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[发明专利]具有三个不同材料部的沟槽隔离和包括此沟槽隔离的LDMOS FET-CN202310059118.0在审
发明人：刘荣庭;谷曼;J·B·约翰逊;郑望;贾加尔·辛格;王海艇 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及具有三个不同材料部的沟槽隔离和包括此沟槽隔离的LDMOS FET。一种IC结构，其包括位于衬底中并具有三个不同电介质材料部的沟槽隔离(TI)。这些材料部也可以具有不同的宽度。TI可以包括：下部，其包括第一电介质材料并具有第一宽度；中部，其包括第一电介质材料和外部第二电介质材料；以及上部，其包括第三电介质材料并具有大于第一宽度的第二宽度。第一、第二和第三电介质材料是不同的。
具有三个不同材料沟槽隔离包括 ldmos fet

[发明专利]包括应力层的横向双极结型晶体管以及方法-CN202211447416.9在审
发明人： J·辛格;A·M·德里克森;A·J·乔瑟夫;A·克诺尔;J·R·霍尔特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及包括应力层的横向双极结型晶体管以及方法，揭示具有横向双极结型晶体管(BJT)的半导体结构。此半导体结构可很容易地集成于先进绝缘体上硅(SOI)技术平台中。而且，为保持或提升性能特性(例如，截止频率(fT)/最大振荡频率(fmax)以及贝塔截止频率)(否则这些特性将因该BJT的取向从垂直变为横向而受到负面影响)，该半导体结构还可包括部分覆盖该横向BJT以增强电荷载流子迁移率的介电应力层(例如，在NPN型晶体管的情况的拉伸应变层，或者在PNP型晶体管的情况的压缩应变层)，且该横向BJT可被配置为横向异质结双极型晶体管(HBT)。本发明还揭示形成该半导体结构的方法。
包括应力横向双极结型晶体管以及方法

[发明专利]背栅控制的功率放大器-CN202211632793.X在审
发明人：陈育清;赵智兴 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F1/00 文献下载
摘要：本公开涉及背栅控制的功率放大器。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有自动寄生中和与增益提升的差分电路以及制造方法。该结构包括：多个辅助电路器件，其具有用于执行提升增益的背栅控制；以及电路器件的差分对，其连接到辅助电路器件。
控制功率放大器

[发明专利]包括使用掩埋绝缘体层作为栅极电介质的晶体管以及位于源极和漏极中的沟槽隔离的结构-CN202211627268.9在审
发明人： T·赫尔曼;赵智兴;A·扎卡;陈育清 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及包括使用掩埋绝缘体层作为栅极电介质的晶体管以及位于源极和漏极中的沟槽隔离的结构。一种包括绝缘体上半导体(SOI)衬底的结构。该SOI衬底包括位于基底半导体层上方的掩埋绝缘体层上方的SOI层。该结构包括高电压第一场效应晶体管(FET)，其与高性能低电压第二FET相邻。高电压FET具有位于掩埋绝缘体层上的栅电极，以及位于掩埋绝缘体层下方的基底半导体层中的源极和漏极。因此，掩埋绝缘体层作为用于高电压FET的栅极电介质工作。低电压FET具有位于掩埋绝缘体层上方(即，位于SOI层中)的源极和漏极。沟槽隔离位于第一高电压FET的源极和漏极中的每一者中。高电压FET的源极围绕其中的沟槽隔离。
包括使用掩埋绝缘体作为栅极电介质晶体管以及位于中的沟槽隔离结构

[发明专利]基于环形波导交叉的偏振器-CN202110221065.9有效
发明人：卞宇生;苏吉斯·尚德兰;杰米·夫卡司;胡马里雷·扎费尔;A·P·雅各布 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于环形波导交叉的偏振器，揭示偏振器的结构以及制造偏振器的结构的方法。波导交叉包括第一臂及第二臂。波导环将5该波导交叉的该第一臂与该波导交叉的该第二臂耦接。该波导交叉及该波导环提供偏振器的结构。
基于环形波导交叉偏振

[发明专利]具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器-CN202211602592.5在审
发明人： J·霍尔特;卞宇生;刘奇志;E·斯特洛 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器。用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。该结构包括具有中心部和边缘部的光栅耦合器。中心部和边缘部限定侧壁，并且中心部和边缘部具有第一纵轴，边缘部沿第一纵轴以间隔关系排列。每个边缘部相对于第一纵轴以一角度从侧壁突出。波导芯光学耦合到光栅耦合器。第一纵轴在第一方向上对齐，并且波导芯具有第二纵轴，第二纵轴在不同于第一方向的第二方向上对齐。
具有倾斜侧边角度光栅耦合器

[发明专利]与包括弯曲末端的反锥体集成的光电探测器-CN202211607702.7在审
发明人：卞宇生;A·乔杜里 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及与包括弯曲末端的反锥体集成的光电探测器。用于光电探测器的结构和制造用于光电探测器的结构的方法。该结构包括：第一波导芯，其具有第一锥体；半导体层，其具有与第一锥体相邻的侧壁；以及第二波导芯，其具有被定位成与第一锥体重叠的第二锥体和弯曲部。第二锥体被纵向定位在半导体层的侧壁和弯曲部之间。弯曲部终止第二波导芯。
包括弯曲末端锥体集成光电探测器

[发明专利]电感增益提升的差分堆叠式功率放大器-CN202211391748.X在审
发明人： P·梅尔;N·罗哈尼 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本申请涉及电感增益提升的差分堆叠式功率放大器，提供一种示例结构，具有输出级；驱动级；以及连接于该驱动级与该输出级间的功率级。该功率级包括串联连接于该驱动级与该输出级间的第一晶体管及第二晶体管。该功率级还包括串联连接于该驱动级与该输出级间的第三晶体管及第四晶体管。电感器具有与位于该第一晶体管与该第二晶体管间的第一节点电性连接的第一端子以及与位于该第三晶体管与该第四晶体管间的第二节点电性连接的第二端子。该电感器经配置以在该功率级的共栅级间提供阻抗匹配。
电感增益提升堆叠功率放大器

[发明专利]具有屏蔽输出的堆叠式场效应晶体管-CN202211261939.4在审
发明人： S·V·霍卡莱;K·尚巴格;T·伊西拉詹 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及具有屏蔽输出的堆叠式场效应晶体管，提供包括堆叠式场效应晶体管的结构以及形成包括堆叠式场效应晶体管的结构的方法。该结构包括场效应晶体管，该场效应晶体管具有第一主动栅极、第二主动栅极、以及在该第一与第二主动栅极间沿水平方向设置的漏极区。该结构还包括后端工艺堆叠，该后端工艺堆叠具有位于该场效应晶体管上方的第一金属层级及第二金属层级。该第一金属层级包括第一互连件、第二互连件、以及第三互连件，且该第二金属层级包括第四互连件。该第三互连件与该漏极区连接。该第三互连件在该第四互连件与该漏极区间沿垂直方向设置，且该第三互连件在该第一与第二互连件间沿该水平方向设置。
具有屏蔽输出堆叠场效应晶体管

[发明专利]具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器-CN202211265749.X在审
发明人：阿西夫·乔杜里;卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及具有多厚度电荷薄层的雪崩光检测器，提供用于雪崩光检测器的结构以及形成用于雪崩光检测器的结构的方法。该结构包括具有第一部分及第二部分的第一半导体层，以及与该第一半导体层沿垂直方向堆叠的第二半导体层。该第一半导体层的该第一部分定义该雪崩光检测器的倍增区，且该第二半导体层定义该雪崩光检测器的吸收区。该结构还包括位于该第一半导体层的该第二部分中的电荷薄层。该电荷薄层具有随着在水平平面中的位置变化的厚度，且该电荷薄层在该第二半导体层与该第一半导体层的该第一部分间沿该垂直方向设置。
具有厚度电荷薄层雪崩检测器

[发明专利]三阱区内的电熔丝和三阱区上的栅极结构-CN202211144130.3在审
发明人： E·G·盖布里斯莱希;S·M·尚克;A·F·卢瓦索;R·J·小戈捷;M·J·阿布-卡利尔;A·Y·吉纳维 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及位于三阱上的电熔丝和栅极结构及制造方法。该结构包括：衬底，其包括有界区域；栅极结构，其形成在有界区域内；以及电熔丝，其形成在有界区域内并电连接到栅极结构。
区内电熔丝三阱区上栅极结构

[发明专利]用于静电放电保护的对称双向硅控整流器-CN202211239239.5在审
发明人： S·P·卡拉卡;P·马哈詹;曾杰;A·阿杰伊;M·保罗;S·米特拉 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于静电放电保护的对称双向硅控整流器，揭示包括半导体衬底(例如，P‑衬底)及对称BDSCR的半导体结构。该BDSCR包括位于该衬底内的第一阱(例如，低掺杂深Nwell)，以及位于该第一阱内的对称侧段以及中段，该中段横向位于该侧段间。各侧段包括：第二及第三阱(例如，Pwell)，其中，与该第二阱相比，该第三阱较浅并具有较高的导电水平。各中段包括多个浮置阱，该多个浮置阱包括：两个第四阱(例如，Nwell)，具有与该第一阱相比较高的导电水平；以及第五阱(例如，另一个Pwell)，横向位于该第四阱间并与该第四阱相比较浅。通过在该中段中纳入该浮置阱，改进高电流容限。
用于静电放电保护对称双向整流器

[发明专利]具有对角光传输的光耦合器-CN202211240423.1在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有对角光传输的光耦合器，提供用于光耦合器的结构以及制造用于光耦合器的结构的方法。该结构包括具有第一锥形段的第一波导芯，以及具有邻近该第一波导芯的该第一锥形段而设置的第二锥形段的第二波导芯。该第二锥形段相对于该第一锥形段沿横向方向以横向偏移设置。该第二锥形段相对于该第一锥形段沿垂直方向以垂直偏移设置。
具有对角传输耦合器

[发明专利]具有水平宽度变化的基极层的横向双极型晶体管结构及其形成方法-CN202211056908.5在审
发明人：余鸿;Z·胡;亚历克斯·德里克森;王海艇 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有水平宽度变化的基极层的横向双极型晶体管结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种具有水平厚度变化的基极层的横向双极型晶体管以及形成该晶体管的相关方法。横向双极型晶体管可以包括位于半导体层上的发射极/集电极(E/C)层。第一基极层位于半导体层上且与E/C层水平相邻。第一基极层具有下部，该下部具有距E/C层的第一水平宽度。第一基极层还具有位于下部上的上部，该上部具有距E/C层的大于第一水平宽度的第二水平宽度。第二基极层位于第一基极层上且与间隔物相邻。第一基极层的上部将第二基极层的下表面与E/C层分隔。
具有水平宽度变化基极横向双极型晶体管结构及其形成方法

[发明专利]具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装-CN202211294465.3在审
发明人：尼可拉斯·A·帕罗莫夫;T·霍顿;卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本公开涉及具有多层多深度光纤到片上光学部件连接的PIC管芯和封装。提供了一种光子集成电路PIC管芯。该PIC包括：一组光学连接槽，其包括将位于其中的第一光纤的纤芯与管芯主体的多个层中第一竖直深度处的第一层中的第一光学部件对准的第一槽；以及将位于其中的第二光纤的纤芯与多个层中不同的第二竖直深度处的不同的第二层中的第二光学部件对准。槽还可以具有位于相对于PIC管芯的主体的边缘的不同横向深度处的端面。可以使用任何数量的第一和第二槽将光信号传送到PIC管芯的主体内不同竖直和/或横向深度处的任何数量的层。
具有多层深度光纤到片上光学部件连接 pic 管芯封装