钻瓜专利网为您找到相关结果
19 个，建议您
升级VIP 下载更多相关专利
[发明专利] SON器件的制备方法 -CN201810482594.2 有效
发明人：
刘张李 ;莘海维 蒙飞 ;孙玉红
- 专利权人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：
2018-05-18
-
公布日：
2020-12-11
-
主分类号：
H01L21/762 文献下载
摘要： 本发明提供了一种SON器件的制备方法，提供一衬底，在所述衬底上形成过渡层，在所述过渡层上形成间隔排列的第一介电层和半导体层，在所述第一介电层和半导体层上形成掩膜层；进行第一次刻蚀，形成第一开口，暴露出所述过渡层的第一组侧面；进行第二次刻蚀，使所述半导体层下的过渡层被部分刻蚀；进行第三次刻蚀，形成第二开口，暴露出所述过渡层的第二组侧面；进行第四次刻蚀，使所述半导体层下的过渡层被全部去除，在所述半导体层下形成空洞层。本发明所提供的方法分两次刻蚀半导体层下的过渡层，通过形成的第一开口和第二开口实现对过渡层的两次刻蚀，形成SON器件结构，能够简单有效地形成半导体层下方的空洞层，从而更好地完成器件的制备。son 器件 制备 方法
[发明专利] 逻辑电路制造方法以及逻辑电路 -CN201210507659.7 有效
发明人：
张瑛 ;莘海维
- 专利权人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：
2012-11-30
-
公布日：
2017-07-11
-
主分类号：
H01L21/765 文献下载
摘要： 本发明提供了一种逻辑电路制造方法以及逻辑电路。逻辑电路制造方法包括在硅片中形成有源区；以输入输出器件需要的离子量为基准进行离子注入，以用于在有源区中形成输入输出器件和核心器件的N阱；以输入输出器件需要的离子量为基准进行离子注入，以用于在有源区中形成输入输出器件和核心器件的P阱；形成氧化层并通过曝光及蚀刻的方式将核心器件区域的氧化层去除而留下输入输出器件区域的氧化层；形成逻辑器件的栅极；执行NMOS核心器件区域的轻掺杂；执行PMOS核心器件区域的轻掺杂；执行NMOS区域的n型离子注入；执行PMOS区域的p型离子注入；其中，不执行NMOS和PMOS输入输出器件的轻掺杂步骤。逻辑电路 制造 方法 以及
[发明专利] CMOS器件的制造方法 -CN201310321143.8 有效
发明人：
张瑛 ;莘海维 林伟铭 ;李佳佳
- 专利权人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：
2013-07-26
-
公布日：
2017-02-22
-
主分类号：
H01L21/8238 文献下载
摘要： 本发明提供了一种CMOS器件的制造方法，包括提供一衬底，所述衬底的内部形成有P阱和N阱，所述衬底的表面形成有多晶硅栅极，通过第一掩模版对所述衬底执行NMOS核心器件的光刻，执行NMOS核心器件的LDD离子注入，通过第二掩模版对所述衬底执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻，执行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的LDD离子注入，执行NMOS核心器件和NMOS输入输出器件的N+源漏注入，执行PMOS核心器件和PMOS输入输出器件的P+源漏注入。在本发明提供的CMOS器件的制造方法中，同时进行PMOS核心器件和NMOS输入输出器件的光刻以及离子注入，简化工序而降低制造成本的同时提高了器件的性能和寿命。cmos 器件 制造 方法
[发明专利] 电容及其形成方法 -CN201310095662.7 有效
发明人：
莘海维
- 专利权人：
上海宏力半导体制造有限公司
申请日：
2013-03-22
-
公布日：
2013-07-17
-
主分类号：
H01L21/02 文献下载
摘要： 一种电容及其形成方法，其中，电容的形成方法包括：在衬底中形成第一沟槽；形成第一介质层，覆盖衬底和第一沟槽侧壁、底部；形成覆盖第一介质层的第一导电层、位于第一导电层侧壁的第一牺牲层；重复形成第一导电层和第一牺牲层的步骤，在第一介质层上依次形成多个第一导电层和第一牺牲层；去除高出半导体衬底上的最底层第一导电层表面的多个第一导电层部分、第一牺牲层部分；去除剩余的多个第一牺牲层部分，形成多个第二沟槽；形成第二介质层、位于第二介质层上的顶部导电层，覆盖中间导电层、填充多个第二沟槽。本发明形成的整个电容的电容量也较大，电容形成方法减少了所使用光刻掩模的数量，明显降低了生产成本。电容 及其 形成 方法
[发明专利] 闪存器件的形成方法 -CN201210472760.3 有效
发明人：
徐爱斌 ;莘海维 包德君
- 专利权人：
上海宏力半导体制造有限公司
申请日：
2012-11-20
-
公布日：
2013-02-27
-
主分类号：
H01L21/8247 文献下载
摘要： 一种闪存器件的形成方法，包括：半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域表面具有隧穿氧化层和浮栅层；在第一区域的浮栅层表面以及第二区域的半导体衬底表面形成介质层；对第二区域的半导体衬底进行离子注入，形成相邻的第一阱区和第二阱区，并在每次离子注入工艺后去除介质层；之后，在第一区域的介质层表面以及第二区域的半导体衬底表面形成栅氧化层和栅极层；刻蚀第一区域的部分栅极层、栅氧化层、介质层和浮栅层，形成相邻的第一栅极结构和第三栅极结构；刻蚀第二区域的部分栅极层，形成第二栅极结构，并同时刻蚀第三栅极结构的部分栅极层和介质层，在第三栅极结构内形成开口。所述闪存器件的制造方法工艺简单，成本低廉。闪存 器件 形成 方法
