专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种开关磁阻电机位置信号传感器的校准系统-CN201610097055.8有效
  • 钟锐;田洪益;郭小强;陈青;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2016-02-23 - 2018-03-20 - G01B21/00
  • 一种开关磁阻电机位置信号传感器的校准系统,包括CPU、功率变换器、开关电源及位置偏移判别电路,CPU中的脉宽调制模块输出三相PWM驱动信号给功率变换器中的三相上开关管的栅极,上开关管的漏极接开关电源,源极串联某相电机定子绕组后连接下开关管的漏极,下开关管的源极接地CPU中的输入输出模块IO输出三相下管控制信号给功率变换器中的三相下开关管的栅极,位置偏移判别电路设置于三相位置信号传感器中的其中任意一相位置信号传感器的输出端,包括电阻R1和发光二极管D1,电阻R1的一端连接位置信号传感器的输出,电阻R1的另一端连接发光二极管D1的正极,发光二极管D1的负极接地,根据发光二极管D1的明灭变化,判别位置信号传感器的位置是否精准以及向哪一侧偏移及偏移程度,根据偏移情况进行手动校准。
  • 一种开关磁阻电机位置信号传感器校准系统
  • [发明专利]一种开关磁阻电机的三相位置信号检测方法-CN201610095968.6有效
  • 钟锐;陈青;田洪益;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2016-02-23 - 2018-03-20 - H02P6/16
  • 一种开关磁阻电机的三相位置信号检测方法,在高速APC模式下,利用通用定时器TIM1输入捕获通道去检测A相霍尔位置信号HA,来捕获位置信号一个周期的时间间隔,将捕获值作为基准时间,根据APC模式下设定的三相开关角度值计算获得三相开关管的开关时间,定时器TIM2根据各相的开关时间开启计时进入中断,同时结合定时器TIM3来捕获A相的下降沿校准的方式,以此来控制并驱动功率变换器各相开关管的开通与关断,实现开关磁阻电机的运行。该方法可以避免其他磁环N、S极加工误差、电磁干扰等引起的霍尔位置信号偏差,达到磁阻电机三相霍尔位置信号精确检测的效果。
  • 一种开关磁阻电机三相位置信号检测方法
  • [发明专利]用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路-CN201711033078.3在审
  • 祝靖;陆扬扬;王浩;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2017-10-27 - 2018-03-13 - H02M1/088
  • 一种用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路,自举电路包括两端分别连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB和高侧浮动地信号VS的自举电容,连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的结型场效应管,连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的自举电容一端与所述结型场效应管JFET的漏端连接,结型场效应管JFET的栅端与地相连,高压半桥栅驱动电路的低侧固定电源VCC从结型场效应管的源端输入。驱动电路包括高压半桥栅驱动电路且高压半桥栅驱动电路包括自举电容,其两端分别与高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB和高侧浮动地信号VS连接,还包括如上所述的自举电路。本发明电源利用率高,电路简单。
  • 用于高压半桥栅驱动电路
  • [发明专利]一种低功耗远距离无线传输系统-CN201710742237.0在审
  • 王学香;张文伟;时龙兴 - 东南大学
  • 2017-08-25 - 2018-01-12 - H04W52/02
  • 本发明公开了一种低功耗远距离无线传输系统,包括一个主MCU、若干分MCU及与各MCU分别相对应的射频芯片;所述主MCU和其对应的射频芯片构成无线传输中心节点,若干分MCU与各自对应的射频芯片连接构成无线传输子节点,MCU对应连接的射频芯片为基于LoRa技术的无线射频收发芯片。所述中心节点与子节点采用星状网拓扑结构和TDMA介质访问层协议组网。子节点完成数据采集,并在对应的时隙内发送给中心节点,中心节点汇总数据,连接主机并显示。子节点采用RTC时钟自动唤醒的方式保证组网的低功耗,同时配合跳频通信技术降低了无线传输系统的同频干扰问题。本发明、满足物联网应用对功耗和距离的需求,可广泛应用于智能停车、智能抄表等智慧城市项目中。
  • 一种功耗远距离无线传输系统
  • [发明专利]一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管-CN201510125579.9有效
  • 祝靖;李筱媛;杨卓;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2015-03-23 - 2018-01-02 - H01L29/739
  • 一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管,包括P型衬底,其上设有埋氧层,埋氧层上设有N型漂移区,在N型漂移区内的上表面下方设有P型体区和N型缓冲层,N型缓冲层内设有P型集电极区,其特征在于,在N型漂移区内设有沟槽隔离层,在N型漂移区的上表面与沟槽隔离层形成的两个拐角处分别设有第一P型发射极区和第二P型发射极区,在第一P型发射极区和第二P型发射极区上连接有金属电极,在N型漂移区的上表面下方还设有第三P型发射极区,在第三P型发射极区上连接有第二发射极铝电极,在第二P型发射极区与第三P型发射极区之间的N型漂移区上表面上设有第二栅氧化层,在第二栅氧化层上设有氮化硅层,在氮化硅层上方设有第二多晶硅栅。
  • 一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法-CN201510429008.4有效
  • 祝靖;孙轶;杨卓;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2015-07-20 - 2017-11-28 - H01L29/78
  • 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法,其特征在于,包括N型漏极,其上设有N型外延层,N型外延层上设有第一P型体区,第一P型体区上设有N型缓冲层,N型缓冲层上设有重掺杂N型源极,在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层,在N型外延层,第一P型体区,N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽,阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方,在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层,在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极,在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层,在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法,容易实现,成本较低。
  • 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201510021174.0有效
  • 刘斯扬;孙陈超;王剑锋;叶然;张春伟;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2015-01-15 - 2017-11-14 - H01L29/78
  • 一种P型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件,包括N型衬底、N型外延层,在N型外延层中形成有P型轻掺杂漏区和N阱,N阱的一侧和所述P型轻掺杂漏区的一侧相接触;在所述P型轻掺杂漏区中形成有P型重掺杂漏区;在所述N阱中形成有P型重掺杂源区,在N阱的另一侧形成有N型重掺杂引出区,N型重掺杂引出区穿过N型外延层与N型硅衬底相接触;在N阱上形成有栅氧化层,且栅氧化层的两个边界分别位于P型重掺杂源区及P型轻掺杂漏区的边界上方;在N型重掺杂引出区和P型重掺杂源区上连接有源极金属,在P型重掺杂漏区上连接有漏极金属,其特征在于,所述栅氧化层为阶梯状,在栅氧化层的下方设有P型掺杂区且所述P型掺杂区位于N阱中。
  • 一种射频横向扩散金属氧化物半导体器件
  • [发明专利]一种检测蓄电池是否充满的方法-CN201510182728.5有效
  • 孙伟锋;张太之;付君宇;俞居正;钱钦松;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2015-04-16 - 2017-10-10 - H02J7/00
  • 本发明公开了一种检测蓄电池是否充满的方法,在涓流充电结束以后,再次用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电,将用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电前检测到的蓄电池两端的电压与用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电一段时间后检测到的蓄电池两端的电压进行比较,判断蓄电池是否已经充满,如果未充满,则继续对蓄电池进行恒压充电,然后通过比较检测到的蓄电池两端电压的变化量与蓄电池自身的参数Vref,准确地判断出蓄电池是否已经充满。本发明能够确保蓄电池每次充电时均能充满,有效地提高蓄电池的电性能,延长蓄电池的使用寿命。
  • 一种检测蓄电池是否充满方法

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