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[发明专利]一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法-CN201911052075.3有效
发明人：吴向龙;闫宝华;汤福国;王成新;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可变图形的发光二极管及其制备方法，所述二极管包括外延片，所述外延片上表面蒸镀有ITO膜，所述ITO膜上设置有若干个发光区和刻蚀区，每个所述发光区上对应设置有P面电极，相邻P面电极之间绝缘隔开；所述刻蚀区表面沉积有绝缘层，所述外延片远离ITO膜的一侧端面上蒸镀有N面电极。本发明结构简单，步骤设计合理，制备得到的发光二极管能够单独使用，不需要与分划板配合工作，其自身就能够作为发出所需要的图形，在提高光源利用率的同时保证了结构简单、功耗低的优点；同时通过本技术方案制备得到二极管的发光图形具有可变性，能够根据反射瞄准镜与目标之间的距离进行发光图形的变换，具有较高的实用性。
一种具有可变图形发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种LED芯片电极的制备方法-CN201811266029.9有效
发明人：李晓明;汤福国;王建华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种LED芯片电极的制备方法，在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
一种 led 芯片电极制备方法

[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法-CN201711081003.2有效
发明人：李晓明;闫宝华;刘琦;汤福国;陈康;郑兆河;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法，包括如下步骤：a)腐蚀掉GaAs衬底，并腐蚀掉外延生长的阻挡层GaInP；b)蒸镀一层GeAu膜，光刻制得欧姆接触电极图形；c)去除正性光刻胶，制得N面欧姆接触图形；d)通过光刻制得粗化保护图形；e)形成N型粗化层；f)对N型AlGaInP层进行湿法粗化，去除正性光刻胶，制得N型AlGaInP粗化表面。通过先将键合完成的AlGaInP四元LED芯片的衬底、阻挡层全部腐蚀去除，再在表面蒸镀上一层GeAu膜作为N型欧姆接触电极，再在表面制备粗化保护图形，通过粗化保护图形的作用将无粗化保护的N型AlGaInP层通过ICP刻蚀、湿法粗化的方式进行表面粗化处理，避免了反极性AlGaInP四元LED芯片粗化效果不稳定的问题，增加了出光效率，提升了芯片的品质。
一种极性 algainp led 芯片方法

[发明专利]一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法-CN201710507203.3有效
发明人：胡夕伦;闫宝华;汤福国;刘琦;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED晶片电极蒸镀垫片的表面清理方法。该方法包括：将蒸镀垫片从蒸发台行星架上取下，在一定能量密度脉冲激光辐照下对垫片表面进行辐照处理，再经过去离子水超声清洗后进行热氮烘干，即可得到表面无划痕、颗粒物、氧化膜的垫片。本发明有效解决了蒸镀晶片上架时划伤、裂片、蒸镀掉片等异常问题，延长了垫片使用寿命，降低了产品成本。
一种 led 晶片电极垫片表面清理方法

[发明专利]一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法-CN201810994610.6有效
发明人：李晓明;汤福国 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs基发光二极管芯片的切割方法，包括步骤如下：(1)在所述GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋纯水，并在表面覆盖一张透明的白膜；(2)使用常规的芯片切割机进行切割；(3)将切割完成的芯片放入到盛满纯水的容器内，因开始表面已喷淋上纯水，利用纯水的张力，可简单地取下透明的白膜。本发明通过在GaAs基发光二极管芯片外延层表面喷淋上纯水，再在表面覆盖一张透明的白膜，再进行切割，这样既保证GaAs基发光二极管芯片发光区的完整性，且切割过程中与切割水隔离开避免切割水对芯片造成的影响，对切割水提纯的要求也较低大大降低了芯片的制造成本。
一种 gaas 发光二极管芯片切割方法

[发明专利]一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺-CN201710989564.6有效
发明人：徐晓强;刘琦;闫宝华;汤福国;彭璐;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，包括如下步骤：a)在LED芯片表面对ITO接触层的ITO膜层蒸镀；b)高温退火；c)在蒸镀后的ITO接触层上蒸镀ITO粗化层；d)对LED芯片的ITO粗化层进行粗化处理。通过进行两次蒸镀ITO，底层ITO膜层即ITO接触层在低速率、无氧环境下沉积的膜层表面较为光滑，整体颗粒较小，与外延层表面之间能够形成良好的接触，顶层ITO膜层即ITO粗化层在高速率、有氧环境下进行蒸镀，初步完成粗化过程，然后进行完全粗化形成ITO完全粗化层，实现了不同折射率ITO膜层的堆叠.这样，外延层、ITO接触层、ITO粗化层、空气之间折射率逐渐变化，能够更大幅度的增加整个LED管芯的出光效率，有益于整体亮度的提升。
一种 led 晶片表面 ito 膜层粗化制作工艺

[发明专利]一种带光电隔离粗化层的发光二极管的制备方法-CN201810665062.2有效
发明人： 汤福国;闫宝华;彭璐;李晓明;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种带光电隔离粗化层的发光二极管及其制备方法,在衬底上自下而上依次设置缓冲层、第一型半导体层、有源区、第二型半导体层、窗口层、欧姆接触层、晶格匹配层以及粗化层，所述晶格匹配层与粗化层内设置有凹槽，欧姆接触金属层设置于凹槽内且与欧姆接触层相连通，欧姆接触金属层上端设置有第二电极，所述衬底上设置有与第二电极导通的第一电极。通过设置晶格匹配层后生长粗化层，无需考虑采用何种掺杂，因此外延生长实现较为容易。在粗化层下方的欧姆接触层制备欧姆接触。电流可以通过欧姆接触层的金属进入有源区，光从粗化层出射。粗化层兼职为作为光电隔离层，可以有效的提高光提取效率。
一种光电隔离粗化层发光二极管制备方法

[发明专利]一种LED芯片的电极制备方法-CN201711010437.3在审
发明人：李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国;肖成峰;郑兆河 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种LED芯片的电极制备方法，包括如下步骤：（1）在外延层表面依次镀上粘结层、缓冲层和焊接层；（2）在焊接层表面涂正性光刻胶，通过光刻得到正性光刻胶的电极图形；（3）对焊接层上对应的电极图形以外的部分腐蚀，然后烘烤LED芯片；（4）对缓冲层腐蚀，然后烘烤LED芯片；（5）对粘结层腐蚀；（6）去除正性光刻胶，得到LED芯片的电极。该方法通过腐蚀一层金属后再对正性光刻胶图形进行烘烤的方式，使下一层金属层图形大于上一层金属层，这样既保证电极结构的完整也确保粘结层大于焊接层，避免了焊线是压力过大导致掉电极的问题，提升了芯片的品质。
焊接层正性光刻胶烘烤腐蚀电极图形电极制备缓冲层粘结层电极光刻胶图形金属层图形外延层表面电极结构上粘结层金属层对正光刻焊线去除芯片金属保证

[发明专利]一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法-CN201710398203.4有效
发明人：郑军;邢建国;闫宝华;汤福国;刘琦;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，包括如下步骤：a)利用锯片在LED芯片表面进行半切；b)对半切后的LED芯片进行烘烤；c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切；f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤，有效释放芯片自身应力，降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤，提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，作业简单且实效性高，有效解决掉管芯的问题，提高产品产出率。
一种改善 gaas led 芯片切割过程管芯方法

[发明专利]一种发光二极管制备方法-CN201810665065.6在审
发明人： 汤福国;闫宝华;彭璐;李晓明;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管制备方法，包括如下步骤：a)采用MOCVD法生长发光二极管外延片；b)将窗口层与透明衬底键合处理；c)移除衬底，去除腐蚀阻挡层；d)在欧姆接触金属层上制备电极图形；e)对欧姆接触金属层进行合金处理；f)制成金属反射镜；g)刻蚀负电极区域；h)涂覆绝缘保护层；i)光刻出正电极通道和负电极通道；j)剥离制备出正电极和负电极；k)将透明衬底进行减薄处理，并将透明衬底的边缘进行倒斜角处理；l)将通过步骤a)‑步骤k)制得的发光二极管外延片进行切割、测试。在更换透明衬底的同时，制备内置金属反射镜，稳定性极大提升，提高了光提取效率，不会出现后期封装材料老化导致的吸光。绝缘保护层的利用可以做到正负电极同高，有效提升封装良率。
制备衬底透明发光二极管外延欧姆接触金属层发光二极管金属反射镜绝缘保护层负电极正电极腐蚀阻挡层负电极区域光提取效率衬底键合电极图形封装材料合金处理减薄处理正负电极窗口层倒斜角光刻刻蚀良率内置去除同高涂覆吸光移除封装切割剥离老化测试生长

[发明专利]一种用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法-CN201610863574.0有效
发明人：郑军;齐国健;汤福国;闫宝华;刘琦 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B24B3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法。该磨刀方法选取的硅片的生产晶向与待切割的LED芯片的生长晶向一致，利用金属的记忆性及延展性，增强刀刃磨削时与切割物的匹配度，提高磨削质量；另外，本发明所述用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法，选取的硅片在磨刀作业前进行烘烤操作，释放了硅片自身的应力，避免磨刀过程中的崩裂，提高对刀刃的磨削效果；另一方面提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，减小蓝膜带来的形变应力影响。
磨刀切割刀片硅片磨削延展性晶向蓝膜刀刃形变应力崩裂记忆性匹配度切割物烘烤减小张开金属生长释放生产

[发明专利]一种背面电流阻挡层的LED芯片及制备方法-CN201810666687.0在审
发明人：陈康;刘琦;闫宝华;汤福国;李晓明 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种背面电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括外延层，外延层的正面设置有电极，外延层的背面设置有背金，外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层，形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构；其制备方法包括以下步骤：（1）对外延层的背面减薄；（2）在外延层的背面光刻出背面挖洞图形；（3）制备出背面空洞；（4）在整个外延层背面制备绝缘层；（5）对外延层的背面进行二次微减薄，背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层；（6）在外延层的正面蒸镀金属；（7）制备出正面电极；（8）在外延层的背面蒸镀一层ITO；（9）蒸镀背金；（10）合金。本发明能够有效提高电流扩展，提高LED芯片光电转换效率。
背面外延层制备电流阻挡层背金蒸镀绝缘层正面电极光电转换效率背面减薄背面设置电流扩展空洞区域正面设置阻挡层电极光刻减薄挖洞合金空洞金属

[发明专利]一种正性光刻胶的去除方法-CN201710113991.8在审
发明人：王建华;王晓萌;李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种正性光刻胶的去除方法。该方法包括，将形成光刻有效电极图形后的LED晶片在无掩膜遮挡的情况下用紫外光曝光，将曝光完全的LED晶片置于显影液中，在超声条件下进行显影，通过超声震荡与曝光显影结合去除晶片表面残留的正性光刻胶。本发明能容易地彻底去除LED晶片上的正性光刻胶，同时LED基板材料损伤小，弱碱性显影液可以重复利用多次，保护环境同时降低了材料的消耗。
正性光刻胶去除显影液紫外光曝光超声条件超声震荡晶片表面曝光显影有效电极重复利用弱碱性光刻显影掩膜遮挡损伤残留消耗曝光

[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法-CN201710115655.7在审
发明人：王建华;王晓萌;李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）在p型GaN层的表面生长透明导电膜；（2）腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形；通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，腐蚀后不去胶；（4）根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；（5）分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；（6）制作钝化层。本发明中省去常规的工艺中腐蚀后去胶、再甩胶、曝光、显影等步骤，简化了光刻工艺的一次流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了原材料的消耗。
制备透明导电膜腐蚀芯片去胶生产周期电流扩展层表面生长干法刻蚀工作效率光刻工艺台面结构常规的钝化层光刻胶面结构台面刻蚀甩胶显影去除消耗曝光制作

[发明专利]一种背面电流阻挡层的LED芯片及制备方法-CN201611181453.4无效
发明人：陈康;刘琦;闫宝华;汤福国;李晓明 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种背面电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括外延层，外延层的正面设置有电极，外延层的背面设置有背金，外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层，形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构；其制备方法包括以下步骤：（1）对外延层的背面减薄；（2）在外延层的背面光刻出背面挖洞图形；（3）制备出背面空洞；（4）在整个外延层背面制备绝缘层；（5）对外延层的背面进行二次微减薄，背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层；（6）在外延层的正面蒸镀金属；（7）制备出正面电极；（8）在外延层的背面蒸镀一层ITO；（9）蒸镀背金；（10）合金。本发明能够有效提高电流扩展，提高LED芯片光电转换效率。
背面外延层制备电流阻挡层背金蒸镀绝缘层正面电极光电转换效率背面减薄背面设置电流扩展空洞区域正面设置阻挡层电极光刻减薄挖洞合金空洞金属

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