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- [发明专利]内置保护P型高压金属氧化物半导体管-CN03112625.1无效
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时龙兴;孙伟锋;易扬波;陆生礼
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东南大学
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2003-01-08
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2003-06-18
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H01L29/78
- 本发明公开了一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有N型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在N型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有P型漂移区，在N型外延接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在N型外延接触孔、源及P型漂移区与P型衬底之间设有N型杂质区，位于多晶栅的末端下方并在场氧化层的下面设有N型保护阱且该N型保护阱位于P型漂移区内。本发明引入了N型保护阱，N型保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而提高了器件击穿电压。
- 内置保护高压金属氧化物半导体
- [发明专利]内置保护N型高压金属氧化物半导体管-CN03112626.X无效
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孙伟锋;易扬波;陆生礼;宋慧滨;时龙兴
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东南大学
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2003-01-08
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2003-06-18
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H01L29/78
- 本发明公开了一种内置保护N型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有源、P型接触孔、场氧化层、漏和多晶栅，在多晶栅的下面设有栅氧化层，在P型接触孔、源、多晶栅、场氧化层和漏的上方设有氧化层，在P型接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型衬底上方设有N型杂质区，并使漏和场氧化层位于该N型杂质区内，在位于多晶栅末端下方的N型杂质区内设有P型保护阱，且该P型保护阱位于场氧化层的下面。本发明引入了P型保护阱，作为P型内置保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而分散了此处表面电场，显著提高了器件击穿电压。
- 内置保护高压金属氧化物半导体
- [发明专利]横向缓冲P型金属氧化物半导体管-CN03112627.8无效
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孙伟锋;陆生礼;易扬波;孙智林;时龙兴
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东南大学
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2003-01-08
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2003-06-18
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H01L29/78
- 本发明公开了一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型漂移区、源、N型外延接触孔和场氧化层，在P型漂移区上设有漏和另一场氧化层，在场氧化层、N型外延接触孔、源、N型外延层、另一场氧化层和漏上设有栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶栅，在栅氧化层和多晶栅上设有氧化层，在N型外延接触孔及源、多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型漂移区和漏之间设有P型缓冲层。本发明引入了P型缓冲层，P型缓冲层可以减小漏区的电场曲率、降低漏极电流聚集，从而减少漏极碰撞电离和二次击穿现象，提高击穿电压；P型缓冲层还可以降低导通电阻，从而增大工作电流。
- 横向缓冲金属氧化物半导体
- [实用新型]小数分频输出相位补偿装置-CN02218639.5无效
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张嗣忠;时龙兴;胡晨;陆生礼;徐光明
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东南大学
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2002-01-29
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2002-10-16
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H03L7/16
- 小数分频输出相位补偿装置是一种实现N—数字小数分频输出的相位补偿和减小相位抖动的帕斯卡三角形数值运算电路。该装置由多级累加器相串联组成,其中每一级累加器由延时器、补码器、全加器所组成,延时器的输入端接前一级累加器的输出端,延时器的输出端接全加器的输入端,全加器的输入端还分别与补码器、前一级累加器的输出端OUTn+1、本级的信号输入端INn相接;延时器由D触发器构成,补码器由或门和异或门构成,全加器由全加器电路构成,延时器的输入端即D触发器的输入端接前一级全加器电路的输出端,D触发器的输出端与本级全加器电路的输入端和本级补码器的或门、异或门的输入端相接。
- 小数分频输出相位补偿装置
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