本实用新型能够保证假沟槽单元具有较大的宽度尺寸，从而能够降低整体沟槽密度，以有效减小晶圆应力，从而消除晶圆翘曲，并且还能够降低假沟槽单元的深宽比，从而能够增加假沟槽单元底部拐角的曲率半径，以降低假沟槽单元底部电场集中，提高器件可靠性，此外，还能降低通态损耗。
电流密度功率半导体器件