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[发明专利]一种采用双MCU架构的光模块调制解调系统和方法-CN202011180550.8有效
发明人：贾朝波;谢初旭;王文武;杨洪 -专利权人：索尔思光电（成都）有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用双MCU架构的光模块调制解调系统和方法，包括主机、主处理器、从处理器、调制解调单元，所述调制解调单元包括调制器、解调器。本方案增加的所述从处理器作为OAM信号的通信信道，将经过光收发模块的OAM信号使用从处理器和调制解调单元来完成调制和解调的处理，不再占用主处理器的中断资源，那么主机对主处理器的访问请求就不会因中断资源有限而失败，OAM信号的曼彻斯特码调制与解调也不会因为主机访问主处理器的优先级最高而存在脉冲计数错误，主处理器和从处理器各司其职，在不影响主机访问请求的情况下，曼彻斯特码脉冲计数也能准确且不延迟。
一种采用 mcu 架构模块调制解调系统方法

[发明专利]热电堆及其制作方法-CN202010389904.3有效
发明人：周娜;李俊杰;毛海央;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：一种热电堆及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用博世刻蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行第一步刻蚀释放；采用反应离子刻蚀，进行衬底的第二步刻蚀释放，得到完全释放的背腔和保持完整的热电堆结构，完成热电堆的制备。本发明采用常规衬底，通过干法刻蚀释放工艺，分步对衬底进行刻蚀释放，在保持热电堆结构完整性的同时，制作出热电堆器件。
热电及其制作方法

[发明专利]一种铜、镍接力催化的马来酸二乙酯的合成方法-CN202310062923.9有效
发明人：李慧鹏;崔延超;宫雪红;王文武;袁荣荣 -专利权人：山东同成医药股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C07C51/145 文献下载
摘要：本发明属于有机化学合成技术领域，特别涉及一种铜、镍接力催化的马来酸二乙酯的合成方法。本发明以丙烯酸乙酯、乙醇和含体积分数为5%的氧气的一氧化碳为原料，采用铜类催化剂和镍类催化剂接力进行催化反应，精准构建马来酸二乙酯，反应收率为94%‑98%，解决了科研领域中使用固体超强酸、杂多酸、改性分子筛、阳离子交换树脂等催化合成马来酸二乙酯时带来的催化效率低、活性组分易流失等问题，解决了目前工业化生产中采用浓硫酸作为催化剂带来的较大安全隐患的问题，为马来酸二乙酯的绿色工业化生产提供了简单、廉价、高效的合成方法。
一种接力催化马来酸二乙酯合成方法

[发明专利]一种自动规划最优布局流程图的方法-CN201910846790.8有效
发明人：王炜;王文武;邓金祥;代先勇;刘洋;谷峰;曾海刚 -专利权人：成都锋卫科技有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06T11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动规划最优布局流程图的方法，可以在用户配置的任意阶段调用，调用之后，界面上的工作流节点会根据节点名称内容自适应大小，并且根据用户添加工作流节点的顺序按照从左到右，从上到下的关系自动进行布局，通过自动换行来体现父子级关系，能够一眼看出各个工作流节点之前的逻辑关系，工作流节点之间的连接线通过方法计算，避免出现穿越工作流节点的情况。
一种自动规划最优布局流程图方法

[发明专利]基于人工智能的多逆变器功率分配控制方法、装置及设备-CN202211684913.0在审
发明人：赵转;王迪;张瀚文;张菁娴;王文武;许多;王忠康;杜刚;李星宇 -专利权人：郑州电力高等专科学校
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02J3/24 文献下载
摘要：本发明涉及基于人工智能的多逆变器功率分配控制方法、装置及设备。该方法通过将各个目标逆变器的参数嵌入向量和目标频率输入至训练好的目标频率优化模型中，输出各个目标逆变器的优化频率；然后将各个逆变器的初始频率、优化频率、初始下垂系数、信息向量，以及参数嵌入向量输入至训练好的下垂系数预测模型，输出各个目标逆变器的待调节的预测下垂系数，能够预测出各个目标逆变器在各个预设调节时间段的预测下垂系数，可以对各个目标逆变器在不同时间段分别进行阶梯式下垂控制，确保下垂控制的精确性，实现功率合理分配，提高多逆变器功率分配的稳定性。
基于人工智能逆变器功率分配控制方法装置设备

[发明专利]一种全开式小包入预制条盒装填主线-CN202211646589.3在审
发明人：李宏彬;李兴建;李刘平;郑江;李志刚;胡力文;刘瑶;白育妃;韩洪彦;许晓鹏;董瑞峰;倪敏;张帆;蒲凤康;王文武 -专利权人：云南烟草机械有限责任公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B65B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种全开式小包入预制条盒装填主线，其特征在于，包括条盒输送通道，以及依次安装在条盒输送通道上的条盒推入装置；条盒推入装置将输入的条盒推入输送通道上，条盒开盒装置将输送通道内条盒盒盖打开，硫酸纸整理装置将开盒后盒内的硫酸纸取出盒外并平整夹持，拉带整理装置将取出硫酸纸后盒内的拉带取出并平整夹持，小包分垛及冲填装置将小盒烟包分垛后冲填入已取出拉带后的条盒内，硫酸纸及拉带导回装置将硫酸纸及拉带导回已冲填完小盒烟包的条盒内，条盒关盒装置将硫酸纸及拉带导回后的条盒盒盖关上。本发明设计了一条全开式小包入预制条盒装填主线，实现小包自动装填入全开式预制条盒。
一种全开小包预制盒装主线

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备-CN202010943337.1有效
发明人：李永亮;程晓红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决掩膜填充到器件的纳米片或线之间，影响该器件的阈值电压等电学性能的技术问题。该半导体器件的制作方法包括：提供多个半导体结构；每个半导体结构至少包括间隔设置的多个纳米片或线，以及形成在纳米片或线外周的栅介质层；采用多次淀积和去除工艺，在每个半导体结构的栅介质层外周形成相应厚度的偶极子层，以使每个半导体结构具有相应的阈值调控结构，从而获得多个具有不同阈值调控参数的阈值调控结构；其中，多次淀积和去除工艺包括，采用多次淀积工艺在每个半导体结构中形成牺牲层，以及采用多次去除工艺去除牺牲层。
一种半导体器件及其制作方法集成电路以及电子设备

[发明专利]用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备-CN202010270647.1有效
发明人：金成昱;金帅炯;梁贤石;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备。所述调整装置用于对工件台上放置的基板进行调整，所述基板表面预先被划分为多个测量区域，其包括：在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块；光源发出的光束经过投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后，到达可调节反射镜；所述可调节反射镜将光束调整后照明所述工件台上放置的基板表面对应的测量区域；从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块；所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。该调整装置可以准确地对基板偏离量进行校正，可以减少曝光前的调焦调平时间，使得曝光设备的工作效率得到提升。
用于曝光设备调整装置方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构-CN202211332074.6在审
发明人：杨涛;张月;贺晓彬;高建峰;李俊杰;韦亚一;戴博伟;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：形成衬底，衬底内具有浅沟槽，且衬底表面具有研磨停止层，浅沟槽贯穿研磨停止层；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有凹槽，绝缘介质层的上表面不低于研磨停止层的上表面，凹槽的底端在衬底的上方，凹槽与浅沟槽一一对应，每个凹槽位于相应的浅沟槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，以在浅沟槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明能够使浅沟槽隔离结构的表面更加平整。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构-CN202211332075.0在审
发明人：杨涛;张月;贺晓彬;高建峰;李俊杰;韦亚一;戴博伟;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及浅沟槽隔离结构，其中化学机械平坦化的方法包括：提供一基底结构，基底结构包括衬底和研磨停止层，基底结构内具有多条不同宽度的隔离槽，隔离槽贯穿研磨停止层并贯穿衬底的上表面；沉积绝缘材料并进行退火工艺，以形成绝缘介质层，绝缘介质层的表面形成有不同深度的凹槽，每个凹槽位于相应的隔离槽的正上方；沉积第一分隔材料，以形成第一分隔层，在同等研磨条件下第一分隔层的去除速率低于绝缘介质层的去除速率；在同等研磨条件下进行化学机械平坦化处理，直至去除第一分隔层；对剩余的绝缘介质层进行湿法腐蚀，以在隔离槽内形成浅沟槽隔离结构。本发明使得制备出浅沟槽隔离结构的厚度一致。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]一种钠离子电池用电解液及其钠离子电池-CN202211514846.8在审
发明人：王元杰;薄晋科;曹仕良;田秀君;王文武 -专利权人：大连中比动力电池有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明涉及钠离子电池技术领域，尤其涉及一种钠离子电池用电解液及其钠离子电池，电解液按重量份数计，包括有机溶剂、钠盐和添加剂；添加剂包括葵二酸类化合物、腈类化合物和三(三甲基硅烷)磷酸酯。电解液的添加剂包括大分子葵二酸化合物，其可以有效与正极材料表面的碱性物质反生反应，并能在正极成膜，减缓或者阻止了碱性物质对电解液溶剂的分解；同时，电解液中的三(三甲基硅烷)磷酸酯与腈类物质可以有效抑制Fe与Ni在正极电极中的氧化反应，阻止其在负极的还原；以上共同作用能有效提高钠离子电池的循环寿命。
一种钠离子电池用电及其

[发明专利]集成电路设备和半导体器件的制备方法-CN202211533952.0在审
发明人：李俊杰;刘恩序;周娜;高建峰;李俊峰;李永亮;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路设备和半导体器件的制备方法，集成电路设备包括：机体、第一真空泵、第一机械手、第一隔离门和多个加工机构；机体包括机壳、装卸腔室、传输腔室和多个真空腔室，多个真空腔室内均设置有加工机构，加工机构与机壳连接，装卸腔室和真空腔室分别与传输腔室连通，装卸腔室与机壳的外表面连通，第一真空泵与机壳连接，第一隔离门位于装卸腔室内并与机壳活动连接；第一机械手位于传输腔室内，用于将待处理半导体器件在装卸腔室、传输腔室和多个真空腔室间移动；第一真空泵用于在第一隔离门阻断传输腔室通过装卸腔室与外界连通时，使真空腔室和传输腔室处于真空状态。本发明能够提高半导体器件的可靠性。
集成电路设备半导体器件制备方法

[发明专利]一种冬季压裂施工用设备防冻材料及制备方法和使用方法-CN202211442198.X在审
发明人： 王文武;高燕;杨嘉慧;邵秀丽;张冕;徐迎新;周逸凝;杨小朋;赵庆磊;孙国玉;郭举;舒刚;方军伟;张铁军;王亚军;寇东;纪冬冬;王科萌 -专利权人：中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团川庆钻探工程有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09K8/00 文献下载
摘要：本实施例提供了一种冬季压裂施工用设备防冻材料及制备方法和使用方法，防冻材料，包括主剂和辅剂，所述辅剂的质量为主剂质量的1‑10%，所述主剂为水和二甲基亚砜的混合物，所述辅剂包括缓蚀剂和添加剂。本发明主剂中二甲基亚砜中硫氧键的氧原子与水中氢氧键的氢原子结合形成氢键，有效的阻止了当温度降低时水分子间氢键结合形成冰，从而起到了一定的防冻效果。通过主剂和辅剂的配合，在降低冰点的同时，还能减小对油气层的伤害，并提高防冻材料的稳定性。在‑35℃作业环境下，设备、地面管线、井口等无结冰，能够满足压裂、连油、修井等作业在‑35℃下正常施工。
一种冬季施工设备防冻材料制备方法使用方法

[发明专利]一种纳米结构的制备方法及纳米结构-CN202211576202.1在审
发明人：李俊杰;周娜;刘恩序;高建峰;李俊峰;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米结构的制备方法及纳米结构，该纳米结构的制备方法通过先在衬底上交替重复的层叠第一材料层和第二材料层，形成叠层；之后在叠层上表面形成线槽图案，并刻蚀叠层至衬底的表面，将线槽图案转移到叠层中；再在叠层的线槽图案中填充成型材料，去除叠层中剩余的第一材料层或第二材料层，从而在叠层内形成阵列排列的纳米孔图案。相比现有方式，既能够保证纳米孔图案呈规律的几何阵列排列，而且还能够通过调整线槽图案的线槽间距、第一材料层及第二材料层的厚度，控制纳米孔的直径与密度。
一种纳米结构制备方法

[发明专利]半导体器件的平坦化方法、电子设备和芯片-CN202211576203.6在审
发明人：李俊杰;杨涛;周娜;高建峰;贺晓彬;李永亮;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的平坦化方法、电子设备和芯片，其中平坦化方法包括：提供半导体器件；将半导体器件浸没在水或水溶液中，以使水或水溶液的表面高于半导体器件上的待处理表面；静置指定时间后，凝固水或水溶液，以在待处理表面上形成平面填充结构；对待处理表面上的平面填充结构进行平坦化处理，以在去除平面填充结构的过程中，对待处理表面进行平坦化处理。本发明能够提高半导体器件在待处理表面上的平整度。
半导体器件平坦方法电子设备芯片