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[发明专利]由密封腔体底切的光学组件-CN202211175587.0在审
发明人： R·施波雷尔;卞宇生;广川孝子 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及由密封腔体底切的光学组件，提供包括例如边缘耦合器的光学组件的结构，以及制造包括例如边缘耦合器的光学组件的结构的方法。该结构包括具有密封腔体的衬底、光学组件、以及位于该光学组件与该密封腔体间的介电层。该光学组件垂直位于该衬底及该介电层上方，且该光学组件与位于该衬底中的该密封腔体重叠。
密封腔体底切光学组件

[发明专利]具有基于自调节电容耦合的读写辅助的存储器结构-CN202211137256.8在审
发明人：维韦克·拉吉;布万·R·奈达戈帕;希夫拉吉·G·达内 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G11C11/416 文献下载
摘要：本发明涉及具有基于自调节电容耦合的读写辅助的存储器结构，揭示一存储器结构，该存储器结构包括位于升压线(VBL)间并与其平行的字线(WL)及单元供电线(CSL)。依据需要读辅助或写辅助，VBL启动对相邻的WL及/或CSL的基于电容耦合的升压。在读操作期间，可对选定行的所有VBL充电，以与WL及CSL形成耦合电容，从而对字线电压(Vwl)及单元供应电压(Vcs)升压，以供读辅助。在写操作期间，可对与选定行的WL相邻的一VBL充电，以仅与WL形成耦合电容，从而对Vwl升压，以供写辅助。通过对结构中的VBL充电而形成的耦合电容是自调节，因为随着行的长度增加，潜在耦合电容也增加。
具有基于调节电容耦合读写辅助存储器结构

[发明专利]用于光纤槽的拐角结构-CN202110220377.8有效
发明人：尼古拉斯·A·波洛莫夫;J·K·丘;M·A·拉比;A·D·斯特里克 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光纤槽的拐角结构，揭示一种用于光纤槽的结构以及形成用于光纤槽的结构的方法。光子芯片包括基板和位于基板上方的互连结构。光子芯片具有第一外角、第二外角和从该第一外角延伸至该第二外角的侧边。基板包括沿着该第一外角和该第二外角之间的该侧边定位的凹槽。该凹槽设置成在凹槽拐角处与该侧边相交，该互连结构包括相邻于该第一凹槽拐角的金属结构。该金属结构相对于该光子芯片的该侧边在该互连结构中以对角方式延伸。
用于光纤拐角结构

[发明专利]低泄漏行解码器以及包含该低泄漏行解码器的存储器结构-CN202211103456.1在审
发明人：维韦克·拉吉;维纳亚克·R·甘吉;希夫拉吉·G·达内 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明涉及低泄漏行解码器以及包含该低泄漏行解码器的存储器结构，揭示低泄漏行解码器以及包含该行解码器的存储器电路的实施例。该行解码器包括字线驱动器电路，包括第一装置(预驱动器)以及第二装置(字线驱动器)。各第二装置串联连接于第一装置与存储器阵列中的一行的字线间。该第一装置可与正供应电压轨直接连接，并通过页脚与接地轨连接。该第二装置可通过页眉与该正供应电压轨连接，并与该接地轨直接连接。该页眉及页脚的开/关状态由时钟信号依赖型控制信号控制，以使它们同时开启或关闭。通过此配置，当该存储器结构空闲时以及当它操作于正常活跃模式时，最大限度地降低该字线驱动器电路的泄漏功耗。
泄漏解码器以及包含存储器结构

[发明专利]具有背栅极的横向双极结型晶体管-CN202211104007.9在审
发明人：宇宏;S·M·潘迪 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及具有背栅极的横向双极结型晶体管，揭示双极结型晶体管的结构以及形成双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括：具有阱的衬底，包括第一凸起半导体层的第一端子，包括第二凸起半导体层的第二端子，以及在该第一端子的该第一凸起半导体层与该第二端子的该第二凸起半导体层间沿横向方向设置的基极层。该基极层与该阱具有重叠布置。该结构还包括在该第一端子与该衬底、该第二端子与该衬底、以及该基极层与该衬底间沿垂直方向设置的介电层。
具有栅极横向双极结型晶体管

[发明专利]具有堆叠层的边缘耦合器-CN202110327052.X有效
发明人：卞宇生;R·A·安葛尔;米歇尔·拉科斯基;K·J·吉旺特;K·努米;K·K·德兹富良;彭博 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠层的边缘耦合器，揭示包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，以及位于该波导芯的部分上方的成形层。该波导芯由第一材料组成，且该成形层由组分与该第一材料不同的第二材料组成。该第一材料可为例如单晶硅，且该第二材料可为例如氮化硅。
具有堆叠边缘耦合器

[发明专利]包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构-CN202211164602.1在审
发明人：乌兹玛拉娜;S·M·尚克;安东尼·肯德尔·斯坦普 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构。一种集成电路(IC)结构包括位于体半导体衬底上方的有源器件，以及体半导体衬底中的围绕有源器件的隔离结构。有源器件包括具有中心区、通过第一沟槽隔离与中心区横向间隔开的第一端区、通过第二沟槽与中心区横向间隔开的第二端区的半导体层、位于中心区上方的栅极，以及位于第一和第二端区中的每一者中的源极/漏极区。隔离结构包括：位于有源器件下方的多晶隔离层，围绕有源器件的第三沟槽隔离，以及位于第一沟槽隔离与多晶隔离层之间以及位于第二沟槽隔离与多晶隔离层之间的多孔半导体层。
包括位于邻近漏极区沟道隔离下方多孔半导体 ic 结构

[发明专利]在部分栅极下有硅锗层的延伸漏极金属氧化物半导体装置-CN202211066095.8在审
发明人： F·霍尔兹穆勒;R·杰恩;P·巴尔斯 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及在部分栅极下有硅锗层的延伸漏极金属氧化物半导体装置，揭示用于延伸漏极金属氧化物半导体装置的结构以及形成用于延伸漏极金属氧化物半导体装置的结构的方法。该结构包括包含第一半导体材料的半导体衬底、位于该半导体衬底中的源极区及漏极区、在该源极区与该漏极区间沿横向方向设置的栅极电极、以及设置于该半导体衬底上的半导体层。该半导体层包含成分不同于该第一半导体材料的第二半导体材料。该栅极电极包括在该半导体层上方沿垂直方向设置的第一段以及在该半导体衬底上方沿该垂直方向设置的第二段。
部分栅极下有硅锗层延伸金属氧化物半导体装置

[发明专利]具有限制特征的边缘耦合器-CN202211072701.7在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有限制特征的边缘耦合器，提供包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该结构包括具有第一倒锥的第一波导芯、具有第二倒锥的第二波导芯，以及具有横向设置于该第一倒锥与该第二倒锥间的第三倒锥的第三波导芯。该结构还包括具有经设置以与该第一倒锥重叠的第四倒锥的第四波导芯，以及具有经设置以与该第二倒锥重叠的第五倒锥的第五波导芯。
具有限制特征边缘耦合器

[发明专利]无接触式生物传感器-CN202211078308.9在审
发明人：巴特罗梅·J·帕拉克;A·L·瓦莱特;西瓦·P·阿度苏米利;M·D·拉格奎斯特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明涉及无接触式生物传感器，揭示一种结构，包括具有凹槽的第一层。所述结构还包括与第一层接触的中间层和在凹槽上方对齐的无接触式生物传感器。沿凹槽定位的中间层的部分将无接触式生物传感器与凹槽分离。
接触生物传感器

[发明专利]具有共享的电隔离的多种器件类型的单片集成-CN202210979521.0在审
发明人： F·赫伯特;H·莱恩维希 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有共享的电隔离的多种器件类型的单片集成。包括集成在半导体衬底上的基于硅的器件和基于III‑V族化合物半导体的器件的结构以及形成这样的结构的方法。该结构包括衬底，该衬底具有器件层、处理衬底以及位于处理衬底和器件层之间的掩埋绝缘体层。该结构包括：第一半导体层，其位于在第一器件区中的器件层上；第二半导体层，其位于在第二器件区中的器件层上。第一半导体层包含III‑V族化合物半导体材料，并且第二半导体层包含硅。第一器件结构包括位于第一半导体层上的栅极结构；以及第二器件结构包括位于第二半导体层中的掺杂区。掺杂区和第二半导体层限定p‑n结。
具有共享隔离多种器件类型单片集成

[发明专利]具有时钟控制初始级和移位时钟控制附加级的多级电荷泵-CN202211040178.X在审
发明人： S·K·钦图 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明涉及具有时钟控制初始级和移位时钟控制附加级的多级电荷泵，公开了一种多级电荷泵。第一级由第一时钟信号控制。第二级由第二时钟信号控制，第二时钟信号具有相对于第一时钟信号的高和低状态移位的高和低状态。对于正电荷泵，第二时钟信号的高和低状态可以分别高于第一时钟信号的高和低状态，并且对于负电荷泵反之亦然。任何附加级类似地由附加时钟信号控制，该附加时钟信号相对于控制前一级的时钟信号移位。通过使控制下游级的时钟信号的高和低状态移位，消除了下游级中对于串联或高压电容器的需要，降低了电路复杂性和面积消耗。
具有时钟控制初始移位附加多级电荷

[发明专利]具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极接触的双极型晶体管结构和相关方法-CN202211159566.X在审
发明人：余鸿;V·杰恩 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种具有到掺杂半导体阱的发射极/集电极(E/C)接触的横向双极型晶体管结构和相关方法。根据本公开的双极型晶体管结构可以包括位于半导体衬底上方的掺杂半导体阱。绝缘区位于掺杂半导体阱上。基极层位于绝缘区上，以及发射极/集电极(E/C)层位于绝缘区上并且与基极层的第一侧壁相邻。到掺杂半导体阱的E/C接触包括与绝缘区相邻的下部和与E/C层相邻并电耦合的上部。
具有掺杂半导体发射极集电极接触双极型晶体管结构相关方法

[发明专利]包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管-CN202210954871.1在审
发明人： S·M·潘迪;J·辛格;J·霍尔特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管，揭示用于双极结型晶体管的结构以及形成用于双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括具有腔体的介电层、位于该介电层上的第一半导体层、包括位于该第一半导体层上的部分的集电极、包括位于该第一半导体层上的部分的发射极、以及包括位于该腔体中的第一段以及第二段的第二半导体层。该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该部分与该发射极的该部分间。
包括介电层体内基极部分双极结型晶体管

[发明专利]单端转差分转换器-CN202210921842.5在审
发明人：张旭;张明明;赵汗青;翟鲁坤;刘丹;李璇 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H11/32 文献下载
摘要：本发明涉及单端转差分转换器，提供一种设备包括(除其他组件外)连接以接收初始电压的第一增益装置、与该第一增益装置串联并连接以接收该第一增益装置的输出的第二增益装置、连接以接收来自该第一增益装置和该第二增益装置的输出的差分增益装置(该差分增益装置提供来自该设备的相反电压输出)以及连接到该第一增益装置和该第二增益装置的高频补偿前馈路径。
单端转差分转换器