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[发明专利]一种防止基于功耗分析的DES算法攻击的方法及测试电路-CN201210578754.6无效
发明人：刘波;孙华芳;时龙兴;李杰;金海坤;郭银涛;吕宇翔;单伟伟 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H04L9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止基于功耗分析的DES算法攻击的方法及测试电路，在首个子密钥K1未对数据进行操作之前，算法流程保持和原始DES流程相同，在第一轮子密钥K1对明文进行异或后引入掩码X；随后的第2至第15轮的加密过程，操作方式类似，仅异或的随机数数值不相同，旨在保持算法中间处理过程功能的正确性；最后在第16轮输出前异或上掩码X，经过IP逆置换(FP)并加上掩码X4还原真实的密文信息。由于DES的首轮和末轮添加的掩码值及位置均异于其他轮，即非对掩加密，使得对其采用汉明距离模型时无法消去掩码的作用，从而达到对DES算法的功耗攻击的防护，保证DES密钥安全的目的。
一种防止基于功耗分析 des 算法攻击方法测试电路

[发明专利]一种快速瞬态响应的数字开关变换器及其控制方法-CN201210589750.8有效
发明人：徐申;孙大鹰;田野;宋慧滨;王青;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种具有快速瞬态响应能力的数字开关变换器，包括Buck型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换单元、预测控制单元、模糊PID控制单元、DPWM单元和驱动单元。A/D采样转换单元分别采样开关变换器的模拟输出电压值和模拟电感电流值，将模拟信号转换成数字信号；预测控制单元根据A/D采样数字信号值结合Buck型开关变换器主拓扑结构预测下一开关周期输出电压值；模糊PID控制单元根据输出电压误差值和输出电压误差偏差值确定开关周期的占空比值，DPWM单元和驱动单元根据占空比值输出相应的PWM驱动开管变换器的功率管的开关状态来调节输出电压值。
一种快速瞬态响应数字开关变换器及其控制方法

[发明专利]一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路-CN201210545358.3有效
发明人：孙伟锋;杨淼;袁冬冬;朱长峰;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02H5/04 文献下载
摘要：一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
一种基于阈值 mos 保护电路

[发明专利]一种同步整流DC/DC变换器的驱动电路-CN201210544700.8有效
发明人：徐申;杨淼;高庆;苏军;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种同步整流DC/DC变换器的驱动电路，该驱动电路与包括主开关管、同步整流管、PWM控制器、电感L、电容C和电阻R组成的开关级共同构成同步整流DC/DC变换器。驱动电路包括主开关管驱动模块和同步整流管驱动模块，主开关管驱动模块的输出信号PG与主开关管的栅极连接并连接到同步整流管驱动模块一个输入端，主开关管驱动模块的一个输入端连接PWM控制器的PD信号输出端，同步整流管驱动模块的输出信号NG与同步整流管的栅极连接并连接到主开关管驱动模块的另一个输入端，同步整流管驱动模块的另一个输入端连接PWM控制器的ND信号输出端。
一种同步整流 dc 变换器驱动电路

[发明专利]一种交错并联反激驱动电源-CN201310016516.0有效
发明人：孙伟锋;张太之;汪国军;宋慧滨;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种交错并联反激驱动电源，设有两路并联的单级反激驱动电源以及输出电容Cout、采样电阻R、反馈环路和LED负载，将两路单级反激驱动电源并联起来，只需要在主变压器上面增加一组辅助绕组，不需要过多的外围电路和特殊的控制方法，就能够简单的实现交错并联控制，能够很大程度上和实现改善单级反激变换器的缺点，如开关管的电流应力大、开关电流纹波大、EMI干扰严重、输出功率低。本发明电路能够提高反激电源的应用范围，为以后反激电源的发展奠定坚实的基础。
一种交错并联驱动电源

[发明专利]用于实现可重构系统配置信息存储的缓存结构和管理方法-CN201210538673.3有效
发明人：曹鹏;刘波;齐志;杨锦江;杨军;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G06F15/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现可重构系统配置信息存储的缓存结构，包括层次化的配置信息缓存单元：用于缓存一段时间内可能被某个或某几个可重构阵列使用的配置信息；片外存储接口模块：用于建立通信；配置管理单元：用于管理可重构阵列的重构过程，将算法应用中的各个子任务映射到某个可重构阵列上，从而可重构阵列会根据所映射的子任务，加载相应的配置信息以完成可重构阵列的功能重构。从而提高了配置信息缓存的利用效率。并提供了可重构系统配置信息缓存管理的方法，采用混合优先级的缓存更新方法，改变了传统的可重构系统中各个配置信息缓存的管理方式，从而提高了复杂的可重构系统的动态重构效率。
用于实现可重构系统配置信息存储缓存结构管理方法

[发明专利]基于预先解码分析的数据信息缓存管理方法及系统-CN201210535995.2有效
发明人：曹鹏;刘波;蒋辉雁;齐志;杨锦江;杨军;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于预先解码分析的数据信息缓存管理系统，包括流媒体处理器模块、数据信息预取FIFO模块、数据信息缓存单元和数据信息缓存控制器模块。本发明还公开了一种利用如上所述基于预先解码分析的数据信息缓存管理系统的管理方法。本发明通过尽量利用重复数据，减少数据传输时间，减少数据带宽占用及在外部存储器中的换行延迟，以提高大规模粗粒度可重构系统的数据访问效率，使得性能提升。
基于预先解码分析数据信息缓存管理方法系统

[发明专利]一种具有高负载调整率的快速瞬态响应DC-DC开关变换器-CN201210476509.4有效
发明人：孙伟锋;杨淼;韩才霞;秦昌兵;张力文;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种具有高负载调整率的快速瞬态响应DC-DC开关变换器，设有电流检测电路、斜坡补偿电路、脉宽调制器、含有功率管、输出电感、滤波电容以及负载的BUCK拓扑电路、误差放大器以及电压检测器，误差放大器和电压检测器采样BUCK拓扑电路的输出电压VOUT并分别与参考电压VREF比较，误差放大器及电压检测器的输出信号叠加输入到脉宽调制器，电流检测电路检测BUCK拓扑电路中的电感电流，斜坡补偿电路产生的周期性斜坡信号与电流检测电路的输出端信号叠加输入到脉宽调制器的输入端，脉宽调制器的输出端控制BUCK拓扑电路中的功率管栅信号。
一种具有负载调整快速瞬态响应 dc 开关变换器

[发明专利]一种快速瞬态响应脉冲宽度调制电路-CN201210475551.4有效
发明人：徐申;杨淼;韩才霞;葛芳莉;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：一种快速瞬态响应脉冲宽度调制电路，包括PWM调制器、斜坡补偿电路、电流检测电路以及误差放大器，电流检测电路包括LX电压传递电路及检测电流产生器，LX电压传递电路的输出端与检测电流产生器的输入端连接；PWM调制器包括电压-电流比较器、放大电路及整形电路，斜坡补偿电路采用将斜坡电压转化为电流叠加比较的分段斜坡补偿结构，电压-电流比较器的输入端分别连接检测电流产生器、误差放大器及斜坡补偿电路的输出信号，电压-电流比较器的输出端连接放大电路的输入端，放大电路的输出端连接整形电路的输入端，整形电路的输出端即为PWM调制电路输出信号。
一种快速瞬态响应脉冲宽度调制电路

[发明专利]一种基于二维离散小波变换算法的静态图像压缩方法-CN201210529661.4无效
发明人：曹鹏;柯鑫翔;齐志;杨锦江;杨军;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H04N7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维离散小波变换算法的静态图像压缩方法，包括如下步骤：将源图像做预处理；将二维离散小波变换算法在可重构架构上实现，利用可重构架构实现的二维离散小波变换算法对经过预处理的图像进行小波变换；对小波变换过后的图像进行量化，然后进行自适应编码，经过码流组织，最终形成压缩图像。本发明采用可重构这一创新的技术来解决算法性能和算法灵活性的矛盾，在保持算法灵活性的前提下，用可重构的并行计算能力来对算法进行加速，提升算法的性能，使得图像压缩方法的整体性能得到很大的提升，效率更高，性能更好。
一种基于二维离散变换算法静态图像压缩方法

[发明专利]一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN201210343012.5有效
发明人：刘斯扬;徐安安;黄栋;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
一种电流绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管-CN201210343232.8有效
发明人：孙伟锋;陈扬;朱荣霞;刘斯扬;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种大电流P型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P型外延层，在P型外延层内部设有P型缓冲阱区、N型体区和P型中心缓冲阱区，在P型缓冲阱区内设有N型漏区，在N型体区中设有P型源区和N型体接触区，在P型中心缓冲阱区内设有P型基区和N型发射区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，N型漏区上的漏极金属分别与对应的P型基区上的基极金属通过金属层连通，并从N型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
一种电流绝缘体横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件-CN201210455201.1有效
发明人：刘斯扬;杨超;张春伟;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区，且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵，在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层，所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐，金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵，所述P型结终端采用梯形结构，且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布，从而有效地改善器件反向特性，并提高器件可靠性。
一种梯形终端碳化硅结势垒肖特基二极管器件

[发明专利]高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路-CN201210441310.8有效
发明人：祝靖;张允武;张翠云;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。
高压驱动芯片保护方法电路

[发明专利]一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管-CN201210442085.X有效
发明人：祝靖;曹鲁;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内设有N型阱区及P型基区，在P型基区内设有第一P型接触区和N型源区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有P型漏区，在N型外延层内设有由P型环形基区构成的P型基区阵列，所述P型基区阵列位于N型阱区与P型基区之间，在所述P型环形基区内设有第二P型接触区和N型环形源区，第二P型接触区位于N型环形源区内，本发明大大的增加了横向超薄绝缘栅双极型晶体管的电流密度，可以极大的提高智能功率模块的性能。
一种电流密度横向超薄绝缘栅双极型晶体管