专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种运用贴膜工艺的POP封装结构及其制备方法-CN201410843559.0在审
  • 李涛涛;梁天胜 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-05-27 - H01L21/60
  • 本发明公开了一种运用贴膜工艺的POP封装结构及其制备方法,所述结构包括下封装体和上封装体;下封装体主要由下封装体基板、焊盘、焊球凸点、芯片、下封装体基板上表面焊球、塑封体和下封装体基板下表面焊球组成;上封装体主要由上封装体基板、焊盘、上封装体的焊球凸点、上封装体芯片、底部填充胶和上封装体基板下表面焊球组成。所述制备方法为:下封装体基板与其上的芯片互连→下封装体基板上表面制作焊球→焊球上表面贴膜→塑封和后固化→揭膜→下封装体基板下表面制作焊球→下封装体与上封装体焊接。本发明简化了制作工艺,节约成本,减小封装体厚度,提高I/O密度,同时提高了封装效率。
  • 一种运用工艺pop封装结构及其制备方法
  • [发明专利]一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410848910.5在审
  • 夏国峰;于大全 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-05-27 - H01L23/538
  • 本发明公开了一种三维圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法,该三维圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成,扇出PoP封装单元包含IC芯片、金属凸点结构、塑封材料、金属层、介电材料层、再布线金属走线层、焊球。所述方法:配置金属基材圆片,在圆片上表面制作金属凸点结构,倒装芯片贴片、塑封,在塑封材料上制作通孔,在通孔中制作金属凸点结构,制作再布线金属走线层,配置和去除圆片,对圆片下表面进行蚀刻,形成再布线金属走线层,堆叠回流焊,去除圆片,植球和回流焊形成三维圆片级扇出PoP封装。该发明解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。
  • 一种三维圆片级扇出pop封装结构及其制造方法
  • [发明专利]一种指纹识别传感器件-CN201410842153.0在审
  • 夏国峰;于大全 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-05-06 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种指纹识别传感器件,属于集成电路封装、传感器技术等领域。本发明的指纹识别传感器件包括:基板;配置于所述基板上表面的至少一芯片;至少一堤墙配置于所述基板上表面,所述堤墙限定所述至少一芯片的位置;配置于所述堤墙表面的指纹识别传感器芯片,所述指纹识别传感器芯片的上表面边缘设有沟槽,所述沟槽内设有导电层;指纹识别传感器芯片的上表面裸露出塑封材料、或者被塑封材料薄地包覆。该发明不但减小了封装的尺寸,而且使封装工艺更为简单,成本更低。
  • 一种指纹识别传感器件
  • [发明专利]一种膜塑封POP封装结构及其制备方法-CN201410840967.0在审
  • 梁天胜;李涛涛;谌世广;刘卫东 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-04-29 - H01L23/538
  • 本发明公开了一种膜塑封POP封装结构及其制备方法,所述结构包括下封装体和上封装体;下封装体主要由基板、焊盘、基板上表面焊球、芯片、凸点、底部填充胶、塑封体和基板下表面焊球组成;上封装体主要由上封装体基板、上封装体焊盘、上封装体芯片、上封装体凸点、上封装体的底部填充胶、上封装体基板下表面焊球组成;所述上封装体基板下表面焊球与下封装体基板上表面焊球的上部分相互对位焊接。所述制备方法为:通过在下封装体上表面形成与上封装体下表面焊球相对应的焊球,经过特殊的模具塑封(CUF)工艺,最后焊球部分露出塑封体,与上封装体进行互连,实现导通,过程中不需要进行激光开槽和塑封孔填充等过程,从而简化制作工艺,节约成本,减小封装体厚度,提高I/O密度,同时提高了封装效率。
  • 一种塑封pop封装结构及其制备方法
  • [发明专利]一种基于载体的扇出封装结构及其制备方法-CN201410843474.2在审
  • 谢天禹;王虎;于大全;夏国峰;马晓波 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-04-22 - H01L23/488
  • 本发明公开了一种基于载体的扇出封装结构及其制备方法,属于微电子先进封装技术领域。该结构主要由芯片、塑封体、键合线、金属焊盘和焊球组成,所述芯片由塑封体包围,塑封体内有键合线,键合线一端连接芯片,另一端延伸至塑封体表面,并与塑封体表面的金属焊盘连接,金属焊盘上有焊球,所述键合线与金属焊盘不是垂直关系。形成该结构的方法是:在压焊过程中,采用先打载体引脚,再打芯片焊盘,然后塑封,在把载体以及芯片上表面部分厚度蚀刻掉,蚀刻后外露线死,制作金属焊盘,最后植球。该发明不但可以满足超薄的趋势,也可以降低电性能参数,同时大大减少了键合线的有效长度。
  • 一种基于载体封装结构及其制备方法
  • [发明专利]一种扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410842516.0在审
  • 夏国峰;于大全 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-04-22 - H01L23/488
  • 本发明公开了一种扇出PoP封装结构及其制造方法,该扇出PoP封装通过上、下封装堆叠形成。下封装体包括了第一金属凸点结构、第一IC芯片、键合焊盘、第一塑封料、再布线金属走线层、第一金属层、介电材料层、第二金属层和第一焊球,第一IC芯片的键合焊盘与再布线金属走线层互联,第一金属凸点结构构成模塑料通孔,模塑料通孔实现上、下封装体之间以及与外部结构的三维集成互联。制造该封装结构的主要方法:在第一基板上表面制作第一金属凸点结构,上芯,塑封,制作再布线金属走线层,对第一基板下表面进行减薄,植球和回流工艺形成下封装体。在下封装体上方直接贴装BGA封装等其他封装作为上封装体,或者在下封装体上方进行上芯、引线键合和塑封工艺形成上封装体,形成扇出PoP封装。该发明较好的解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度和成本问题。
  • 一种pop封装结构及其制造方法
  • [发明专利]一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法-CN201410799238.5在审
  • 于大全 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-19 - 2015-04-08 - H01L23/488
  • 本发明公开了一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法,属于微电子先进封装技术领域。该结构特征是芯片表面的钎料柱凸点包括凸点下金属层、钎料柱以及钎料柱顶部的钎料球,钎料柱的熔点高于钎料球。形成该结构的一个方法是在芯片晶圆表面的金属焊盘上溅射粘附层和种子层;涂胶、曝光、显影,形成凸点开口图案;然后电镀钎料柱至一定高度,通过印刷钎料膏或真空液态钎料填充低熔点钎料层至一定高度;之后去除厚光刻胶层;回流形成钎料柱凸点;以凸点为掩模刻蚀凸点下金属层。本发明形成的细节距凸点具有熔点低的特性,可以在低温下倒装回流,同时由于钎料柱比金属凸点柱具有更好的塑性和延展性,倒装回流工艺形成的焊点结构具有较低应力,有利于改善Cu?low-K芯片可靠性,同时在凸点材料选择方面具有很大灵活性。
  • 一种细节距钎料柱凸点互连结构及其制备方法
  • [发明专利]一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法-CN201410843472.3在审
  • 夏国峰;于大全 - 华天科技(西安)有限公司
  • 2014-12-30 - 2015-04-08 - H01L23/495
  • 本发明公开了一种圆片级扇出PoP封装结构及其制造方法,该圆片级扇出PoP封装通过至少一个扇出PoP封装单元堆叠形成,相邻扇出PoP封装单元之间通过第二焊球实现互联,采用第二塑封材料进行包覆密封。扇出PoP封装单元包含IC芯片、第一塑封材料、第二粘贴材料、金属凸点结构、第一金属层、第二金属层、第一再布线金属走线层、第一介电材料层、第二再布线金属走线层、第二介电材料层、第一焊球和第二焊球。IC芯片的键合焊盘与第一再布线金属走线层互联。金属凸点结构构成模塑料通孔,模料通孔实现扇出PoP封装单元内的上、下封装体之间以及与外部结构的三维集成互联。制造该圆片级扇出PoP封装结构的主要方法:在第一载体圆片上配置金属基材圆片,在金属基材圆片上表面制作金属凸点结构,上芯,塑封,制作第一再布线金属走线层,配置第二载体圆片,去除第一载体圆片,对金属基材圆片下表面进行蚀刻,形成第二再布线金属走线层,堆叠回流焊,去除第二载体圆片,植球和回流焊工艺后形成扇出PoP封装单元,至少一个扇出PoP封装单元进行堆叠回流焊,塑封后形成圆片级扇出PoP封装。该发明解决了现有PoP封装技术所存在的封装密度、成本和可靠性问题。
  • 一种圆片级扇出pop封装结构及其制造方法

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