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- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202310148527.8在审
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姚佳欣;曹磊;李庆坤;张青竹;殷华湘
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中国科学院微电子研究所
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2023-02-14
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2023-10-03
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H01L29/78
- 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在衬底表面的一侧外延生长超晶格叠层；刻蚀超晶格叠层，形成多个鳍片；在鳍片上沉积假栅；在刻蚀后鳍片的两端形成内侧墙；选择性刻蚀掺杂介质层，通过鳍片两侧剩余的掺杂介质层，对第二半导体层进行导电元素掺杂；去除鳍片两侧剩余的掺杂介质层；外延生长源漏极，刻蚀第一半导体层，实现第二半导体层纳米片的沟道释放，纳米片形成的叠层构成为多个导电沟道；形成环绕式栅极，环绕于纳米片堆叠层周围。从而本申请通过掺杂介质层对第二半导体层进行辅助掺杂后，再外延源漏形成缓冲区结构，从而能抑制源漏与沟道交叠区域带带隧穿漏电，降低了寄生沟道的影响，有效抑制了器件漏电，减轻了器件电学性能的退化。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202310142862.7在审
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姚佳欣;曹磊;李庆坤;张青竹;殷华湘
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中国科学院微电子研究所
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2023-02-14
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2023-09-29
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H01L29/78
- 本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在衬底表面的一侧外延生长超晶格叠层；刻蚀形成多个鳍片；在鳍片上沉积假栅；淀积并刻蚀形成栅极第三侧墙，刻蚀鳍片两端至衬底表面，在刻蚀后鳍片的两端形成内侧墙；对第二半导体层进行导电元素掺杂和激活退火；外延生长源漏极，源漏极的材料为掺杂导电元素的半导体材料；去除假栅，刻蚀第一半导体层，实现第二半导体层纳米片的沟道释放，纳米片形成的叠层构成为多个导电沟道；形成环绕式栅极，环绕于纳米片堆叠层周围。本申请通过对第二半导体层进行掺杂后，再外延源漏形成缓冲区结构，从而能抑制源漏与沟道交叠区域带带隧穿漏电，降低了寄生沟道的影响，有效抑制了器件漏电，减轻了器件电学性能的退化。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN202310166065.2在审
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姚佳欣;魏延钊;殷华湘;张青竹
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中国科学院微电子研究所
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2023-02-15
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2023-09-29
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H01L21/8234
- 本申请提供一种半导体器件及制造方法，半导体器件包括衬底，衬底具有掺杂类型不同的第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域上设置有堆叠的多个第一半导体层，多个第一半导体层之间具有第一间隙，第二掺杂区域上设置有堆叠的多个第二半导体层，多个第二半导体层之间具有第二间隙，在第一间隙中形成第一偶极子层，在第二间隙中形成依次包围第二半导体层的第一介质层、第二介质层和附着颗粒物，在第二间隙中进行退火处理，得到第二偶极子层，第二偶极子层和第一偶极子层的极性相反。能够避免由于第二间隙的空间受限导致填充不均匀，附着颗粒物在第二间隙中的填充效果更好，能够实现多阈值集成，提高器件性能。
- 一种半导体器件制造方法
- [发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN202310147038.0在审
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姚佳欣;魏延钊;殷华湘;张青竹
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中国科学院微电子研究所
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2023-02-15
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2023-09-29
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H01L21/8234
- 本申请提供一种半导体器件及制造方法，半导体器件包括衬底，衬底具有掺杂类型不同的第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域上设置有堆叠的多个第一半导体层，多个第一半导体层之间具有第一间隙，第二掺杂区域上设置有堆叠的多个第二半导体层，多个第二半导体层之间具有第二间隙，在第一间隙中形成第一偶极子层，在第二间隙中形成第二偶极子层，第二偶极子层和第一偶极子层的极性相反，在第一间隙中和第二间隙中形成金属栅结构。由于位于第一掺杂区域的第一偶极子层的极性，与位于第二掺杂区域的第二偶极子层的极性相反，在第一掺杂区域和第二掺杂区域可以形成不同的器件阈值，实现多阈值集成，可以精确调控半导体器件阈值，提高器件性能。
- 一种半导体器件制造方法
- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211573891.0在审
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殷华湘;桑冠荞;张青竹;秦旭磊
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中国科学院微电子研究所
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2022-12-08
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2023-07-18
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H01L21/306
- 本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，方法包括：在衬底的一侧形成由第一半导体层和第二半导体层交替层叠的叠层结构，对叠层结构进行刻蚀，形成源极和漏极，去除第一半导体层，形成多个待填充缝隙，利用第一溶液对第二半导体层进行氧化刻蚀，在多个待填充缝隙填充栅极，栅极环绕第二半导体层，也就是说，在去除沟道区域的第一半导体层后，为了避免第一半导体层的残留材料对第二半导体层的影响，可以利用第一溶液对第二半导体层进行氧化刻蚀，即利用第一溶液对第二半导体层进行表面钝化，经过第一溶液处理后的第二半导体层能够降低表面缺陷和表面粗糙度，避免自由电荷被表面缺陷俘获，提高制造得到的半导体器件的性能。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [实用新型]一种焊管的外镀锌装置-CN202320305878.0有效
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万德亮;张青竹
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青岛正济金属结构有限公司
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2023-02-24
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2023-07-14
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C23C2/06
- 本实用新型公开了一种焊管的外镀锌装置，所述外镀锌装置包括一对弧形基板、螺纹杆、弧形夹持板、收合结构、以及焊管本体；两所述弧形基板开口相对且上下对称分布，同一弧形基板内侧沿周向均匀设置有若干个弧形夹持板，两弧形夹持板与各弧形基板的圆心均重合，弧形夹持板外壁上铰连有铰连座，所述铰连座上转动连接有螺纹杆，所述螺纹杆螺纹贯穿同侧的弧形基板。与现有技术相比的优点在于：1、本新型通过收合结构将两弧形基板连接后，通过收合结构带动两弧形基板收合，便可实现对焊管的夹持固定，操作更加便捷；2、本新型的弧形夹持板距离同侧弧形基板之间的间距可调，从而使得本新型可用于夹持固定不同规则型号的焊管。
- 一种镀锌装置
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