“徐秋霞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果211个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种镍-自对准硅化物的制备方法-CN200910077621.9无效
发明人：尚海平;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍-自对准硅化物的制备方法，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。本发明提供的这种镍-自对准硅化物的制备方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行、成本低和没有环境污染的优点。
一种对准硅化物制备方法

[发明专利]一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法-CN200910077622.3无效
发明人：胡爱斌;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。利用本发明，解决了金属和硅形成的肖特基二极管势垒主要受半导体硅表面态影响的问题。
一种调节金属形成肖特基二极管方法

[发明专利]一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法-CN200810224908.5有效
发明人： 徐秋霞;许高博;柴淑敏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。
一种介质金属集成结构制备方法

[发明专利]一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法-CN200910307689.1有效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。
一种选择性去除 tan 金属电极方法

[实用新型]一种具有抗菌功能的PE/PP管-CN200920072555.1无效
发明人：尤志强;钟蕾;段智岗;李金星;王力勇;周建军;李虎;徐秋霞;李胜春 -专利权人：李胜春
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： F16L9/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有抗菌功能的PE/PP管，所述的PE/PP管形状为管道形，所述的PE/PP管由母粒为PE以及PP树脂塑料和纳米银抗菌材料组成；所述的管道的内径为0.5～2.5cm；所述的管道外径为4.5～5.5cm；所述的管道的长度5～10cm。本实用新型的优点：纳米银抗菌材料对水管中的水进行杀毒灭菌；工艺简单；应用范围较广，提高饮用水的安全。
一种具有抗菌功能 pe pp

[发明专利]一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及腐蚀方法-CN200910304802.0有效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种HfSiON高K栅介质材料的腐蚀剂及使用该腐蚀剂的腐蚀方法，属于集成电路制造技术领域。所述腐蚀剂按其重量百分比计包括0.19％～4.83％的氢氟酸。所述使用该腐蚀剂的腐蚀方法包括将HfSiON高K栅介质材料形成于Si衬底、Si/SiO₂界面层或者Si/SiON界面层上后，将其浸泡在所述的腐蚀剂中进行湿法腐蚀。采用本发明腐蚀剂对HfSiON高K栅介质材料进行腐蚀时，可降低氢氟酸水解，从而提高HfSiON高K栅介质材料的腐蚀速度并降低对场氧区SiO₂的腐蚀速度，进而提高HfSiON对场氧区SiO₂的选择比。
一种 hfsion 介质材料腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]一种制备金属栅电极的方法-CN200710178281.X有效
发明人：周华杰;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于超深亚微米技术互补金属氧化物半导体器件以及电路的金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入¹⁴N⁺；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，并进行杂质激活；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明，达到了调节栅电极的功函数的目的。
一种制备金属电极方法

[发明专利]一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法-CN200710178324.4有效
发明人：周华杰;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入¹⁴N⁺；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入金属杂质；淀积金属镍Ni，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍Ni。利用本发明，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。
一种调节全硅化金属函数方法

[发明专利]一种制备高介电常数栅介质薄膜铪硅氧氮的方法-CN200710178280.5无效
发明人：许高博;徐秋霞;柴淑敏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高介电常数栅介质薄膜HfSiON的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数的HfSiON栅介质薄膜；对淀积了HfSiON栅介质薄膜的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅。利用本发明，解决了随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题。
一种制备介电常数介质薄膜铪硅氧氮方法

[发明专利]TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法-CN200810223349.6有效
发明人：李永亮;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法。该TaN材料腐蚀溶液，以重量百分比计包括：NH₄OH：1.47％-7.26％；H₂O₂：3.00％-24.91％；以及余量的水。所述的TaN材料腐蚀方法，是对于厚度小于400埃的TaN可采用光刻胶作为掩膜，先以重量百分含量为3.25％-10.44％的HF、7.17％-21.95％的HNO₃以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀，再以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH₄OH，3.00％-24.91％的H₂O₂以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀；对于厚度大于400埃的TaN，必须采用硬掩膜，直接以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH₄OH，3.00％-24.91％的H₂O₂以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀。
tan 材料腐蚀溶液以及方法

[发明专利]一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法-CN200710063203.5无效
发明人： 徐秋霞;李瑞钊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法，步骤如下：在器件源/漏区钴硅化物形成后进行平坦化工艺，腐蚀栅槽和漂去替代栅氧化硅，再栅氧化；真空热退火处理；溅射难熔金属TiN，厚度25－45nm；溅射W薄膜，厚度为90－110nm；用丙酮、无水乙醇各超声清洗，去离子水冲洗，热N₂中甩干；光刻W/TiN T型栅；反应离子刻蚀W/TiN T型栅，刻蚀气体为Cl₂和SF₆；等离子增强化学汽相沉积SiO₂，SiO₂厚度500－700nm；接触孔形成；金属化退火。本发明解决了常规多晶硅栅存在的栅电阻过高、PMOS器件硼穿透严重、多晶硅栅耗尽及与高K栅介质不兼容等一系列严重问题，从而获得优良的器件特性。
一种纳米尺度 tin 复合金属制备方法

[发明专利]一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法-CN200510086488.5有效
发明人：林刚;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-09-22 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种超薄氮化硅/二氧化硅叠层栅介质的制备方法，采用常规的低成本低压化学汽相沉积(LPCVD)方法来制备超薄Si₃N₄膜，得到性能优良的等效氧化层厚度(EOT)为1.9nm的超薄Si₃N₄/SiO₂ stack栅介质。并在此基础上详细研究了Si₃N₄/SiO₂ (N/O)stack栅介质的特性，成功应用于栅长为0.13μm高性能N/O stack栅介质CMOS器件研制。为深亚微米CMOS器件所必需的高性能栅介质制备提供了一种方便可行的方法。
一种超薄氮化二氧化硅叠层栅介质制备方法

[发明专利]电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法-CN200510056279.6有效
发明人：刘明;徐秋霞;陈宝钦;龙世兵;牛洁斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是一种电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法，包括：电子束和光学混合和匹配曝光的套准标记的设计；用电子束曝光系统制备套准标记掩模版；采用光学投影系统将掩模版上的套准标记曝光在硅片上；采用干法刻蚀将套准标记转移到硅片上；在电子束曝光系统中采用合适的修正方法查找标记等。该方法实现了电子束曝光系统和光学曝光系统的混合和匹配曝光，其套准精度优于100nm，使我们在缺乏昂贵的193nm投影光刻机的情况下，利用电子束曝光纳米尺寸的图形，而用普通的365nm光学投影光刻机曝光其它大尺寸的图形。本发明方法结合了电子束系统曝光的高分辨率和光学投影光刻机的高效率，大大提高了纳米器件和电路的研制效率。
电子束光学混合匹配曝光标记制备方法

[发明专利]一种替代栅的制备方法-CN200510011506.3有效
发明人： 徐秋霞;李瑞钊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于超深亚微米及以下特征尺寸半导体器件制备方法，特别涉及用于超深亚微米金属栅CMOS制造的一种替代栅制备技术。用金属作栅电极，可以从根本上消除栅耗尽效应和硼穿透现象，同时获得非常低的栅电极薄层电阻。本发明采用嵌入式金属栅CMOS工艺(即替代栅制备工艺)实现了一种新颖的金属栅CMOS技术。在这种嵌入式金属栅CMOS工艺中，主要关键技术之一是一套替代栅的制备技术，它包括替代栅材料的选取，精细的替代栅图形的成形，平坦化和替代栅的去除。
一种替代制备方法

[发明专利]一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法-CN200510008008.3无效
发明人：刘明;王云翔;陈宝钦;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现曝光50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图形质量的影响；合适的邻近效应参数；优化的显影条件等特点，最终制备出分辨率非常高的50nm图形。本发明方法，大大提高了SAL601化学放大抗蚀剂的分辨率，使我们在无法购买到更高分辨率抗蚀剂的情况下也能曝光出分辨率非常高的图形。本发明方法是一种经济实用的制造50nm图形的新方法，为进一步研制亚50nm器件打下了良好基础。
一种用负性化学放大抗蚀剂曝光 50 nm 图形方法