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[发明专利]一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法-CN201710590007.7有效
发明人：钱钦松;詹成旺;刘琦;朱俊杰;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种同步整流LLC变换器的数字控制系统及其控制方法，包括电压采样电路、运算放大电路、低通滤波电路、微控制器和隔离驱动电路。在LLC变换器的每一个工作周期内，通过电压采样电路分别在LLC变换器副边侧的同步整流MOS管关断之前和关断之后各采集一次同步整流MOS管的漏端电压，并通过微控制器将上述两个漏端电压进行比较判断，根据实时判断的结果来控制下一周期同步整流MOS管驱动信号的周期和占空比，最终使同步整流MOS管的关断点稳定在其电流过过零点处附近，因此，同步整流LLC变换器就稳定工作在最优效率点附近。
一种同步整流 llc 变换器数字控制系统及其控制方法

[发明专利]一种LLC全桥变换器同步整流的数字优化控制方法及其系统-CN201710589939.X有效
发明人：孙伟锋;夏熙;俞居正;朱俊杰;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种LLC全桥变换器同步整流的数字优化控制方法及其系统，对全桥LLC副边的同步整流管关断之前和关断之后的漏端电压分别进行采样，将两次采样结果通过比较器进行逻辑比较，根据逻辑比较结果由微控制器对全桥LLC副边同步整流管的关断时间进行调整并利用微控制器的中断配合，实现LLC副边同步整流管关断前后漏端电压的精确采样，通过实时比较由微控制器给出的需要调整的时间命令，实现全桥LLC副边同步整流管在最佳时刻关断，提高全桥LLC电路的整体效率。
一种 llc 变换器同步整流数字优化控制方法及其系统

[发明专利]一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件-CN201610911892.X有效
发明人：祝靖;卞方娟;杨卓;吴汪然;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，包括：P型衬底，P型衬底上设埋氧，再设N型外延层且被隔离氧化层分隔成第一、二、三N型外延层，第三N型外延层上部设第二P型体区与N型缓冲层，第二P型体区内设N型发射极与叉指型第二重掺杂P区，第二P型体区上设栅氧化层、多晶硅栅极，N型缓冲层内设P型集电极且作为器件的阳极，上方设阳极金属层；第二N型外延层上部至少设2个第一P型体区并在其中分别设N型MOS管；第一N型外延层上部至少设2个串联的二极管且相邻二极管间设隔离氧化层；N型发射极与所有N型漏极连接，第二重掺杂P区与串联二极管的阳极连接，N型源极、第一重掺杂P区及串联二极管的阴极连接作为器件的阴极。
一种电流绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管器件

[发明专利]用于动态可重构阵列计算系统的自适硬件预配置控制器-CN201610619107.3有效
发明人：龚宇;王晓彤;葛伟琪;刘波;曹鹏;杨军;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于动态可重构阵列计算系统的自适硬件预配置控制器，其功能为根据不同应用场景及计算需求选取最优化的动态可重构计算阵列硬件参数并对动态可重构计算阵列进行预配置，其核心结构包括阵列规模计算逻辑、路由结构计算逻辑、预配置信息缓存单元、预配置信息发送控制单元和预配置信息输出接口。本发明将多个计算逻辑紧耦合，组成一个完整的最优化硬件参数选择器，通过向动态可重构计算阵列发送相应的预配置信息，对阵列规模及其路由结构进行预配置，使得动态可重构阵列计算系统在灵活度和专用性能上达到更好的平衡。
用于动态可重构阵列计算系统硬件配置控制器

[发明专利]一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管-CN201610705225.6有效
发明人：孙伟锋;魏家行;陈欣;李秀军;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。
一种增强绝缘 algan gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]一种基于PVTM的宽电压时钟拉伸电路-CN201610323558.2有效
发明人：单伟伟;万亮;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PVTM的宽电压时钟拉伸电路，该电路由PVTM电路模块、相位时钟生成模块、时钟同步选择模块以及控制模块组成。PVTM电路模块实时监测芯片中延时单元的延时信息来检测当前电路的运行环境，并将该信息反馈到控制模块中。控制模块在时钟拉伸使能信号以及时钟拉伸尺度信号的作用下，根据PVTM的反馈信息，从相位时钟生成模块产生的时钟中选择目标相位时钟，实现在单周期内对不同PVT环境下系统时钟的拉伸。本发明不需要复杂的门器件，面积和功耗代价较小。本发明电路结构精简，电路实现简单，用一定的精度代价换取了面积代价，尤其适合基于在线时序监测的自适应电压频率调整电路使用。
一种基于 pvtm 电压时钟拉伸电路

[发明专利]用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件-CN201610576522.5有效
发明人：孙伟锋;陈佳俊;张龙;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。
用于消除现象逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件

[发明专利]一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件-CN201610570715.X有效
发明人：孙伟锋;黄薛佺;张龙;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。
一种断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件

[发明专利]一种反激式电源CCM与DCM模式的恒流控制系统-CN201710284613.6有效
发明人：孙伟锋;沈为冬;王炜;王冲;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种反激式电源CCM与DCM模式的恒流控制系统，该控制系统包括电流检测模块，输出反馈模块，电流计算模块，误差计算模块，PID模块、PWM模块以及驱动模块，并与受控的开关电源连接起来构成一个闭环，电流检测模块、输出反馈模块采集实现恒流算法的基本参数，电流计算模块主要计算输出电流平均值,该输出值在PID模块中执行补偿算法，补偿值递交给PWM控制模块，经驱动模块输出合适的占空比，从而控制数字电源的高精度恒流。
一种反激式电源 ccm dcm 模式控制系统

[发明专利]一种消除开关电源次谐波振荡的方法-CN201710110553.6有效
发明人：徐申;陈威宇;沈为冬;王冲;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：一种消除开关电源次谐波振荡的方法，基于包括采样模块、误差计算模块、PID模块、脉冲调制模块构成的控制系统，该控制系统与受控的开关电源连接起来构成一个闭环。采样模块对开关电源输出电压进行采样并计算后得到Vo，误差计算模块将参考电压Vref减去Vo，得到当前采样的误差e1，PID模块根据误差e1和PI参数值进行PID运算，得到的补偿结果V_PI输出给脉冲调制模块，脉冲调制模块输出duty对开关电源进行控制；本发明增设时间长度计算模块和次谐波消除模块，通过时间长度计算模块计算出开关不同的时间长度进而通过次谐波消除模块确定补偿函数和计算控制电流的补偿量，利用给控制电流加补偿的方法来消除次谐波振荡。
一种消除开关电源谐波振荡方法

[发明专利]一种动态响应优化的开关电源控制方法-CN201710094409.8有效
发明人：钱钦松;谢明枫;刘琦;朱俊杰;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种动态响应优化的开关电源控制方法，基于包括Buck降压拓扑电路，定频LLC调压电路，输出电压采样电路以及以微控制器为控制核心的控制电路构成的控制系统。采样得到系统调节过程中有关动态响应效果的评价因素，包括调节过程中的超调量以及系统输出电压的稳定时间，多目标优化算法模块根据超调量以及系统输出电压的稳定时间，评估PID控制模块的性能，并最终迭代得到能够使得PID控制模块的控制过程中的超调量以及稳定时间达到最优的参数，从而使得系统的动态响应效果达到最优。
一种动态响应优化开关电源控制方法

[发明专利]一种基于统计推演的期望堆栈距离快速提取方法-CN201511018082.3有效
发明人：季柯丞;王芹;凌明;时龙兴 -专利权人：东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F12/0862 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于统计推演的期望堆栈距离快速提取方法，在借助Gem5获取目标程序访存Trace流的基础上，依照执行顺序对每次访存请求进行标号。并利用红黑树索引结构记录访存地址及标号；当重用产生时，通过将当前请求执行标号同红黑树中记录的前次访存标号相减，获取重用距离；本发明通过采样的方法，找出重用距离与基于Cache组关联的重用距离之间的转换关系，推导了重用距离分布与期望堆栈距离分布之间的转换关系。由于重用距离提取时间成本较低，且基于Cache组关联结构的期望堆栈距离分布可从上述的两次转换过程中获得。所以，本发明大幅提升了利用堆栈距离评估LRU‑Cache访存行为的速度。
一种基于统计推演期望堆栈距离快速提取方法

[发明专利]一种GPU L1 Cache处访存序列的仿真生成与排序方法-CN201610889218.6有效
发明人：齐志;张亚;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G06F11/26 文献下载
摘要：本发明公开的一种GPU L1 Cache处访存序列的仿真生成与排序方法，包含访存序列生成、线程调度、访存合并和访存排序共四个步骤，使用GPU功能模拟器生成GPU应用程序各线程初始的访存序列，在充分解析GPU访存系统微结构特征后，对该访存序列采取线程调度、访存合并和访存排序三大步骤，最终得到GPU应用程序在GPU L1 Cache处的仿真访存序列。该访存序列便于进行GPU L1 Cache缺失行为特征分析。
一种 gpul1cache 处访存序列仿真生成排序方法

[发明专利]横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件-CN201610972493.4有效
发明人：孙伟锋;杨翰琪;薛颖;叶然;魏家行;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P⁺区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。
横向绝缘栅双极型晶体管界面测试方法端口器件

[发明专利]一种DCM开关电源变换器控制死区时间的电路及其方法-CN201710245183.7有效
发明人：孙伟锋;张玉浩;陆扬扬;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种DCM迟滞变换器制控制死区时间的电路及其方法，工作驱动信号in在经过自适应死区时间调整电路后通过反相器链驱动功率管进行开、关，同时自适应的获得最优的死区时间。经过对Lx点在功率Pmos关断后、功率Nmos开启时电压的采样，从而获得死区时间的信息，将采样信号反馈回自适应死区时间控制电路中，调整二进制延时线的信号传输速度，从而实现死区时间的最优自适应控制。
一种 dcm 开关电源变换器控制死区时间电路及其方法