“格芯（美国）集成电路科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果233个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]环形双极型晶体管-CN202210955715.7在审
发明人： A·M·德里克森;马乐言;J·辛格;M·杨;J·R·霍尔特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及环形双极型晶体管和制造方法。该结构包括：衬底材料；集电极区，其平行于衬底材料并位于衬底材料上方；内基极区，其围绕集电极区；发射极区，其位于内基极区上方；以及外基极区，其接触内基极区。
环形双极型晶体管

[发明专利]具有一个或多个升高的端子的二极管结构-CN202210993014.2在审
发明人： V·杰恩;J·R·霍尔特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有一个或多个升高的端子的二极管结构。用于二极管的结构和制造用于二极管的结构的方法。该结构包括由半导体材料构成的层。该层包括第一分段、第二分段和横向定位在第一分段和第二分段之间的第三分段。该结构包括：第一端子，其具有位于该层的第一分段上的第一升高的半导体层；第二端子，其包括位于该层的第二分段上的一部分；以及栅极，其位于该层的第三分段上。
具有一个升高端子二极管结构

[发明专利]具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构及其形成方法-CN202211035142.2在审
发明人：亚历克斯·德里克森;J·L·莱蒙;王海艇;J·R·霍尔特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了具有内外间隔物的横向双极型晶体管结构和相关方法。横向双极型晶体管结构可以具有位于绝缘体上方的发射极/集电极E/C层。E/C层具有第一掺杂类型。第一基极层位于绝缘体上且邻近E/C层。第一基极层具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型。第二基极层位于第一基极层上且具有第二掺杂类型。第二基极层的掺杂浓度大于第一基极层的掺杂浓度。内间隔物位于E/C层上且邻近第二基极层。外间隔物位于E/C层上且邻近内间隔物。
具有内外间隔横向双极型晶体管结构及其形成方法

[发明专利]横向双极型晶体管-CN202210997998.1在审
发明人：王海艇;A·德里克森;J·辛格;V·杰恩;A·克诺尔;A·马丁;J·R·霍尔特;Z·胡 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及一种横向双极型晶体管和制造方法。一种结构包括：内基极，其包括位于半导体衬底的沟道区中的半导体材料；外基极，其竖直位于内基极上方；升高的集电极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极；以及升高的发射极区，其位于半导体衬底上并横向连接到内基极。
横向双极型晶体管

[发明专利]具有栅控集电极的横向双极型晶体管-CN202210915316.8在审
发明人： A·德里克森;V·杰恩;J·R·霍尔特;J·辛格;杨满圭 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与外基极区分隔开；以及发射极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。
具有集电极横向双极型晶体管

[发明专利]具有分布式差分正反馈的放大器-CN202210826785.2在审
发明人：张明明;张旭;赵汗青;翟鲁坤;刘丹;李璇 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及具有分布式差分正反馈的放大器，提供一种放大器设备，包括连接以接收输入电压的第一放大器。所述第一放大器输出内部电压。这些结构还包括第二放大器，所述第二放大器具有连接以接收内部电压的输入节点和输出输出电压的输出节点。电阻反馈回路连接到第二放大器的输入节点和输出节点。第一交叉耦合带宽提升级连接到第二放大器的输入节点，而第二交叉耦合带宽提升级连接到第二放大器的输出节点。交叉耦合的带宽提升级形成分布式差分正反馈结构。
具有分布式正反馈放大器

[发明专利]利用工艺窗口细化缺陷检测-CN202210712690.8在审
发明人：缪陈龙;尹海洲;M·J·沃伊托维茨 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请涉及利用工艺窗口细化缺陷检测，执行光学检查，以检测集成电路装置内的潜在缺陷，以及对部分该潜在缺陷执行第一次基于电子的检查，以识别主要实际缺陷。识别用以制造该集成电路装置的制造参数设置的工艺窗口，且通过使用在该工艺窗口内的该制造参数设置制造的该集成电路装置具有小于阈值数目的该主要实际缺陷。为识别额外实际缺陷，执行第二次基于电子的检查，该检查限于通过使用在该工艺窗口内的该制造参数设置制造且在该第一次基于电子的检查中未被检查的该集成电路装置中的该潜在缺陷中的选定潜在缺陷。
利用工艺窗口细化缺陷检测

[发明专利]具有围绕光学元件用开口以防止应力损伤的屏障的PIC结构-CN202210898549.1在审
发明人：尼可拉斯·A·帕罗莫夫;J·K·乔;M·拉比;蒋昀垚;K·拉马钱德兰;帕拉比·达斯 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及具有围绕光学元件用开口以防止应力损伤的屏障的PIC结构。一种光子集成电路(PIC)结构包括至少位于衬底上方的有源层中的有源区，有源区中包括多个晶体管。多个电介质互连层位于有源区上方；并且开口穿过多个电介质互连层限定。开口至少延伸到有源层。屏障位于多个电介质互连层内并围绕开口。光学元件位于开口中。屏障防止诸如裂缝和/或脱层的应力损伤从开口传播或传播到开口，并保持PIC结构的气密密封。
具有围绕光学元件开口防止应力损伤屏障 pic 结构

[发明专利]支持擦除操作和I-V表征的字线系统架构-CN202210713794.0在审
发明人： R·拉哈万;B·贾亚拉曼;殷明 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路，更具体地涉及支持擦除操作和电流‑电压(I‑V)表征的字线系统架构以及制造和操作方法。具体而言，本公开涉及一种结构，包括：双基元电路，其连接到存储器阵列的字线；源极线驱动器，其连接到存储器阵列的源极线，用于提供双基元电路的基元级电流‑电压(I‑V)存取；以及集成模拟多路复用器，其连接到双基元电路。
支持擦除操作表征系统架构

[发明专利]指示位基元中的稳定性和不稳定性的装置和相关方法-CN202210691384.0在审
发明人： R·拉哈万;B·贾亚拉曼;C·R·迪尼帕蒂 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明涉及指示位基元中的稳定性和不稳定性的装置和相关方法。本公开的实施例提供了一种装置，包括：感测放大器，其耦接到存储器阵列并具有一组输出端子；锁存器，其耦接到感测放大器的第一输出端子；以及比较器，其耦接到锁存器和感测放大器的第二输出端子。
指示位基元中的稳定性不稳定性装置相关方法

[发明专利]具有集成电压调节器和限流器的电源及方法-CN202210661621.9在审
发明人：沙塔布达·萨哈 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明涉及具有集成电压调节器和限流器的电源及方法，揭露一种视需要在电压调节模式与过电流保护模式间自动切换的电源。电源包含电压调节器，电压调节器在电压调节模式期间产生用于施加到通道晶体管的控制端的第一控制电压，以将输出电压保持在所需电压电平。电源包含限流器，限流器在过电流保护模式期间产生用于施加到通道晶体管的控制端的第二控制电压，以防止输出电流上升到超过最大输出电流限制。电源包含附加电路，用于检测何时需要过电流保护，且视需要将施加到控制端的控制电压从第一控制电压自动地切换到第二控制电压，反之亦然。本发明中也揭露一种相关的供电方法。
具有集成电压调节器限流电源方法

[发明专利]具有串联布置的MTJ元件的磁场传感器-CN202210819113.9在审
发明人： H·M·迪克西特;V·B·奈克;山根一阳;卓荣发 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有串联布置的MTJ元件的磁场传感器。该磁场传感器可以包括多个MTJ元件。在没有外部磁场的情况下，每个MTJ元件具有相对于钉扎参考层的由感测层的磁矩方向所指示的状态。多个MTJ元件被布置成两个相同的组，该组由至少两个MTJ元件构成，其中每个相应组中的每个MTJ元件具有不同的状态。MTJ元件的状态以测量外部磁场的方式来布置，不考虑外部磁场的方向。MTJ元件包括相同的层并且被串联地电连接。
具有串联布置 mtj 元件磁场传感器

[发明专利]具有超材料肋形特征的边缘耦合器-CN202210638736.6在审
发明人：卞宇生 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有超材料肋形特征的边缘耦合器，提供边缘耦合器的结构以及制造边缘耦合器的结构的方法。波导芯包括波导芯段，该波导芯段具有第一凹口侧壁、第二凹口侧壁，以及连接该第一凹口侧壁与该第二凹口侧壁的端部表面。邻近该波导芯段的该端部表面以间隔布置方式设置片段，且板层邻接该片段、该波导芯段的该第一凹口侧壁、该波导芯段的该第二凹口侧壁，以及该波导芯段的该端部表面。该片段及该波导芯段具有第一厚度，且该板层具有小于该第一厚度的第二厚度。
具有材料特征边缘耦合器

[发明专利]具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法-CN202210553541.1在审
发明人：尼古拉斯·A·波洛莫夫;S·B·哈勒姆;弗兰克·G·屈兴迈斯特;理查德·F·泰勒三世 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本申请涉及具有嵌入式无源射频噪声抑制器的防裂装置和方法，公开了一种射频集成电路(RFIC)芯片，该射频集成电路芯片包括集成电路(IC)区域和横向围绕IC区域的防裂装置。防裂装置包括与IC区域电性隔离的金属屏障(或者，同心金属屏障)。将一个或多个噪声抑制器，尤其是一个或多个无源滤波器(例如，低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和/或带阻滤波器)集成到金属屏障的结构中，以抑制特定RF范围内的噪声信号通过防裂装置传播。特定射频范围可以是客户指定的操作参数。通过将客制化的噪声抑制器嵌入到防裂装置中，客户指定的操作参数所特有的本地信号干扰可以被最小化，同时也避免或至少最小化湿气进入IC区域的风险。还公开了一种形成该芯片的方法。
具有嵌入式无源射频噪声抑制器装置方法

[发明专利]具有低损耗热可调闭合曲线光波导的光学装置-CN202210601783.3在审
发明人：米歇尔·拉科斯基;P·I·托多罗夫;卞宇生;李袁熙;阿西夫·J·乔杜里;K·J·吉旺特 -专利权人： 格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明涉及具有低损耗热可调闭合曲线光波导的光学装置，公开光子结构和相关方法。该结构包括具有从绝缘层的顶面测量的第一高度的闭合曲线波导，以及基本上垂直延伸整个第一高度的外弯曲侧壁(如最小化信号耗损)。该结构包括闭合曲线热耦合器和加热元件。闭合曲线热耦合器与闭合曲线波导热耦合并被其横向围绕且具有小于第一高度的第二高度。在一些实施例中，闭合曲线波导和闭合曲线热耦合器是具有不同厚度的相同半导体层的连续部分。加热元件热耦合到闭合曲线热耦合器并由此间接热耦合到闭合曲线波导。因此，加热元件可用于通过闭合曲线热耦合器对闭合曲线波导进行热调谐，以最大限度地减少任何与温度相关的共振位移(TDRS)。
具有损耗可调闭合曲线波导光学装置