“王成森”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果264个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种兽用双黄连口服液及其制备方法-CN202310808033.8有效
发明人： 王成森;曹继东;李申华;朱光;沙赛;杨瑞锋 -专利权人：山东天宇生物科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： A61K36/634 文献下载
摘要：本发明涉及兽用中药制剂技术领域，具体涉及一种兽用双黄连口服液及其制备方法。本发明采用了丁羟茴醚作为稳定剂并优选其用量，并加以适量的丙二醇，通过加速试验发现，其有效成分黄芩苷、绿原酸、木犀草苷等含量的稳定性较高，并且经过加速试验，含量比较稳定。与现有技术相比，采用了环糊精包合技术，通过包合的作用，有效提高了金银花中的有效成分的使用，适合进一步工业化大生产。
一种双黄口服液及其制备方法

[发明专利]一种兽用地塞米松磷酸钠注射液及其制备方法-CN202310775087.9在审
发明人：宋之波;王成森;都振玉;刘建胜;郭瑞萍 -专利权人：山东畜牧兽医职业学院
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A61K9/08 文献下载
摘要：本发明属于动物医药技术领域，具体涉及一种兽用地塞米松磷酸钠注射液及其制备方法。本发明兽用地塞米松磷酸钠注射液包括地塞米松磷酸钠、十八烯酸钠、pH调节剂、助溶剂、注射用水，通过优选辅料和优化制备工艺，解决了地塞米松磷酸钠对光、湿、空气极不稳定造成制剂稳定性差的问题，本发明制备的兽用地塞米松磷酸钠注射液可见异物合格、不溶性微粒少且加速试验中基本保持不变，光照试验和加速试验中本发明兽用地塞米松磷酸钠注射液有关物质含量低，稳定性高。
一种用地塞米松磷酸钠注射液及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法和应用-CN202010547030.X有效
发明人：欧阳潇;沈怡东;王成森 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法和应用。该制备方法包括：提供一N型硅单晶片；通过磷预扩和磷再扩的方式，在N型硅单晶片的正反两面的表面制备N+扩散层；去除正面的N+扩散层；通过硼预扩和硼再扩的方式，在去除N+扩散层的正面扩散硼；扩散铂；正反两面均进行微腐蚀，去除微表面的富集铂源；两面同时沉积富氧多晶硅膜；将多余的铂析出至富氧多晶硅膜内；剥离富氧多晶硅膜；350℃‑450℃下沉积SiO2薄膜；经过光刻槽、台面腐蚀、钝化，得到快恢复二极管。由本发明的制备方法得到的二极管可以在维持产品快恢复时间的同时，降低产品的压降及硅片的脆度，提高产品性能，降低碎片率。
一种恢复二极管及其制备方法应用

[实用新型]一种啤酒生产用悬沉罐固液分离机构-CN202320332596.X有效
发明人： 王成森;邹荣华;张松;周康 -专利权人：青岛金帝精酿啤酒有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C12C7/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种啤酒生产用悬沉罐固液分离机构，应用在啤酒生产用品领域，包括罐体和支撑机构，所述罐体的内部设置有分离腔；本实用新型通过在罐体的内部安装有分离腔，再配合分离腔上面的过滤孔，配合锥形齿轮和锥形齿圈与步进电机的使用，当外部麦汁输送到罐体内部时，可以使麦汁内部的杂质被拦截在分离腔中，汁液甩出分离腔，提高了悬沉罐的分离速度，无需等待沉淀，提高后续加工的效率，通过在罐体的内部安装有两个连接杆，配合连接杆上面安装的清洁毛刷，当分离腔进行转动时，清洁毛刷相对分离腔进行运动，从而使清洁毛刷对分离腔内部持续清洁，防止杂质堵塞过滤孔，保障分离工作的正常进行。
一种啤酒生产用悬沉罐固液分离机构

[发明专利]增加沟槽底部氧化层厚度的方法-CN202310821468.6在审
发明人：王友伟;徐雷军;王成森;刘启星 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种增加沟槽底部氧化层厚度的方法，涉及半导体技术领域。增加沟槽底部氧化层厚度的方法包括：S1：在硅片上刻蚀出硅沟槽；S2：在硅片上以及硅沟槽内生长缓冲氧化层；S3：在缓冲氧化层上生长第一多晶硅淀积层、并掺杂；S4：刻蚀缓冲氧化层上的第一多晶硅淀积层；S5：在第一多晶硅淀积层上生长低温氧化层。增加沟槽底部氧化层厚度的方法利用掺杂多晶硅氧化速度比单晶硅氧化速度快的特性，在硅沟槽的底部保留适量的掺杂多晶硅，再经过氧化后硅沟槽底部形成的低温氧化层会明显比硅沟槽侧壁的低温氧化层厚，可以有效提高硅沟槽底部的低温氧化层的厚度，提高沟槽产品底部氧化层的厚度和质量。
增加沟槽底部氧化厚度方法

[实用新型]一种玉米糁粒径筛分机-CN202320180637.8有效
发明人：张桂明;王金鹏;王成森;程光民;孙纯锐;杨世臣;王木宝;杨军红 -专利权人：诸城兴贸玉米开发有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B07B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及玉米粒径筛分的技术领域，特别是涉及一种玉米糁粒径筛分机，其通过磁吸装置将成堆玉米粒进行均匀摊铺，并将其中的金属吸附，减少出料时混入金属；通过砂石筛分装置将玉米粒中的灰尘吹起并将细小颗粒进行筛除，提高了设备的实用性；通过降尘装置将箱体内漂浮的灰尘进行收集，减少玉米粒中的杂质和箱体中的扬尘，提高了设备的环保性；通过粒径筛分装置将玉米粒按大小进行快速筛分，提高了设备的生产效率；包括机身和筛分装置，筛分装置安装在机身上；还包括箱体、磁吸装置、砂石筛分装置、降尘装置和粒径筛分装置。
一种玉米粒径筛分

[发明专利]一种SGT-MOSFET的制造方法及SGT-MOSFET-CN202310821467.1在审
发明人：徐雷军;王友伟;杜盼晓;王成森 -专利权人：捷捷微电(南通)科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种SGT‑MOSFET的制造方法及SGT‑MOSFET，属于半导体技术领域，包括：在外延片上刻蚀出的沟槽及外延片表面上形成氧化停止层，进行第一次多晶硅淀积，并对形成的多晶硅薄层进行多晶硅氧化，进行第二次多晶硅淀积以填满沟槽，填满后按序对沟槽内的多晶硅刻蚀和氧化，进而将裸露的杂质化合物进行腐蚀，对腐蚀后的外延片进行氧化以形成栅氧化层，并进行第三次多晶硅淀积以填充沟槽，去除外延片表面的多晶硅，保留沟槽内的多晶硅，能够使SGT‑MOSFET沟槽的底部厚度大于侧壁，极大地提高产品耐压，并减小产品应力，同时通过对沟槽内的多晶硅进行氧化，能够有效提高两层多晶之间的间距，降低源极和栅级电容。
一种 sgt mosfet 制造方法

[发明专利]一种兽用驱虫的复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法-CN202310549063.1在审
发明人：宿志民;段鹏;王加才;王成森;朱术会;王增国;张慧;徐欣欣;李飞;张娜 -专利权人：山东畜牧兽医职业学院
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明属于动物医药技术领域，具体涉及一种兽用驱虫的复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法。本发明复方米尔贝肟吡喹酮制剂包括米尔贝肟、吡喹酮、填充剂、崩解剂、润滑剂、调味剂，设计了一种新的复方米尔贝肟吡喹酮处方和制备方法，通过优选制备方法以及制备方法中的各种辅料、用量等，提高了米尔贝肟微囊、吡喹酮微囊的载药量和包封率，为后续制备复方米尔贝肟吡喹酮片提供较优的条件，显著提升了复方米尔贝肟吡喹酮片的稳定性和动物适口性。
一种驱虫复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法

[发明专利]一种大通流斩波防雷器件及应用于防雷器件中铜电极的制造方法-CN201710448783.3有效
发明人： 王成森;吴家健;朱倩;尹佳军 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种大通流斩波防雷器件，它包括两个带有半圆形固定孔的塑料外壳、两个铜电极、两个散热铜片、两个应力缓冲金属片和固体放电管芯片，固体放电管芯片的两面分别与两个应力缓冲金属片的内侧面焊接在一起，两个应力缓冲金属片的外侧面分别与两个散热铜片的内侧面焊接在一起，两个散热铜片的外侧面分别与两个铜电极的碟底面焊接在一起，两个铜电极是具有碟底、杯径、杯身的一件体，固体放电管芯片四周覆有软胶体灌封料层。本发明还公开了一种应用于大通流斩波防雷器件中铜电极的制造方法，该防雷器件机械结构简单，取代了同类产品需用螺栓固定冷压端子和防雷器件的安装方式，使安装过程更简单、安全可靠。
一种通流防雷器件应用于电极制造方法

[发明专利]一种压敏组件、压敏组件制作方法及过压保护电路-CN202110675780.X有效
发明人： 王成森;吴家健;李成军 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种压敏组件、压敏组件制作方法及过压保护电路，涉及塑料封装领域。该压敏组件包括至少三个压敏电阻芯片；四个电极片，至少三个压敏电阻芯片与四个电极片分层设置，相邻两个电极片之间至少设置一个压敏电阻芯片，每个电极片均与相邻的压敏电阻芯片电连接，且每个电极片均包括引脚；塑封体，至少三个压敏电阻芯片与四个电极片封装于塑封体内，且每个电极片的引脚均露出塑封体。本申请提供的压敏组件、压敏组件制作方法及过压保护电路具有体积更小、成本更低、使得器件之间一致性更好的优点。
一种组件制作方法保护电路

[实用新型]一种玉米糁分级破碎机-CN202320180633.X有效
发明人：王金鹏;张桂明;王成森;程光民;杨世臣;王木宝;孙纯锐;杨军红 -专利权人：诸城兴贸玉米开发有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B02C23/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及分级破碎装置的技术领域，特别是涉及一种玉米糁分级破碎机，其避免筛分机构堵塞，提高玉米粒的流动速度，提高破碎效果，得到破碎均匀充分的玉米糁；包括破碎箱和破碎机构，破碎箱的顶端开设有进料口，破碎机构安装在破碎箱的内部，对玉米进行破碎；还包括筛分机构、震动机构和二次破碎机构，筛分机构包括第一筛网、第二筛网、箱门、把手和送料斗，震动机构包括振动电机、四个定位块、四个滑动杆、四个支撑套杆、四个弹簧和底板，筛分机构安装在破碎箱的内部，震动机构安装在破碎箱的底端，二次破碎机构安装在破碎箱的侧壁上，对破碎后的玉米糁进行二次破碎。
一种玉米分级破碎

[实用新型]一种可控硅模块与电子设备-CN202222933392.X有效
发明人：吴家健;王成森;孙健锋;钱嘉丽 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本申请提出一种可控硅模块与电子设备，涉及半导体封装技术领域。该控硅模块包括第一可控硅组件、第二可控硅组件、第一过桥、第二过桥、热沉底板、外壳、控制端导线以及主电流导线，第一可控硅组件与第二可控硅组件间隔的设置于热沉底板上，第一过桥的两端分别与第一可控硅组件的阴极、第二可控硅组件的阳极电连接，第二过桥的两端分别与第一可控硅组件的阳极、第二可控硅组件的阴极电连接，外壳套设于第一可控硅组件、第二可控硅组件、第一过桥、第二过桥以及热沉底板外；外壳上还设置控制极引出端与主电流引出端。本申请提供具有降低了安装成本，同时增加了可控硅模块的输入与输出端的电气间隙的优点。
一种可控硅模块电子设备

[发明专利]一种兽用驱虫的复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法-CN202310259633.3在审
发明人：宿志民;段鹏;王加才;王成森;朱术会;王增国;张慧;徐欣欣;李飞;张娜 -专利权人：山东畜牧兽医职业学院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： A61K31/4985 文献下载
摘要：本发明属于动物医药技术领域，具体涉及一种兽用驱虫的复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法。本发明复方米尔贝肟吡喹酮制剂包括米尔贝肟、吡喹酮、填充剂、崩解剂、润滑剂、调味剂，设计了一种新的复方米尔贝肟吡喹酮处方和制备方法，通过优选制备方法以及制备方法中的各种辅料、用量等，提高了米尔贝肟微囊、吡喹酮微囊的载药量和包封率，为后续制备复方米尔贝肟吡喹酮片提供较优的条件，显著提升了复方米尔贝肟吡喹酮片的稳定性和动物适口性。
一种驱虫复方米尔贝肟吡喹酮制剂及其制备方法

[发明专利]一种共阳极整流半桥芯片及其制备方法-CN201710833477.1有效
发明人： 王成森;王琳;周榕榕;钱清友 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种共阳极整流半桥芯片，包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯片的下表面分别设有金属膜层，所述引线孔表面的金属膜层上还设有多列凸球状电极；所述P型区由对通隔离扩散和背面扩散所形成，并半包围在N型区的外部形成U型结构；并提供制备上述共阳极整流半桥芯片的制备方法，其钝化工艺可靠简单，共阳极整流半桥芯片能适应小电流整流的应用，可直接贴装在铝基板上，免除塑料封装，能有效节约资源。
一种阳极整流芯片及其制备方法

[发明专利]一种SGT器件制作方法-CN202211538265.8在审
发明人：沈怡东;王成森 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一带有沟槽的硅片，沿沟槽的表面生长场板氧化层，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度，再将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除，再沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层，再对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，然后对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率，再沿沟槽的侧壁制作栅氧化层，最后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。本申请提供的SGT器件制作方法具有工艺简单，成本更低的优点。
一种 sgt 器件制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
下一页»
尾页
共 264 条