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[实用新型]一种商用车驾驶室减震器气囊调节连杆-CN202022040894.0有效
发明人：陈廷军;何正波;张青竹;郭勇;袁华乔 -专利权人：十堰凯鑫汽车零部件股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： F16F9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种商用车驾驶室减震器气囊调节连杆，包括连杆和球头杆；所述连杆的顶部和底部均固定连接有一个球头窝；所述球头窝的内侧固定嵌入安装有一根内卡簧和一根外卡簧；所述球头杆的一侧固定连接有一个球头，且球头固定嵌入安装在球头窝内侧。本装置在制造时预先在球头窝上设置两组圆孔，将球头和球头窝嵌合后将外卡簧的两端嵌入这两个圆孔内部，并将两端弯折，防止脱落，在使用过程中如果内卡簧失效，外卡簧位于球头窝内侧的部分会对球头进行阻挡，做到了双保险，使产品性能更可靠不易失效，增加产品使用寿命，提高了驾驶室减震器气囊安全性，能满足恶劣工况下使用。
一种商用车驾减震器气囊调节连杆

[实用新型]一种商用车翻转臂腰形孔加工工装-CN202022044000.5有效
发明人：陈廷军;何正波;郭勇;张青竹;朱伟 -专利权人：十堰凯鑫汽车零部件股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B23D37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种商用车翻转臂腰形孔加工工装，涉及零部件加工技术领域，解决了现有的数控铣立铣刀加工腰形孔时，尺寸要求难以稳定保证，生产效率低的问题。一种商用车翻转臂腰形孔加工工装，包括拉刀；所述拉刀通过螺丝拧接固定在夹刀杆内部伸缩杆的一端。该装置摒弃了传统的腰形孔加工采用数控铣加工工艺，而是采用对拉孔工件钻底孔后用卧式液压拉床，拉腰形孔成型，一次性拉削到位，能达到加工高效，质量稳定可靠的效果，改用钻底孔拉削成型的工艺，极大的提高了生产效率，质量能稳定保证，产品合格率大大提升。
一种商用翻转臂腰形孔加工工装

[发明专利]纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法-CN201910441230.4有效
发明人：李俊杰;李永亮;周娜;杨涛;张青竹;王桂磊;李俊峰;吴振华;殷华湘;朱慧珑;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供表面设置有凸台的衬底，凸台包括沿远离衬底的方向层叠设置的第一材料层与第二材料层；S2，使反应气体吸附于凸台表面形成吸附层，利用吸附层对第一材料层进行各向同性腐蚀；S3，重复执行步骤S2，以完成对第一材料层的刻蚀，形成位于衬底与第二材料层之间的纳米线。采用上述方法实现了精确自限制选择性横向刻蚀来精确微缩，在不用先进光刻的情况下即可获得纳米线或实现对纳米孔直径灵活调节，从而提高了工艺的重复性和一致性。
纳米线围栅器件以及制备方法

[实用新型]一种商用车驾驶室安装套管-CN202022016918.9有效
发明人：陈廷军;何正波;张青竹;朱伟 -专利权人：十堰凯鑫汽车零部件股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： F16S3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种商用车驾驶室安装套管，包括安装套管；安装套管的直径为49.6mm，且安装套管的长度为54mm；安装套管上对称设有两个倒角，且安装套管与倒角的连接处设有圆角。本实用新型改进了安装套管的加工结构，通过在安装套管上设有距离为1mmx60°的两个倒角，在安装套管和倒角的连接处设有一个半径为0.3mm的圆角，减少了倒角的切削量，降低了工装成本，安装方便，圆角减少了安装套管和倒角连接处磨损的现象，在安装时也较方便。
一种商用车驾安装套管

[发明专利]一种低维材料形成方法-CN201910229922.2有效
发明人：周章渝;张青竹;徐庆;陈雨青;孙健;王代强;肖寒;王松 -专利权人：贵阳学院
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种低维材料形成方法，属于二维半导体材料技术领域。所述低维材料形成方法为：通过化学机械平坦化和自限制氧化对硅片进行表面处理，使硅片的一表面变得平整，片内均匀性2nm，得处理后的硅片；取一处理后的硅片，在该硅片另一非平整表面形成氧化层；在氧化层顶部生长或转移一层二维材料；取另一处理后的硅片，将其平整面与步骤S3中硅片的二维材料层通过范德华力键合；通过化学机械平坦化和自限制氧化，对所得硅片的非平整面进行处理，得平整表面；通过原子层刻蚀、自限制氧化得到少层平整的硅烯；在氮气或氩气催化下，使其晶格按照Si下表面的晶格重新排列，形城大面积、少层均匀和高纯度的单层或少层结构的二维材料。
一种材料形成方法

[发明专利]改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法-CN202011167515.2在审
发明人： 张青竹;顾杰;张兆浩;殷华湘 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供一种改善寄生沟道效应的NS‑FET制备方法，包括：操作S1：在衬底上生长外延层并在外延层上制备掩膜；操作S2：对应所述掩膜刻蚀部分衬底形成鳍条部，刻蚀整个外延层形成沟道部；操作S3：在所述鳍条部的两侧台面区填充隔离材料形成隔离区；操作S4：制备侧墙包裹所述沟道部；操作S5：去除部分所述隔离材料并刻蚀窄化裸露出的鳍条部生成鳍条，去除所述侧墙及所述掩膜后制作栅极和源漏，完成改善寄生沟道效应的NS‑FET的器件制备。本公开还提供一种改善寄生沟道效应的NS‑FET。
改善寄生沟道效应 ns fet 及其制备方法

[发明专利]一种双条形氮化硅波导及其制备方法-CN202010370788.0有效
发明人：周章渝;肖寒;孙健;代天军;陈雨青;彭晓珊;王代强;张青竹;宁江华;张子砚 -专利权人：贵阳学院
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种双条形氮化硅波导及其制备方法，该波导包括：硅基底；均匀覆置于所述硅基底上表面的第一SiO2包覆层；位于所述第一SiO2包覆层上表面的双条形Si3N4波导结构；所述双条形Si3N4波导结构被第二SiO2包覆层包裹；其制备过程通过在硅基底热氧工艺形成第一SiO2包覆层；依次生长Si3N4层/αSi层/Si3N4层；通过光刻/离子束刻蚀形成αSi/Si3N4双条形氮化硅波导结构；采用湿法刻蚀部分去除夹层中的αSi材料，利用氮化硅材料高温抗氧化的性质，再热氧化留下的αSi形成SiO2；最后利用PECVD工艺生长第二SiO2包覆层，从而制作出双条形氮化硅形波导。
一种条形氮化波导及其制备方法

[发明专利]光刻显影的方法-CN202011185746.6在审
发明人：贺晓彬;张青竹;李博;刘金彪;张兆浩;李亭亭;李俊峰;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻显影的方法光刻显影的方法，包括以下步骤：在晶圆上涂敷光刻胶并对光刻胶进行曝光；然后对晶圆进行显影；控制晶圆旋转，并对显影处理后的晶圆进行冲洗；将冲洗处理后的晶圆甩干；其中，在冲洗过程中，晶圆在预设时间内在第一转速和第二转速之间交替变化。将晶圆的转速进行了分段式交替变化，避免冲水过程中，晶圆的过高转速对光刻胶表面造成的损伤。
光刻显影方法

[发明专利]内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法-CN201911234819.3有效
发明人：李俊杰;周娜;李永亮;王桂磊;张青竹;杨涛;殷华湘;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中保留凹槽内的侧墙材料以及硅和顶部硬掩膜等材料高选择比无法兼得的问题。用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，包括CH2F2、CH4、O2和Ar，各组分的比例为1:1:1:2～1:1:1:5，刻蚀过程中上射频功率为100～1000W，下射频功率为10～80W；下电极功率为0～60W，基座温度为‑20～90℃。纳米线器件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上外延叠层和硬掩模；横向刻蚀SiGe层，形成预定长度的填充空隙；沉积内侧墙材料；刻蚀去除填充空隙之外的内侧墙材料，形成内侧墙。本发明既能保留凹槽内的侧墙材料，又能实现硅和顶部硬掩膜等材料的高选择比。
内侧刻蚀方法气体纳米器件制备

[发明专利]包括纳米线的器件与其制作方法-CN201810502936.2有效
发明人：李俊杰;吴振华;张青竹;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，凹槽与绝缘部一一对应；步骤S3，刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分，剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除纳米线之外的基底形成第一基底本体，绝缘部位于第一基底本体的表面上。上述的制作方法形成的纳米线的晶格比较完美，器件的性能较好；并且，该制作方法中，纳米线附着在绝缘部上，即绝缘部为纳米线提供了支撑，使得该纳米线可以做得很长且很细，不会发生断裂问题，且可以实现纳米线的高密度。
包括纳米器件与其制作方法

[发明专利]垂直纳米线晶体管与其制作方法-CN201810134800.0有效
发明人：殷华湘;张青竹;张兆浩;许高博 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤S3，在衬底表面上形成层间介质层；步骤S4，在层间介质层中形成相互隔离的第一接触孔与第二接触孔，第一接触孔与第一端部的侧面连接，第二接触孔与第二端部的侧面连接；步骤S5，在第一接触孔和/或第二接触孔中填充重掺杂材料，高温退火扩散，横向掺杂，形成漏区和/或源区。该制作方法中，采用横向扩散的方法，形成均匀掺杂的源区和/或漏区，使得垂直纳米线晶体管的源漏区的掺杂工艺较简单并容易控制。
垂直纳米晶体管与其制作方法

[发明专利]一种BOX形氮化硅波导及其制备方法-CN202010370812.0有效
发明人：周章渝;肖寒;孙健;代天军;陈雨青;彭晓珊;王代强;张青竹;宁江华;张子砚 -专利权人：贵阳学院
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种BOX形氮化硅波导及其制备方法，属于光学材料技术领域，该方法包括：在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层；刻蚀第一牺牲层和第二牺牲层，去除第二牺牲层，形成条形槽；生长氮化硅材料，一部分生长在条形槽内，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成BOX氮化硅槽；生长第二包覆层，一部分填充满BOX氮化硅槽，一部分覆盖在第一牺牲层上，表面平坦化，形成光滑表面；生长氮化硅材料，覆盖光滑表面；刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料，形成BOX氮化硅波导，刻蚀第一牺牲层；在第一包覆层和BOX氮化硅波导上生长第三包覆层，解决了传统工艺直接刻蚀介质材料SiO2垂直度不高的问题。
一种 box 氮化波导及其制备方法

[发明专利]一种商用车驾驶室托架安装座加工工装-CN202010992420.8在审
发明人：陈廷军;何正波;郭勇;张青竹;朱伟 -专利权人：十堰凯鑫汽车零部件股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种商用车驾驶室托架安装座加工工装，包括台阶圆柱体；所述台阶圆柱体的主体为圆柱型结构，台阶圆柱体的一侧中间一体式设置有圆台，圆台的中心与圆柱体对齐，且圆台与圆柱体组成T型台阶结构；经研究并对原加工工艺做了改进，预先对工装主体进行预制，采用冷拨工艺代替原数控车屑机加工工艺，改进后质量稳定，操作方便，提高了生产效率，效率提高5倍以上。
一种商用车驾托架安装加工工装

[发明专利]一种商用车油箱固定垫块加工工装-CN202010999255.9在审
发明人：陈廷军;何正波;郭勇;张青竹;朱伟 -专利权人：十堰凯鑫汽车零部件股份有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B23B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种商用车油箱固定垫块加工工装，涉及零部件加工技术领域，解决了现有的加工工装大多采用人工上料，因机床内的空间较小，工作人员操作较为不便的问题。一种商用车油箱固定垫块加工工装，包括数控车床，毛坯上料仓和旋转调头料仓，所述升降气缸的底部设置有一处连接板，连接板为L形结构，此连接板的底部转动安装有一处旋转气缸，且连接板的右侧设置有一处调头气缸；所述旋转气缸的底部设置有一处旋转调头料仓；所述升降滑轨的右侧设置有一处上料推进气缸，此上料推进气缸也设置于数控车床上。本发明设置有旋转调头料仓，利用旋转调头料仓及调头气缸可自动完成对工件调头，方便对工件的两端加工，降低了工人的劳动强度。
一种商用油箱固定垫块加工工装

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202010827990.1在审
发明人：李亭亭;贺晓彬;张青竹;项金娟;王晓磊;殷华湘;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括：设有空腔的基底；所述基底内填充有填充层，所述填充层表面设有阻挡层，并且所述填充层的至少部分表面裸露在外；其中，所述阻挡层为硼掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述填充层为磷掺杂氧化硅或非掺杂氧化硅；所述阻挡层与所述填充层中的至少一个为掺杂氧化硅。本发明利用填充层和阻挡层中掺杂硼/磷比例的不同，使阻挡层与填充层的被腐蚀速率的差异扩大，从而提高腐蚀液对空腔中填充层的腐蚀选择性，使空腔图形更加规则，同时减少对其余功能层尤其是阻挡层的腐蚀缺陷。
一种半导体结构及其制备方法