专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]水表检测装置及方法-CN202010768887.4有效
  • 单常清;杨海东;陈宇翔;洪旭峰;王有文 - 邵东智能制造技术研究院有限公司
  • 2020-08-03 - 2022-06-21 - G01F25/10
  • 本发明提供了一种水表检测装置,包括:水表输送线、测试系统,所述水表输送线上设置有多个水表托盘,所述水表托盘用于放置水表,所述水表输送线上依次设置有水表上线和扫描关联单元、第一无线屏蔽单元、第一视觉检测单元、静态电流测试单元、刷卡检测单元、机电转换单元、第二视觉检测单元、第二无线屏蔽单元、第三视觉检测单元、水表下线单元;本发明还提供了一种水表检测方法。本发明的装置结构设计合理,方法运行流畅,能够自动实现水表多项性能测试,并记录检测数据,能够有效提高水表检测效率,适应大规模生产需求。
  • 水表检测装置方法
  • [发明专利]试管封盖装配设备及封盖装配方法-CN202010707521.6有效
  • 彭刚;杨海东;陈宇翔;熊武;洪旭峰 - 邵东智能制造技术研究院有限公司
  • 2020-07-21 - 2022-03-22 - B67B1/00
  • 本发明提供了一种试管封盖装配设备,包括一输送台,其上设置有多个夹持试管的试管夹具,输送台将试管夹具依次输送至塞盖上料工位、试管上料工位、塞盖翻转工位和下料工位,塞盖上料工位设置有塞盖上料组件,将塞盖上料至试管夹具,试管上料工位设置有试管上料组件,将试管上料至试管夹具,并插入套环,塞盖翻转工位设置有塞盖翻转组件,将塞头翻转后插入试管口,下料工位设置有下料组件,夹取试管并从试管夹具下料。本发明的各组件设计合理,衔接配合紧凑,整个过程采用全自动化的方式控制,流水线式地完成试管的封盖装配,提升了装配效率及质量,降低了人工劳动强度和生产成本。
  • 试管装配设备方法
  • [发明专利]采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件-CN202111225386.2在审
  • 关世瑛;洪旭峰;严利人;刘志弘;宋凯霖;王锰 - 上海芯石半导体股份有限公司
  • 2021-10-21 - 2022-02-18 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种采用外延层阱工艺方案的SiC MOSFET器件,与传统的离子注入形成阱区的工艺相比,掺杂杂质分布的均匀性大大提升,因而进一步带来器件特性上的提高,突出表现在更好的开启电压均匀性,更好的导电通道电阻值的稳定性、可重复性,更低的沟道区噪声,等等,故此本发明方案的采用,就成为了SiC MOS器件生产制造中产品良率,片内片间的均匀性、可重复性等,本发明的有益效果为,采用外延的方式得到器件的基本结构,即阱区,因为阱区掺杂杂质的分布的均匀性得到了提升和保证,对于器件的正向和反向特性就都带来了益处;突出表现为SiC MOS器件具备更好的开启电压均匀性,更好的导电沟道的稳定性、可重复性,更低的噪声,更好的漏电和击穿特性。
  • 采用外延工艺方案sicmosfet器件
  • [发明专利]削皮刀自动加工设备-CN202010615424.4有效
  • 彭刚;杨海东;洪旭峰;单常清;邓余民 - 邵东智能制造技术研究院有限公司
  • 2020-06-30 - 2021-12-31 - B23K31/02
  • 本发明涉及自动化生产加工领域,特别涉及一种削皮刀自动加工设备,包括一送料平台,送料平台上设置有刀体上料工位、刀片上料工位、焊接工位和下料工位,刀片上料工位设置有一刀片上料机构,焊接工位设置有一焊接机构,下料工位设置有一下料机构,削皮刀从刀体上料工位上料,刀片从刀片上料工位上料,通过刀片上料机构上料至刀头的前端面,再整体移动至焊接工位进行焊接加工,下料工位将完成加工的削皮刀下料。本发明采用全机械化的方式焊接加工、全自动化的方式控制,适用于削皮刀的流水线生产,改善了人工辅助操作带来的缺陷,提高了生产质量和效率,降低了生产成本。
  • 削皮自动加工设备
  • [实用新型]一种微型发光二极管器件-CN202021347350.2有效
  • 关世瑛;洪旭峰 - 上海芯石微电子有限公司
  • 2020-07-10 - 2021-02-09 - H01L33/48
  • 本实用新型公开了一种微型发光二极管器件,包括容体,所述容体内设有安装腔,所述安装腔内设有聚酰亚胺胶,所述聚酰亚胺胶包裹有二极管芯片,所述聚酰亚胺胶与二极管芯片固定连接,所述二极管芯片左侧连接有正连接引脚,所述二极管芯片右侧连接有负连接引脚,所述正连接引脚与负连接引脚的一侧均贯穿容体并延伸至其外侧,所述正连接引脚与负连接引脚外侧均包裹有防水保护套,所述正连接引脚连接有公接头,所述负连接引脚连接有母接头,所述公接头与母接头可相互插接,所述公接头与外部电源正极端相连接,所述母接头与外部电源负极端相连接,所述容体两侧连接有若干散热鳍片,若干所述散热鳍片均匀的布置在容体的两侧。
  • 一种微型发光二极管器件
  • [实用新型]一种高耐压的晶体管器件-CN202021347357.4有效
  • 洪旭峰;宋凯霖 - 上海芯石微电子有限公司
  • 2020-07-10 - 2021-02-09 - H01L23/04
  • 本实用新型公开了一种高耐压的晶体管器件,包括晶体管本体,所述晶体管本体外侧匹配有散热绝缘硅胶外管,所述散热绝缘硅胶外管侧壁及顶部均均匀设有若干散热孔,所述散热绝缘硅胶外管内部均匀设有若干散热绝缘硅胶软柱,所述散热绝缘硅胶外管顶部设有一组散热绝缘硅胶直柱,所述散热绝缘硅胶直柱连接也有弧形软胶,所述散热绝缘硅胶外管一体连接有锥形筒,所述锥形筒内壁设有螺纹槽,所述锥形筒匹配有锥形胶塞,所述锥形胶塞设有与螺纹槽匹配的锥螺纹,所述锥形胶塞开设有让孔,所述让孔直径尺寸小于晶体管本体直径尺寸,所述锥形胶塞一体连接有固定盘。
  • 一种耐压晶体管器件
  • [发明专利]Co3-CN201910212697.1有效
  • 何亮;张妍嘉;洪旭峰 - 武汉理工大学
  • 2019-03-20 - 2020-12-22 - H01G11/24
  • 本发明涉及一种Co3O4/Co2P同轴异质结构材料及其制备方法,包括有以下步骤:1)将氢氧化钴纳米线采用磷化氢气氛烧结得到磷化钴纳米线;2)将磷化钴纳米线经过快速退火处理,使表面层氧化,得到Co3O4/Co2P同轴异质结构微型超级电容器电极材料。本发明的有益效果是:对于Co3O4/Co2P同轴异质结构,外层的Co3O4将提供赝电容容量,而内层的Co2P具有高导电性;同时,因电化学反应仅发生在材料表面或近表面,在较高的反应电势下由于内层Co2P无法直接接触吸附溶液离子,并不会催化水分解。因此,该同轴异质结构保持了较高的容量和循环稳定性,也具有较好的电子传导能力,倍率性能得到提高。
  • cobasesub
  • [发明专利]装饰板表皮模切设备-CN202010543323.0在审
  • 邓余民;杨海东;洪旭峰;单常清;彭刚 - 邵东智能制造技术研究院有限公司
  • 2020-06-15 - 2020-09-18 - B26F1/38
  • 本发明涉及装饰板加工设备领域,特别涉及一种装饰板表皮模切设备,包括对装饰板夹持定位的上模具和下模具,所述下模具设置在一送料机构上,所述装饰板铺设在所述下模具的上表面,所述上模具设置在一垂直升降机构上,所述垂直升降机构上还设置有多个模切刀具,所述送料机构将所述下模具移动至所述上模具的正下方,所述上模具随所述垂直升降机构下降,与所述下模具的上表面贴合对所述装饰板压紧定位,所述模切刀具对所述装饰板模切加工。本发明整体结构设计合理,衔接配合紧凑,能全自动化地完成装饰板注塑件的切边、钻孔等模切工艺。
  • 装饰表皮设备
  • [发明专利]一种用于微纳器件微组装中对准操作的样品夹具及应用-CN201611066888.4有效
  • 何亮;潘唐钰;洪旭峰 - 武汉理工大学
  • 2016-11-25 - 2018-12-11 - G03F7/20
  • 本发明涉及微加工工艺中的微对准操作技术领域,特指一种用于微纳器件微组装中对准操作的样品夹具及应用,包括样品夹具,样品夹具采用合金或铁氟龙作为主体材料,样品夹具表面的中央位置设有与待对准样品尺寸相匹配的样品夹具凹槽,样品夹具凹槽上下位置分别设有固定作用的螺纹通孔。将样品嵌入到样品夹具凹槽中,利用光刻机的左右显微镜对上下两个样品进行对准,然后采用螺钉将上样品和下样品的相对位置固定,以用于后续工艺。本发明对于微加工工艺中的样品精确微对准操作和三维结构的制作具有极强的适用性,在对准夹具材料选择、不同尺寸和不同形状样品的对准操作上具有极高的灵活性,可以方便实现三维微结构的高精度对准及集成。
  • 一种用于器件组装对准操作样品夹具应用
  • [实用新型]带缓冲的肖特基二极管-CN201521044276.6有效
  • 洪旭峰;王锰 - 上海芯石微电子有限公司
  • 2015-12-15 - 2016-05-11 - H01L29/872
  • 本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。目前规肖特基二极管中,欧姆接触电极位于衬底底部,电流沿垂直方向输运,耗尽层也在垂直方向承受反向电压,同条件下与横向导电结构相比,纵向导电结构可以实现更高的击穿电压。本实用新型组成包括:衬底(1),所述的衬底上方设置有过度外延层(2),所述的过度外延层上方设置有外延层(3),所述的外延层的上方设置有缓冲层(4),所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层(5),所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极(6)以及B金属阳极(7),所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层(8),所述的衬底下方设置有阴极(9)。本实用新型应用于。
  • 缓冲肖特基二极管

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