专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种粘合剂加工用分散装置-CN202320305407.X有效
  • 钟力;王文武;叶富钰;张健康 - 重庆建峰浩康化工有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-06-16 - B01F31/441
  • 本实用新型涉及粘合剂加工技术领域,且公开了一种粘合剂加工用分散装置,包括支架,所述支架上安装有电机,所述电机下端输出端驱动连接有异形齿轮,所述支架一侧滑动套接有限位杆,所述限位杆一侧固定连接有活动盘,所述活动盘底侧开设有活动槽,所述活动槽前后两侧开设有齿槽,所述活动盘前后外壁上开设有磁性卡槽,所述活动盘下侧连接有分散桶。通过设计,该设备内采用电机驱动异形齿轮转动,异形齿轮转动带动分散轴转动对分散桶内的粘合剂进行搅拌分散,且异形齿轮与带有齿槽的活动槽啮合时,异形齿轮转动通过齿槽带动活动盘进行往复晃动运动,进而带动与活动盘磁性卡接的分散桶进行往复晃动,从而进一步的提高其分散效率,缩短了作业时间。
  • 一种粘合剂工用分散装置
  • [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202310364008.5在审
  • 李永亮;贾晓锋;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-04-06 - 2023-06-09 - H01L21/8238
  • 本发明公开一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,以降低三维叠层互补晶体管的制造难度,提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括:对半导体衬底进行图案化处理,以在半导体衬底上形成鳍状结构。鳍状结构包括沿半导体衬底的厚度方向依次设置的第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部。在半导体衬底上形成浅槽隔离层。采用离子注入工艺并以第一注入角度,对第二鳍部进行掺杂处理。采用离子注入工艺并以第二注入角度,对第三鳍部进行掺杂处理。对浅槽隔离层进行回刻处理,以暴露出第二鳍部。基于第二鳍部形成第一环栅晶体管、以及基于第三鳍部形成第二环栅晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。
  • 一种半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种钠离子正极材料及制备方法和钠离子正极极片-CN202211526579.6在审
  • 王元杰;薄晋科;曹仕良;田秀君;王文武 - 大连中比动力电池有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-06-06 - H01M4/36
  • 本发明涉及钠离子电池技术领域,尤其涉及一种钠离子正极材料及制备方法和钠离子正极极片,钠离子正极材料包括镍铁锰酸钠基体和有机导电涂层,所述有机导电涂层包覆于所述镍铁锰酸钠基体上;所述有机导电涂层包括聚丙烯腈和导电剂。本发明的钠离子正极材料在镍铁锰酸钠材料表面包覆有机导电涂层,有机导电涂层包括聚丙烯腈和导电剂,聚丙烯腈可有效阻止正极材料与铝箔之间发生化学反应;导电剂连通了正极材料与铝箔,降低了正极极片的电阻。相对氧化铝包覆正极材料,本发明的钠离子正极材料制备的钠离子正极极片压实密度提高0.1g/cm3‑0.2g/cm3,制成的钠离子电池容量提高14%‑25%,循环寿命提高40%‑80%。
  • 一种钠离子正极材料制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310333531.1在审
  • 李永亮;刘昊炎;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-03-30 - 2023-06-06 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于简化三维叠层互补晶体管的制造过程,降低三维叠层互补晶体管的制造难度,进而利于提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件包括:半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。上述第一环栅晶体管形成在半导体基底上。第一环栅晶体管包括的沟道区的材料为单晶半导体材料。第二环栅晶体管形成在第一环栅晶体管的上方、且与第一环栅晶体管间隔设置。第二环栅晶体管包括的沟道区的材料为多晶半导体材料。第二环栅晶体管和第一环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310274294.6在审
  • 李永亮;刘昊炎;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-03-17 - 2023-06-02 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,以通过制造应力源结构的应力源层向沟道区施加应力,提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括:半导体基底、有源结构、栅堆叠结构和应力源结构。半导体基底具有埋氧层。有源结构形成在埋氧层上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。有源结构位于沟道区内的部分的材料为硅、锗硅或锗。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。应力源结构至少设置在沟道区的下方、且位于栅堆叠结构和埋氧层之间。应力源结构的材料为锗硅,且在有源结构位于沟道区内的部分的材料为锗硅的情况下,应力源结构和有源结构位于沟道区内的部分的材料中锗含量不同。
  • 一种晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310076902.2在审
  • 李永亮;张佳熠;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-01-16 - 2023-05-30 - H01L29/10
  • 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法,涉及半导体技术领域,以使得环栅晶体管具有非对称的开关电流,满足相应应用场景的工作要求。所述环栅晶体管包括:第一有源区、第二有源区、沟道和栅堆叠结构。沟道位于第一有源区和第二有源区之间、且分别与第一有源区和第二有源区接触。栅堆叠结构环绕在沟道的外周。其中,沟道包括至少一个第一纳米结构。沿第一有源区至第二有源区的方向,每个第一纳米结构被栅堆叠结构覆盖的部分均具有第一区域和第二区域。同一第一纳米结构中,第一区域的宽度和厚度分别小于第二区域的宽度和厚度。
  • 一种晶体管及其制造方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310174171.5在审
  • 李永亮;罗军;王文武 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-02-23 - 2023-05-30 - H01L29/08
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于使得CFET器件的结构更加简单,简化CFET器件的制造流程,并降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件包括的第一无结型垂直环栅晶体管形成在半导体基底上。第二无结型垂直环栅晶体管形成在第一无结型垂直环栅晶体管上。第二无结型垂直环栅晶体管和第一无结型垂直环栅晶体管的导电类型相反。第一无结型垂直环栅晶体管包括的第一有源结构和第二无结型垂直环栅晶体管包括的第二有源结构均具有源区、漏区和沟道区,源区和漏区分别位于沟道区沿半导体基底厚度方向的两侧。第二有源结构直接形成在第一有源结构上、且第二有源结构的材料带隙宽度不同于第一有源结构的材料带隙宽度。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法-CN202111063259.7有效
  • 张静全;张建宇;李岸峰;王文武;武莉莉;赵德威 - 四川大学
  • 2021-09-10 - 2023-05-26 - C30B7/14
  • 本发明公开了一种生长全无机非铅钙钛矿单晶的方法,包括将两种前驱体溶液混合,加热搅拌直至混合溶液中有固体物质产生;将籽晶杆插入装有混合溶液的容器中,在一定温度下加热直至有小晶粒在籽晶杆上生成,取出籽晶杆,选取合适的小晶粒作为籽晶,粘接在籽晶杆底面中心位置;将粘接了籽晶的籽晶杆插入装有混合溶液的容器中,在一定温度下对容器进行加热直至单晶生长到所需尺寸。本发明利用两种前驱体及产物在溶剂中的溶解度差异,通过固定溶液上下部的温度及浓度梯度,使得溶质持续从溶液下部向溶液上部输运,实现高质量单晶的连续生长;同时利用溶质在特定溶剂中溶解度较低的特性,有效降低了单晶生长过程的原料损耗,提高了单晶产率。
  • 一种生长无机非铅钙钛矿单晶方法

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